おいのもり３ちょうめの英語

レンズ３を嵌めたフレーム２あるいはレンズ３をブリッジ４で結び、内側に鼻パット５を設け、外側にＬ形金具６及び蝶番７を介したつる９を設けたメガネ１において、つる９の後部に調節を可能とする重り１１を設けた。例文帳に追加

The spectacles 1 formed by connecting frames 2 in which lenses 3 are put or the lenses 3 together by a bridge 4, providing nose pads 5 inside, and providing temples 9 outside through L-shaped metal fittings 6 and hinges 7 are provided with weights 11 for adjustment at back portions of the temples 9. - 特許庁

不揮発性メモリデバイス２０の製造方法において、電荷が蓄積される層３の上部層の上に、ＤｙＳｃＯのシリコン酸化物消費材料の層を成長させる工程を含む。例文帳に追加

A method for manufacturing a non-volatile memory device 20 comprises a step of growing a layer in a silicon oxide consuming material, DyScO, on top of the upper layer of the layer 3 where charge is stored. - 特許庁

本体２と、本体２に回転可能に保持された球３とを備えたポインティングデバイス１において、前記球３が、低比重材料からなり球状の輪郭を有する塊と、高比重材料からなり塊の幾何学的中心と異なる位置に埋められた錘とからなることを特徴とする。例文帳に追加

In a pointing device 1 which is equipped with a main part 2 and a ball 3 held rotatably by the main part 2, the above ball 3 is characterized by consisting of a mass comprising low specific gravity material having a spherical contour, and a weight comprising high specific gravity material and buried in differential position from a geometric center of the mass. - 特許庁

メモリ２に格納された複数のデータの並び替えを行うビットリバースアクセス回路において、ＣＰＵ１から前記メモリに対するアクセスを行う複数のアドレス線に、アドレス線相互を接続替えするアドレスバス切替手段３を設けたことを特徴とするビットリバースアクセス回路。例文帳に追加

In this bit reverse access circuit for rearranging plural data stored in the memory 2, plural address lines for accessing the memory from a CPU 1 are provided with address bus selecting means 3 for reconnecting address lines to one another. - 特許庁

軟弱地盤上への盛土の構築方法において、粒度調整砕石をセメントで安定化処理したセメント改良礫土３にジオテキスタイル４を用いて、曲げ剛性と靱性能を向上させた梁部材５を軟弱地盤１上に敷設し、この梁部材５上に盛土６を構築する。例文帳に追加

In an embankment construction method on a soft ground, beam members 5 of which bending rigidity and toughness performance is improved by using a geotextile 4 applied to cement-improved pebbles 3 produced by stabilizing particle size-adjusted ballast with cement, are disposed on a soft ground 1, then an embankment 6 is constructed on the beam members 5. - 特許庁

絶縁トレンチ１５が、メモリセル１と、隣接する別のメモリセル１６とを取り囲むように配置されており、該メモリセル１と、隣接する別のメモリセル１６との間にドーピングされたアクティブ領域１７が形成されており、トレンチ３の上方領域６において、エピタキシャル成長層１１の上方に、内側開口１３を有する第２の誘電層１２が配置されている。例文帳に追加

An insulation trench 15 is disposed so as to enclose a memory cell 1 and an adjacent memory cell 16, doped active region 17 between the memory cell 1 and the adjacent memory cell 16 is formed, and a second dielectric layer 12 having an inside opening 13 is disposed above an epitaxial grown layer 11 in the upper region 6 of a trench 3. - 特許庁

子機Ｓにおいては、顔検出処理部５の顔検出処理実行中にバッファメモリ２に記憶される画像データに対して画像処理部３が調整処理を行っている。例文帳に追加

In a slave unit S, an image processing part 3 performs adjustment processing on image data stored in buffer memory 2 while a face detection processing part 5 performs face detection processing. - 特許庁

試験時において基準セルトランジスタＴ２ｒのゲート電圧が設定され、試験用基準メモリセル３に流れる基準電流が調節される。例文帳に追加

When testing, a gate voltage of the reference cell transistor T2r is set, and a reference current made to flow through the reference memory cell 3 for testing is adjusted. - 特許庁