「ポジ形フォトレジスト」の英語・英語例文・英語表現

このポジ型フォトレジスト組成物から作られたパターン形成されたフォトレジスト層を基板上に形成し、このポジ型フォトレジスト層を結像用照射パターンで露光し、ポジ型フォトレジスト層のうち結像用照射パターンで露光された部分を除去して、対応するパターン形成された基板を露出させることができ、半導体デバイス製造のその後の処理に備える。例文帳に追加

A pattern formed photoresist layer produced from this positive photoresist composition is formed on a substrate, this positive photoresist layer is exposed with an irradiation pattern for imaging, and parts exposed with the irradiation pattern for imaging in the positive photoresist layer are removed, whereby the corresponding pattern formed substrate can be exposed and is prepared for subsequent processing of semiconductor device production. - 特許庁

基盤上に第１のポジ型のフォトレジスト、露光光源の波長に対し透明な中間層、第２のポジ型のフォトレジストの順に積層されている２層フォトレジストのパターン形成方法について、グルーブの底が安定して平らになり、グルーブの深さの変動がない２層フォトレジストのパターン形成方法を工夫すること。例文帳に追加

To provide a pattern forming method for a two-layer photoresist in which the bottom of a groove is made stably flat and the groove has no variation in depth with respect to a pattern forming method for a two-layer photoresist obtained by laminating a first positive type photoresist, a middle layer which is transparent to the wavelength of a light source for exposure and a second positive type photoresist in order on a substrate. - 特許庁

フォトレジスト膜を形成するための高分子樹脂と、露光によってフォトレジスト膜の溶解度を変化させる感光性化合物と、溶媒として３−メトキシブチルアセテート、２−ヘプタノン、４−ブチロラクトンとを含むポジティブ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

The positive photoresist composition contains a polymer resin for forming a photoresist film, a photosensitive compound which varies the solubility of the photoresist film by exposure and 3-methoxybutyl acetate, 2- heptanone and 4-butyrolactone as solvents. - 特許庁

半導体デバイスの製造において、高感度、高解像力を有し、しかも矩形形状を有するフォトレジストパターンを与えるなどのポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition which gives a photoresist pattern having high sensitivity and high resolution and having a square cross section in the production of a semiconductor device. - 特許庁

半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、しかも矩形形状を有するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition having high resolving power in the production of a semiconductor device, giving a photoresist having a rectangular shape and ensuring low edge roughness of a line pattern. - 特許庁

半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、しかも矩形形状を有するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少ないポジ型フォトレジスト組成物の提供。例文帳に追加

To obtain a positive photoresist composition having high revolving power, giving a rectangular photoresist and ensuring low edge roughness of a line pattern in the production of a semiconductor device. - 特許庁

基板上にポジ型フォトレジスト層、アルカリ処理を行ったフォトレジスト層、光照射により光の透過率が上昇する層をこの順番で有する積層体に光を照射し、露光によってパターンを形成する。例文帳に追加

A laminate having a positive type photoresist layer, a photoresist layer subjected to alkaline treatment and a layer which is increased in light transmittance by photoirradiation in this order on a substrate is irradiated with light and the patterns are formed thereon by exposure. - 特許庁

このフォトレジスト１３２は、ｐ−オフセット領域１２２および拡散領域１２３を形成するために用いたフォトレジストとはポジ−ネガ型が逆である。例文帳に追加

The positive-negative type of the photo-resist 132 is reverse to the photo-resist used for forming a p-offset region 122 and a diffusion region 123. - 特許庁

滴下跡むらや放射状むら（ストリエーション）が発生することがないため、塗布性に優れ、均一なフォトレジスト膜を形成できる、特にＬＣＤやＬＳＩの製造に有用なポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a positive type photoresist composition excellent in coating properties, capable of forming a uniform photoresist film and useful particularly in the production of LCDs and LSIs because the occurrence of marks of dropping and radial unevenness (striation) is prevented. - 特許庁

ポジ型感光性樹脂組成物とポジ型フォトレジストの２層有機膜であり、ポジ型感光性樹脂組成物を支持体上に塗布、乾燥後、更に、その上にポジ型フォトレジストを塗布、乾燥させた後、露光、現像することによりパターンを形成する方法である。例文帳に追加

When a two-layer organic film of a positive type photosensitive resin composition and a positive type photoresist is processed, the positive type photosensitive resin composition is applied and dried on a substrate, the positive type photoresist is further applied and dried and the resulting two-layer organic film is exposed and developed to form a pattern. - 特許庁

