うたのぼりやまの英語

スレーブ区間を早く昇温することでスレーブ区間からマスター区間への熱の流入を増やしてマスター区間の昇温時間を短縮して、バレル部のマスター区間とスレーブ区間がそれぞれ最終目標温度に到達する昇温完了までの時間を短縮することができる成形機の自動昇温制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide an automatic temperature rise control method of a molding machine capable shortening the time to the completion of temperature rise when a master section and a slave section of a barrel part reach the final target temperature respectively by shortening the time of temperature rise in the master section by increasing heat inflow from the slave section to the master section by rapidly raising the temperature of the slave section. - 特許庁

能登川で上り、近江八幡で下り、野洲で上りがそれぞれ緩急接続が行えるほか、河瀬・安土に中線があり普通電車の特急待避や折り返しに使用される。例文帳に追加

Each train going inbound at Notogawa Station and Yasu Station, as well as the ones going outbound at Omi-Hachiman Station, connects to local and limited express trains; accordingly, the inside line at Kawase Station and Azuchi Station are used for local trains waiting for limited express trains, or for shuttle trains.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

静水状態の湖沼や池におけるヘドロ巻き上り抑制設備を併用した水質浄化方法及び装置例文帳に追加

WATER CLARIFICATION METHOD AND DEVICE COMBINED WITH SLUDGE CURLING-UP SUPPRESSING EQUIPMENT IN LAKE AND POND IN LENTIC STATE - 特許庁

確実な参詣の記録として最古のものは16世紀にさかのぼり、伊予国の武将土居清良が戦死した父の菩提を弔うために高野山を経て熊野三山に参詣したとするものである。例文帳に追加

The oldest reliable record of pilgrimage to Kumano dates to the 16th century, according to it, Kiyoyoshi DOI, a samurai of Iyo Province, visited Kumano Sanzan after visiting Mt. Koya to perform a memorial service for his father who had died in a battle.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

結晶状態で又はウェハ状態で１，１００℃に昇温（アニール）してから、５０℃／ｈ以上の速い冷却速度で冷却する。例文帳に追加

The GaAs crystal is subjected to temperature rising (annealing) to 1,100°C in a crystalline state or a wafer state and, thereafter, is cooled at a rapid cooling speed of 50°C/h or more. - 特許庁

山岳モードを選択すれば、目標達成を山登りに例えたアニメーション画像で目標達成状況が表示される。例文帳に追加

When selecting a mountainous mode, a goal achievement status is displayed by an animation image wherein the goal achievement is likened to mountain climbing. - 特許庁

各イオン注入の後には、半導体基板１１を、約２００℃／秒の昇温レートで且つ８５０℃〜１０５０℃程度にまで昇温し、ピーク温度を最大で１０秒間程度保持する急速熱処理を行なう。例文帳に追加

After each ion implantation, quick heat treatment is performed wherein the temperature of the semiconductor substrate 11 is increased up to about 850-1050°C at the temperature-up rate of about 200°C/s, and the peak temperature is kept for 10 seconds at maximum. - 特許庁

登山者ＣはＧＰＳ受信機として機能する移動端末１を携帯して山に登り、所望の地点において自位置の測定を行う。例文帳に追加

A mountain climber climbs a mountain, carrying a portable terminal 1 which functions as a GPS receiver, and measures the own position on a desired spot. - 特許庁