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英和・和英辞典で「フェムト秒のレーザー」に一致する見出し語は見つかりませんでしたが、
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「フェムト秒のレーザー」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 63



例文

フェムトファイバーレーザーによる眼科手術処置のための装置例文帳に追加

APPARATUS FOR OPHTHALMOLOGIC SURGICAL PROCEDURE USING FEMTOSECOND FIBER LASER - 特許庁

フェムトレーザー照射による周期微細構造の作成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING CYCLIC MICROSTRUCTURE BY FEMTOSECOND LASER IRRADIATION - 特許庁

フェムトレーザー発生装置、およびこれを用いた基板の切断方法例文帳に追加

FEMTOSECOND LASER BEAM GENERATOR AND SUBSTRATE CUTTING METHOD USING THE SAME - 特許庁

フェムトレーザー照射による分極反転構造の作成方法例文帳に追加

METHOD FOR GENERATING POLARIZATION REVERSAL STRUCTURE BY FEMTOSECOND LASER IRRADIATION - 特許庁

フェムトオーダのレーザー光を集光手段1にて集光する。例文帳に追加

Laser light on the order of femtoseconds is collected by a light collecting means 1. - 特許庁

フェムトレーザーによる被加工物の常温接合方法例文帳に追加

NORMAL TEMPERATURE JOINING METHOD FOR WORKPIECE BY FEMTOSECOND LASER - 特許庁

前記超短パルス光は、フェムトレーザー光であることが好ましい。例文帳に追加

The ultrashort light pulse is preferably femtosecond laserbeam. - 特許庁

好ましくは、超短パルスレーザーのパルス幅は、200フェムト〜3ピコである。例文帳に追加

Preferably, the pulse width of the ultrashort pulse laser is 200 femtosecond to 3 picosecond. - 特許庁

フェムトパルスレーザーからの45度偏光のフェムトパルス1を、偏光ビームスプリッター2で分岐する。例文帳に追加

A polarization beam splitter 2 demultiplexes a 45°-polarized femtosecond pulse 1 from a femtosecond pulse 1. - 特許庁

フェムトパルスレーザーを使用した導体格子振動減衰法による超電導体の製造方法例文帳に追加

SUPERCONDUCTOR MANUFACTURING METHOD APPLYING CONDUCTOR LATTICE VIBRATION DAMPING METHOD USING FEMTOSECOND PULSE LASER - 特許庁

格子振動をする導体原子に対して、フェムトパルスレーザーを照射する第1パルスレーザーと、原子に対して180度反対方向からも上記第1パルスレーザーに対して、同位相のフェムトパルスレーザーを照射する第2パルスレーザーとからなる一対のフェムトパルスレーザーを導体原子に照射し格子振動を減衰させることによる、超電導体の形成方法である。例文帳に追加

A superconductor forming method is constituted by irradiating beams of a pair of femtosecond pulse lasers consisting of a fist pulse laser for irradiating a femtosecond pulse laser beam to conductor atoms of performing lattice vibration and a second pulse laser for irradiating a femtosecond pulse laser beam of the same phase to the first pulse laser beam even from the opposite direction of 180 degree to that of the first laser, to the conductor atoms. - 特許庁

自由電子レーザー装置において、電子ビームからレーザー光への高い引出効率とフェムト領域極短パルスを実現する方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR ACHIEVING HIGH LASER BEAM OUTPUT EFFICIENCY FROM ELECTRON BEAM AND FEMTOSECOND REGION EXTREMELY SHORT-PULSE IN FREE ELECTRON LASER APPARATUS - 特許庁

Ag^+を含有するガラスの内部の所定の位置にパルス幅が約70〜500フェムトフェムトレーザー光パルスを照射位置におけるレーザー光パルスエネルギーが10^9〜10^15W/cm^2程度になるように集光照射する。例文帳に追加

The energy of the laser light pulse at the irradiation spot is made to be about 109-1015 W/cm2. - 特許庁

基板を切断する周辺に熱膨張及び衝撃波が全く発生しないフェムトレーザーを用いて切断することで、消耗費用を減らせるようにしたフェムトレーザーを用いた基板の切断方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for cutting a substrate using a femtosecond laser which generates no thermal expansion nor impulse wave in the periphery of a spot wherein the substrate is cut and thereby reduces wear and tear expenses. - 特許庁