基板上のポジ型フォトレジストを全面パターン露光する工程を有するパターン形成方法において、ポジ型フォトレジスト２を基板１上に成膜し、基板全面にパターン露光を行った後、基板外周部におけるフォトレジストを現像液に不溶化させる処理を行い、その後現像を行うパターン形成方法。例文帳に追加

In a pattern formation method having a process for pattern exposing the whole face of a positive photoresist on a substrate, a positive photoresist 2 is formed on a substrate 1, and pattern exposure is carried out to the whole face of the substrate, and the photoresist at the outer peripheral part of the substrate is insolubilized in developer, and development is carried out. - 特許庁

Ｓｉ基板１の表面に形成された酸化膜２上に、ポジ型フォトレジストによってレジスト層３を形成する。例文帳に追加

A positive photoresist layer 3 is formed on an oxide film 2 formed on the surface of an Si substrate 1. - 特許庁

ポジ型フォトレジストを用い、近接露光で露光を行っても、微細な配向制御用突起が形成できるフォトマスクを提供する。例文帳に追加

To provide a photomask with which fine projections for controlling alignment can be formed even when exposure is performed by proximity exposure using a positive-type photoresist. - 特許庁

金属薄膜のパターン形成に用いるポジタイプのフォトレジストを、シンナーを用いる事無くその不要領域を安全且つ低コストで除去する。例文帳に追加

To safely and inexpensively remove an unwanted region of a positive photoresist used for the pattern-forming of a metallic thin film without using thinner. - 特許庁

透明基板２の上面に所定パターンの遮光膜３を形成し、透明基板２の遮光膜３上にポジ型フォトレジスト７を塗布する。例文帳に追加

A light shielding film 3 having a prescribed pattern is formed on a transparent substrate 2 and a positive photoresist 7 is coated on the light shielding film 3 of the transparent substrate 2. - 特許庁

続いて、硬化ポジ型フォトレジスト５の上にＡｌ膜６を形成し（図１（ｃ））、Ａｌ膜６をパターニングする（図１（ｄ）、（ｅ））。例文帳に追加

Successively, an aluminum film 6 is formed on the hardening positive type photoresist 5 (Fig.c) to pattern the aluminum film 6 (Fig.d, Fig.e). - 特許庁

これにより、緻密でアルカリ性現像液の浸透を抑制できる硬化ポジ型フォトレジスト５を形成する。例文帳に追加

Thereby, a hardening positive type photoresist 5 which is precise and can suppress a penetration of alkaline developer is formed. - 特許庁

透明膜８の上部に、ポジ型フォトレジストをスピンコーティング法によりレジスト膜１１を形成する。例文帳に追加

A resist film 11 is formed on an upper portion of a transparent film 8 as a positive type photoresist with a spin coating method. - 特許庁

像形成用フォトレジスト層の層厚が小さくても光効率が良く、パターンエッジラフネスが低減できる近接場露光用のポジ型フォトレジストおよびこれを用いて形成した像形成用フォトレジスト層を近接場露光により露光する工程を含むことを特徴とする、光リソグラフィ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photoresist for near-field exposure having good light efficiency and capable of reducing pattern edge roughness even in the case of a small thickness of an image forming photoresist layer and to provide a photolithography method characterized in including a step for exposing an image forming photoresist layer formed using the photoresist by near-field exposure. - 特許庁

解像性が良好で、メッキ時のクラックの発生が抑制されたレジストパターンが形成でき、メッキパターンのパターン太りを改善できるポジ型フォトレジスト組成物、及び該ポジ型フォトレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition with which a resist pattern having favorable resolution and suppressed cracks during plating can be formed and pattern thickening of the plating pattern can be improved, and to provide a method for forming a resist pattern by using the positive photoresist composition. - 特許庁

レーザー光の露光により所定パターンの潜像が形成されたポジ型フォトレジスト層の表面を低濃度のアルカリ現像液で処理することにより、フォトレジスト層の表面を難溶化した後、さらにアルカリ現像液で現像してパターン形成を行う。例文帳に追加

This method for manufacturing the stamper comprises a step of making the surface of a positive photoresist layer insolubilize, on which a latent image having the prescribed pattern is formed by exposing it to a laser beam, by treating it with a low-concentration alkaline developer and a step to furthermore develop the latent image by using the alkaline developer to form the prescribed pattern. - 特許庁

