一つの実施形態の電力増幅器には、半導体層に形成され、少なくとも１つ以上から構成され、電力増幅動作する第１のグロースリングゲート構造体と、半導体層に形成され、第１のグロースリングゲート構造体を取り囲むように隣接配置され、第１の構造体が電力増幅動作するときに、逆バイアスが印加されて空乏化領域が形成され、第１の構造体を周囲からアイソレートする複数の第２のグロースリングゲート構造体とが設けられる。例文帳に追加

A power amplifier of one embodiment comprises: at least one or more first growth ring gate structure formed in a semiconductor layer to perform power amplification operation; multiple second growth ring gate structures formed in the semiconductor layer to be adjacently positioned to surround the first growth ring gate structure in order to isolate the first structure from the surroundings by forming a depletion region by applying reverse bias when the first structure performs power amplification operation. - 特許庁

共通ゲート増幅器を差動構造で具現した共通ゲート差動増幅器の両側ボディーをそれぞれ反対位相側のソースに交差カップリングし、ボディー効果によるトランスコンダクタンスを増加させて利得を向上できるとともに、降伏電圧が低くなるという短所を緩和できるボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器を提供する。例文帳に追加

To provide a differential amplifier using body-source cross coupling whose gain can be improved by cross-coupling both sides bodies of a common gate differential amplifier, in which a common gate amplifier is implemented in a differential structure, with the source of opposite phase side to cause transconductance to increase due to body effect and in which the weakness where the breakdown voltage becomes low can be reduced. - 特許庁

本発明は、ＦＥＴを発振用増幅器とした圧電発振器であり、ＦＥＴのゲート・ソース間電位を制御する為のＡＧＣ回路がダイオードから成る整流回路を備えた単純構造であることを特徴とする。例文帳に追加

A piezoelectric oscillator 2 uses an FET as an amplifier for oscillation, and has a simple structure having a rectifying circuit, where an AGC circuit for controlling the potential between the gate/source of the FET comprises a diode. - 特許庁

例文

高周波電力増幅回路の少なくとも初段の増幅用素子に２つの制御端子を有するデュアルゲート構造のトランジスタまたは直列形態のトランジスタを使用し、上側のトランジスタ（Ｑ２）にカレントミラー回路でこのトランジスタを飽和領域で動作させるような電流を流すようにバイアスを与える。例文帳に追加

A transistor of a dual gate structure with two control terminals or a series connection of transistors is employed for at least a first stage amplifier element of the high frequency power amplifier circuit and a current mirror circuit provides a bias to an upper side transistor (Q2) through which a current flows in a manner of causing an operation in its saturation region. - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「増幅ゲート構造」の英訳

増幅ゲート構造

amplifying gate structure

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「増幅ゲート構造」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12件

例文

電荷蓄積期間において転送ゲート下のチャネル領域の半導体表面を不活性化できて、複雑な構造や負電源等を必要とせず、かつ、非常なる低ノイズ化を実現できて、高画質の画像を得ることができる増幅型固体撮像装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an amplification type solid-state imaging device whereby a very low noise state can be realized and an image with high image quality can be obtained by permitting deactivation of a semiconductor surface of a channel region under a transfer gate for an electric charge storage period without the need for a complicated structure and a negative power supply or the like. - 特許庁

ソース、ゲート、ドレインを有する第１出力駆動トランジスタと、ソース、ゲート、ドレインを有する第２出力駆動トランジスタと、第１出力駆動トランジスタのドレインは第２出力駆動トランジスタのドレインに結合されていることと、第１、第２出力駆動トランジスタに結合されている第１高スイングカスコード構造と、第１、第２出力駆動トランジスタに結合されている第２高スイングカスコード構造と、第１、第２高スイングカスコード構造は第１、第２出力駆動トランジスタをその閾値下の動作領域までバイアスすることと、からなるＡＢ級増幅器出力段。例文帳に追加

The architecture of the output stable makes it particularly suitable for use in operational amplifiers in power demanding applications, such as portable instruments, smoke detectors, sensors, or the like. - 特許庁

本発明の赤外線センサは、無感度画素行を選択しながらカラムアンプ７における増幅トランジスタ７５のゲート電圧をクランプし、かつ各行に設けられた光学的無感度画素列から得られる自己加熱情報を、カラムバッファ９に供給し、カラムバッファ９からカラムアンプ７のソース電圧に自己過熱情報を与える構造を有する。例文帳に追加

An infrared sensor of the present invention clamps a gate voltage of an amplifying transistor 75 in a column amplifier 7 while a non-sensitive pixel row is selected, supplies self heating information obtained from an optical non-sensitive pixel column provided to each row to a column buffer 9, and provides the self heating information to a source voltage of the column amplifier 7 from the column buffer 9. - 特許庁

ＦＥＴのゲート電極、ドレイン電極の幅方向での中央部とエッジ部の位相差を大幅に低減し、ＦＥＴ１部の最大有能電力利得および電力付加効率を向上させることが可能となり、高周波電力増幅器の小形化、低価格化が可能となる半導体の入出力構造を提供すること。例文帳に追加

To provide an input/output structure of a semiconductor by which a high frequency power amplifier can be made small-sized and low-priced by making it possible to greatly reduce phase differences between width-directional center parts and edge parts of the gate electrode and drain electrode of an FET and improve the maximum capable power gain and power addition efficiency of a part of the FET. - 特許庁

例文

電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。例文帳に追加

The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer. - 特許庁