このとき、非増幅パルスレーザー1は、少なくともパルス幅が5フェムト〜500ピコの範囲内であればよい。例文帳に追加

At this time, at least pulse width of the non-amplified pulse laser 1 is preferably within a range of 5 to 50 femtoseconds. - 特許庁

フェムトレーザーなどの超短パルスレーザーや、ピコレーザーやサブピコレーザーなどの短パルスレーザーなどのような各種のパルスレーザーを光源に用いた光加工技術や光記録技術などにおいて、光加工や光記録などを行う際におけるパルスレーザー光の集光スポットの位置制御を高精度で行う。例文帳に追加

To precisely control the position of the condensation spot of pulse laser beams in optical machining, optical recording, or the like in an optical machining technique, an optical recording technique, or the like using each kind of pulse laser, such as an ultra-short pulse laser including a femtosecond laser, and a short pulse laser, such as a picosecond laser and a sub-picosecond laser, for a light source. - 特許庁

その実現には、パルス幅を10フェムト以上50フェムト以下で調整しうるチタンサファイアレーザーをテラヘルツ電磁波の励起光源として利用する。例文帳に追加

A titanium-sapphire laser having the adjustable pulse width from 10 femtoseconds to 50 femtoseconds is utilized for an excitation light source of terahertz electromagnetic waves. - 特許庁

フェムトレーザーの照射によって石英ガラス等のガラス材料の内部に誘起される構造変化をその場でミクロ診断可能とする。例文帳に追加

To implement an on-site microdiagnosis of a structural change induced within a glass material such as quartz glass by irradiating it with femtosecond laser. - 特許庁

固体材料表面に、低フルーエンスの超短パルスレーザーフェムトレーザー)を偏光制御して照射することで、照射したレーザーの波長より小さいサイズの微細構造を形成する。例文帳に追加

A low-fluence ultra-short pulse laser beam (femtosecond laser beam) is applied to the surface of a solid material as it is controlled for polarization, to form a fine structure whose size is smaller than the wavelength of the laser beam applied. - 特許庁

フェムトレーザー光を使用してもそのメリットを生かすことが出来て、高精度の計測が可能な、計測装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a measuring apparatus capable of using a femtosecond laser beam and even exploiting its advantages and performing highly accurate measurement. - 特許庁

フェムトレーザーの増幅にも使用でき、超短パルスの増幅ができる希土類元素添加半導体光増幅器を提供すること。例文帳に追加

To provide a rare earth element-added semiconductor optical amplifier which can be used to amplify a femtosecond laser and which can amplify an ultrashort pulse. - 特許庁

この位相シフタは、例えば、前記基板上からフェムトパルスレーザーを照射しつつ走査することで、形成することができる。例文帳に追加

This phase shifter is formed by, for example, causing a femtosecond pulse laser to scan while irradiating it from above the substrate. - 特許庁

本発明に係るフェムトレーザーを用いた基板の切断方法は、基板100をステージ上に整列する段階、このステージ上に整列された基板の切断する部分にフェムトレーザー201を照射して切断する段階とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

This method for cutting the substrate using the femtosecond laser comprises a step for arranging a substrate 100 on a stage and a step for projecting the femtosecond laser 201 to a portion to be cut of the substrate arranged on the stage and cutting the substrate. - 特許庁

フェムトパルスレーザービームを用いたレーザー加工において、平底溝や多角形状での穴の形成または切断加工及び多点加工などの種々の加工を可能とする。例文帳に追加

To realize various machinings such as a forming of a hole with a flat bottom or a polygonal section, a cutting, and a multi-point machining in a laser machining using a femtosecond pulse laser beam. - 特許庁

ポンプ用の短パルスレーザーの発生タイミングとプローブ用の短パルスレーザーの発生タイミングを数十フェムト以内で同期させる。例文帳に追加

To synchronize the generation timing of a short-pulse laser for a pump and the generation timing of a short-pulse laser for a probe with each other within tens of femtoseconds. - 特許庁

基材表面に成膜された硬質カーボン膜に、低フルーエンスのパルスレーザーフェムトレーザー等)を照射することで、照射部分にガラス状炭素を形成することができる。例文帳に追加

