ガラス基板の上に半導体装置を作製する方法であって、前記ガラス基板は、該ガラス基板の歪み点以上の温度で加熱した後、前記歪み点以下の温度まで２℃／分以下の速度で冷却して形成されたガラス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。例文帳に追加

In this method for manufacturing the semiconductor device on a glass substrate, the glass substrate is heated at a temperature that is equal to or more than the distortion point of the glass substrate, and then is cooled to a temperature that is equal or less than the distortion point at a speed of 2°C/min or less for formation. - 特許庁

圧電膜８の成膜中または成膜後に、ガラス振動板６の歪み点より低い結晶化温度で圧電膜８を結晶化させることで、加熱処理中のガラス振動板６の変形を防ぐ。例文帳に追加

During or after the formation of the piezoelectric film 8, the deformation of the glass diaphragm 6 is prevented during heat treatment by crystallizing the piezoelectric film 8 at a crystallization temperature not higher than the strain point of the glass diaphragm 6. - 特許庁

熱交換器用ヘッダタンクにおいて、ロウ付け加熱処理の際における昇温または冷却時に分流管に歪みが生じることを防止するとともに、部品点数や加工費を削減する。例文帳に追加

To prevent distortion in a diversion pipe during temperature rising or cooling when carrying out brazing heat treatment, and to reduce the number of components and machining costs, in a header tank for a heat exchanger. - 特許庁

接合界面の永久圧縮歪みが４％以上となるように圧縮するのが良いし、接合に際して、接合界面をろう材の融点よりも低い温度に加熱するのが良い。例文帳に追加

Desirably, compression is carried out so that permanent compressive distortion in the joint interface becomes 4% or more, and in connecting, it is recommend that the joint interface be heated at a temperature lower than the melting point of the brazing filler material. - 特許庁

プラスチックレンズを製造する工程において、該プラスチックレンズのガラス転移点以上の温度で加熱処理しても、変形や歪みが発生しないプラスチックレンズの製造方法。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a plastic lens which is free from the generation of deformation or distortion, even when the plastic lens is thermally treated at a temperature above its glass transition point, in a process to manufacture the plastic lens. - 特許庁

歪み点以上軟化点以下に加熱したガラス物品の表面を冷却しつつ、ミリ波帯の電磁波を照射して前記ガラス物品を発熱させながら熱強化することを特徴とする熱強化ガラス物品の製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the thermally tempered glass article comprises irradiating the surface of the glass article heated to its straining point or above and its softening point or below with electromagnetic waves of milliwave bands under heat generation while cooling the surface of the glass article, thereby thermally tempering the glass article. - 特許庁

しかも、厚膜誘電体材料から成る隔壁を基板上に塗布形成するための加熱処理がその基板に施されないことから、高価な高歪点ガラス等を用いなくとも基板に歪みが生じ難いため、隔壁の製造コストが低くなる利点もある。例文帳に追加

Further, since the heating treatment for coating and forming on the substrate the partition walls made of a thick dielectric material is not applied on the substrate, there hardly appears distortion on the substrate even if an expensive high-stain point glass or the like is not used, and thus manufacturing cost of the partition wall becomes low, which is another benefit. - 特許庁

ガラス物品をその歪み点以上軟化点以下に加熱しうる加熱炉、前記ガラス物品を搬送する搬送機構、および前記ガラス物品を強制的に冷却しうる冷却機構を含む熱強化ガラス物品の製造装置において、前記ガラス物品を発熱させうるミリ波帯の電磁波を照射する発振機構を備えることを特徴とする熱強化ガラス物品の製造装置である。例文帳に追加

The apparatus for manufacturing the thermally tempered glass article including a heating furnace capable of heating the glass article to its straining point or above and its softening point or below, a conveyance mechanism for conveying the glass article and a cooling mechanism capable of forcibly cooling the glass article is provided with an oscillation mechanism for irradiating the glass article with the electromagnetic waves of the milliwave bands capable of causing the glass article to generate heat. - 特許庁

得られた重ね合わせ体を合成樹脂またはゴムの流動開始温度以上でかつ芯材6の熱変形温度および延伸シート4の融点以下に加熱すると同時にもしくはその後、芯材6に圧縮歪み０．０１〜１０％が加わるように重ね合わせ体を加圧する。例文帳に追加

The obtained superposed body is heated to a temperature higher than the flow starting temperature of the synthetic resin or rubber but lower than the thermal deformation temperature of the core material and the melting point of the stretched sheet 4 and pressed so as to apply a compression strain of 0.01-10% to the core material 6 simultaneously with heating or after heating. - 特許庁

その後、半導体基板と支持基板とを酸化シリコン膜を挟んで重ね合わせた状態で支持基板の歪み点以下の温度で加熱処理を行って、分離層で半導体基板の一部を分離させることにより、支持基板上に単結晶半導体層を設ける。例文帳に追加

Then, heat treatment is performed at a temperature not more than the strain point of the support substrate while the semiconductor substrate and the support substrate are overlapped, sandwiching a silicon oxide film, and the semiconductor substrate is partially separated in the separation layer, thus providing a single-crystal semiconductor layer on the support substrate. - 特許庁

加熱用ヒータに流す電流を均一にする際に、交流電流が正方向に流れる正の半波と、交流電流が逆方向に流れる負の半波が均一にすることにより、交流電流に対して直流成分が生じたり、制御回路とヒータを接続しているコネクタの接点に一定方向の電流が流れたり、電流波形の歪みが大きくなることを軽減することを目的としている。例文帳に追加

To alleviate production of DC component to AC, flowing of current of a fixed direction to the contact point of a connector connecting a control circuit and a heater and distortion of a current wave form becoming large, by equalizing positive half wave which is AC flowing in the positive direction and negative half wave which is AC flowing in the reverse direction when the current flowing to a heater for heating is equalized. - 特許庁

質量％でＣ：０．００１〜０．２０％、Ｓｉ：０．００１〜２％、Ｍｎ：０．００１〜２．５％を含有し、残部がＦｅ及び不可避的不純物からなり、下記数式（Ａ）で定義されるＰｃｍが０．２６％以下である組成の鋼を鋳造した鋼素材を、冷却することなくそのまま圧延するか又は一旦室温まで冷却した後で９５０〜１２５０℃に再加熱して圧延し、Ａｒ３点以上の温度で圧延を終了して圧延鋼材とし、この圧延鋼材をＡｒ３点以上の温度から室温以上６５０℃以下の範囲まで冷却速度１℃／ｓｅｃ以上で強制冷却した後、室温以上２００℃未満の温度で板厚方向の平均相当塑性歪みで０．１％以上の加工を行い、引張強さが５７０Ｎ／ｍｍ^２以上の高張力鋼材とする。例文帳に追加

A steel raw material obtained by casting the steel having the composition containing, by mass, 0.001-0.20% - 特許庁