半導体デバイスの製造において、経時での感度変動が少なく、また、疎密依存性が改善されたポジ型フォトレジスト組成物、コンタクトホールパターン形成において、十分な感度及び解像力を有し、また、レジスト液中のパーティクルの発生が少ないポジ型フォトレジスト組成物、レジストパターンのエッジラフネスが改善され、また、保存安定性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive type photoresist composition less liable to a sensitivity change with the lapse of time in the production of a semiconductor device and having improved density dependency, a positive type photoresist composition having satisfactory sensitivity and resolving power in the formation of a contact hole pattern and less liable to generate particles in a resist solution and a positive type photoresist composition ensuring improved edge roughness of a resist pattern and excellent in shelf stability. - 特許庁

半導体デバイスの製造において高感度且つ0.15μｍ以下の高解像力を有し、矩形形状を有するレジストパターンを与えるポジ型フォトレジスト組成物、２層レジスト法において酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition which gives a resist pattern having high sensitivity and high resolution as ≤0.15 μm and having a square cross section in the production of a semiconductor device and to provide a positive photoresist composition showing small dimensional shift when a pattern is transferred to a lower layer in an oxygen plasma etching process of a two-layer resist method. - 特許庁

半導体デバイスの製造にて矩形形状のパターンを形成するフォトレジストを与えるポジ型レジスト組成物を提供し、またラインパターンのエッジラフネスが少ないポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a positive type resist composition giving a photoresist which forms a rectangular pattern in the production of a semiconductor device and to obtain a positive type resist composition which ensures low edge roughness of a line pattern. - 特許庁

ポジティブ型感光性樹脂組成物、ポジティブ型感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法、パターン形成方法によって得られるフォトレジストパターンを有する半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photosensitive resin composition, a method of forming a pattern using the positive photosensitive resin composition, and a semiconductor device having a photoresist pattern obtained by the method of forming a pattern. - 特許庁

ＴＦＴアクティブマトリクス基板の製造など、フォトレジストパターンに高耐熱性が要求されるプロセスにおいて、ポジ型感光性組成物を用いて良好な超高耐熱ポジ型パターンを形成する。例文帳に追加

To provide a method for forming an ultrahigh heat-resistant positive pattern by using a positive photosensitive composition in the process which requires high heat resistance of a photoresist pattern such as manufacturing of a TFT active matrix substrate. - 特許庁

ネガ型レジスト膜１８と遮光フォトレジスト膜１６との未感光部分を除去したのち、ｇ線３８による全面露光によりポジ型フォトレジスト膜１４を感光させて所定のパターンを有するレジストパターン４２を形成し、レジストパターン４２を用いて絶縁層１２に接続孔４４を形成する。例文帳に追加

After a non-sensitized part of the negative photoresist film 18 and light blocking photoresist film 16 is removed, a positive photoresist film 14 is sensitized by whole surface exposure with g-rays 38 for forming a resist pattern 42 having a prescribed pattern, and a connection hole 44 is formed in an insulation layer 12 by the use of the resist pattern 42. - 特許庁

高感度であり、０．２μｍ以下の高解像力を有し、矩形形状を有するフォトレジストを与え、しかも二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power of ≤0.2 μm, giving a photoresist of a rectangular shape and less liable to cause a dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step when the composition is used as the upper layer resist of a two-layer resist system. - 特許庁

半導体デバイスの製造において、高感度で0.2μｍ以下の高解像力を有し、かつ矩形形状のフォトレジストを与え、また二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を得る。例文帳に追加

To obtain a positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power of ≤0.2 μm in the production of a semiconductor device, giving a photoresist of a rectangular shape and less liable to cause a dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step when the composition is used as the upper layer resist of a two- layer resist system. - 特許庁

半導体デバイス製作における像形成のための、光像形成、およびフォトレジスト（ポジ型および／またはネガ型）の使用において、レジストのベース樹脂として有用であり、その他多くの用途のベース樹脂としても可能性のある、新規なヒドロキシエステル含有ポリマー組成物を提供すること、ならびに１９３および１５７ｎｍでの性能が改良されたフォトレジストを提供すること。例文帳に追加

To provide a new hydroxyl ester-containing polymer composition which is useful as a base resin of a resist for photoimaging to form an image in the manufacture of a semiconductor device and for the use of a photoresist (positive-working and/or negative-working) and which has a potential as a base resin for various purposes, and to provide a photoresist having improved performance at 193 nm and 157 nm. - 特許庁