A hard carbon film deposited on the surface of a base material is irradiated with a pulse laser of low fluence (such as a femtosecond laser), thus glassy carbon can be deposited on the irradiated part. - 特許庁

蓄熱層12の発熱抵抗体13に対向する領域には、発熱抵抗体13が形成される面から離間した位置に、フェムトレーザーを用いたレーザー加工によって空洞部26を複数形成する。例文帳に追加

In the region of the heat accumulation layer 12 opposite to the heat element 13, a plurality of hollow portions 26 are formed by laser processing using femtosecond laser at positions away from the surface on which the heat element 13 is formed. - 特許庁

この空間分布パルス列変換装置20により、入射するフェムトレーザーパルス又はピコレーザーパルスのパルスレーザーを、境界線23を跨ぐ反射面22a,22bでの反射により段差間隔に比例する時間差で空間的に分布した複数のパルスレーザー光からなる空間分布パルス列レーザー光3に変換する。例文帳に追加

The spatially distributed pulse train converting device 20 converts pulsed laser light of incident femtosecond laser pulses or picosecond laser pulses into spatially distributed pulse train laser light 3 composed of a plurality of spatially distributed pulse laser lights with time differences proportional to level difference intervals through reflection by the reflecting surfaces 22a, 22b across the boundary line 23. - 特許庁

水晶ブランク1aの表面の所定の領域P_Aに、波長が1064nm以下、であって照射時間が10から1000フェムトの高出力フェムトレーザーを照射して、製品情報を直接水晶ブランク1aの表面に鮮明に印字する。例文帳に追加

Product information is inscribed directly on a surface of a crystal blank 1a with vivid clarity by irradiating a predetermined area P_A of a surface of the crystal blank 1a with high-power femtosecond laser light having a wavelength of 1,064 nm or less for an irradiation time of 10 to 1,000 femtoseconds. - 特許庁

1本のレーザービームを分岐させて被加工物の複数箇所を同時に加工する際に、フェムトパルス等の超短パルスレーザーを用いたレーザー加工においても、被加工物上に複数のほぼ同じ大きさの集光(加工)スポットを得る。例文帳に追加

To obtain plural converging (machining) spots of nearly same size on a workpiece, when plural places of the workpiece are simultaneously machined by branching one laser beam, even in laser machining by using ultra-short pulsed laser such as a femto-second pulse. - 特許庁

サファイヤ板の常温接合方法において、フェムトレーザーを用い、このレーザー光4の波長を調整することによって、レーザー光4が、サファイヤ板5の表面5aを透過しサファイヤ板5の裏面5bで集光する。例文帳に追加

This normal temperature joining method of a sapphire board is provided to adjust the wavelength of a femtosecond laser beam 4 by using a femtosecond laser in order to transmit the laser beam 4 through a surface 5a of the sapphire board 5, and to converge the laser beam 4 on a back face 5b of the sapphire board 5. - 特許庁

ソリトン状態で動作しフェムト又はピコパルスを生成する超短パルスレーザーシステムにおける望ましくない二重又は多重パルス状態の検出方法は、レーザー発光の生成のための増幅用レーザー媒質と、少なくとも一つの共鳴器ミラーを有するレーザー共鳴器と、ポンプソースを備える。例文帳に追加

A detection method of an undesired double or multiple pulse state in an ultrashort pulse laser system which is operated in a soliton regime and generates femtosecond or picosecond pulses, includes a laser medium for amplification which produces laser emission, a laser resonator having at least one resonator mirror, and a pump source. - 特許庁

高圧放電ランプの封止部13に埋設された封止用金属(例えばモリブデン箔)14の表面に、フェムトレーザー発振器から出射されるパルス幅が10^-11 以下のレーザーを照射して表面加工を行う。例文帳に追加

On the surface of the sealing metal (for instance, a molybdenum foil) 14 embedded in a sealing part 13 of the high-pressure discharge lamp, a laser with a pulse width of 10^-11 sec or less radiated from a femtosecond laser oscillator is irradiated to carry out surface treatment. - 特許庁

水素原子を含む分子を捕捉する気体状分子吸着性材料2を内部に有する高真空容器1と、該気体状分子吸着性材料2にフェムトレーザービームを照射可能なように配置したフェムトレーザービーム照射装置4と、を含むことを特徴とする、水素ガス製造装置である。例文帳に追加

There is provided an apparatus for producing gaseous hydrogen, including a high vacuum vessel 1 in which gaseous state molecule adsorptive material 2 catches a molecule containing a hydrogen atom and a femtosecond laser beam irradiating device 4 which is disposed enabling to irradiate the gaseous state molecule adsorptive material 2 with a femtosecond laser beam. - 特許庁

その後、励起された目的分子のみがイオン化可能な強度のフェムトレーザーを照射することにより目的分子のみをイオン化し、飛行時間型質量分析装置で分析を行う。例文帳に追加

Thereafter, only the object molecule is ionized by irradiating a femtosecond laser having ionizable intensity of only the excited object molecule, and analyzed by a time-of-flight mass spectrometer. - 特許庁

第1の導波路型PPLN3と第2の導波路型PPLN4とを、両側からフェムトパルスレーザーからの光でポンプして、波長1550nmの偏光エンタングルド状態にある光子対を発生させる。例文帳に追加

The 1st waveguide type PPLN3 and 2nd waveguide type PPLN4 are pumped from both sides with light from the femtosecond pulse laser to generate a polarization-entangled photon couple of 1,550 nm in wavelength. - 特許庁

被検眼眼底をフェムトパルス赤外レーザー光で照明することにより、1つの波長光源を使用して、眼底上の複数の蛍光剤を個々に照明しそれぞれの蛍光眼底像を得る。例文帳に追加

To irradiate a plurality of fluorescent agents on a fundus oculi using a single wave-length light source and provide the respective fluorescent fundus oculi images by irradiating the examination object fundus oculi by femtosecond pulsed infrared laser beams. - 特許庁

フェムトレーザーパルスの照射に関して装置を機械的に調整することなく、簡便に透明固体内部のボイドを移動させることができる透明固体内部のボイドの移動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a moving method for void inside a transparent solid in which void can be moved easily without adjusting mechanically a device about irradiation of a femto-second laser pulse. - 特許庁

フェムトレーザーを用いて薄膜を蝕刻することによって工程の単純化及び生産性の向上が図られる薄膜蝕刻方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film etching method of etching a thin film using a femtosecond laser, to provide a simplified process and also a process productivity, and to provide a method of fabricating a liquid crystal display device using the same. - 特許庁

本発明の超短パルスレーザーによる材料加工方法においては、絶縁材料1で形成された基板3に対してフェムトレーザー12を照射して、この基板に電子素子5を埋込形成するための凹部13を形成する。例文帳に追加

In the material processing method by an ultrashort pulse laser, a femtosecond laser 12 is irradiated to a substrate 3 formed by an insulating material 1, and the recessed portion 13 is formed for embedding and forming an electronic element 5 on the substrate. - 特許庁

フェムトレーザーを用い、インクが供給される側の反対面であるオリフィスプレートの外面側からレーザ照射し、インクジェット記録ヘッドを形成するようにすること。例文帳に追加

To form an ink jet recording head by irradiating a laser beam from the side opposite to ink supply side, i.e., the outer surface side of an orifice plate, using a femtosecond laser. - 特許庁

低平均強度で高光子密度が得られるフェムトパルス赤外レーザーを使用して、効率の良い光線力学的治療を行うことのできる眼科用治療装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ophthalmological therapy instrument that performs an efficient photodynamic treatment, by using a femtosecond pulse infrared laser providing a high photon density with a low average strength. - 特許庁

そして、半導体基板21におけるゲート電極24以外の領域にパルス幅が10〜1000フェムトの超短パルスレーザー光を照射し、非晶質層26aを形成する。例文帳に追加

Then, a region other than the gate electrode 24 on the semiconductor substrate 21 is irradiated with an ultrashort pulse laser beam whose pulse width is 10-1,000 femtoseconds, and an amorphous layer 26a is formed. - 特許庁

例文

増幅帯域幅が希土類元素のエネルギレベルで決まるため広く、スペクトル帯域幅の広いフェムトレーザー光でも増幅することができる。例文帳に追加

Since an amplifying band width is determined according to the energy level of the rare earth element, the amplifying band width is wide and the optical amplifier can amplify even the femtosecond laser beam having wide spectral band width. - 特許庁

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