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金属半導体接合の英語
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英訳・英語 Metal–semiconductor junction
「金属半導体接合」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 451件
金属−半導体接合構造の低抵抗化を図る。例文帳に追加
To reduce the resistance of a metal-semiconductor junction structure. - 特許庁
ボンディング用の金属材料、金属接合構造、及び半導体装置例文帳に追加
METAL MATERIAL FOR BONDING, METAL JUNCTION STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
半導体装置の金属配線と半導体層との接合部の接触抵抗を低減させる。例文帳に追加
To reduce the contact resistance of a bonding portion between metal wiring and a semiconductor layer of a semiconductor device. - 特許庁
第２半導体層は、金属部とショットキー接合している。例文帳に追加
The second semiconductor layer is Schottky coupled to the metal portion. - 特許庁
半導体素子を金属層によって基板に接合したモジュール例文帳に追加
MODULE FORMED BY BONDING SEMICONDUCTOR DEVICE TO SUBSTRATE BY METAL LAYER - 特許庁
金属超微粒子使用接合材及びそれを用いた半導体装置例文帳に追加
METALLIC ULTRA-FINE PARTICLE USING BONDING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME - 特許庁
半導体素子、特にショットキーダイオードのような金属対半導体整流接合を組み込む半導体素子を提供する。例文帳に追加
To provide semiconductor devices, and particularly, semiconductor devices which incorporate a metal-semiconductor rectifying junction, such as Schottky diodes. - 特許庁
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金属半導体接合
「金属半導体接合」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 451件
半導体装置は、半導体ベース基板１０の表面に絶縁層２５及び金属層３０等を介して半導体素子４０が接合されている。例文帳に追加
A semiconductor device 40 is bonded on the surface of a semiconductor base substrate 10 by means of an insulating layer 25 and a metallic layer 30 or the like. - 特許庁
（ｄ）半導体膜上及び／または支持体上に金属層を形成し、金属層を介して半導体膜と支持体とを接合する。例文帳に追加
(D) A metal layer is formed on the semiconductor film and/or the support to join the semiconductor film with the support via the metal layer. - 特許庁
このため、半導体層と金属膜の接触による金属・半導体接合が形成されることはなく、金属・半導体接合に基づくリーク電流の増大による太陽電池の特性低下を抑止できる。例文帳に追加
Thereby, the metal-semiconductor junction is not formed by contact of the semiconductor film with the metal film, and deterioration of solar battery characteristics which is caused by increase of a leakage current based on the metal-semiconductor junction can be suppressed. - 特許庁
炭化珪素半導体装置、炭化珪素半導体装置の製造方法、炭化珪素半導体装置中の遷移金属シリサイドと金属膜との接合体及び炭化珪素半導体装置中の遷移金属シリサイドと金属膜との接合体の製造方法例文帳に追加
SILICON CARDIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, JUNCTION BETWEEN TRANSITION METAL SILICIDE AND METAL FILM THEREIN, AND METHOD OF MANUFACTURING JUNCTION BETWEEN TRANSITION METAL SILICIDE AND METAL FILM THEREIN - 特許庁
支持基板１９が、接合金属層１８を介して半導体層１１に接合されている。例文帳に追加
A supporting substrate 19 is joined to the semiconductor layer 11 via the junction metal layer 18. - 特許庁
この金属層１０２の上に半導体薄膜３０４−３０８を接合してなる半導体複合装置であり、半導体薄膜と金属層１０２との間に金属層の酸化物を含む領域を有する構造とする。例文帳に追加
The semiconductor composite device having the semiconductor thin films 304-308 joined on the metal layer 102 is in a structure with a region which includes an oxide of the metal layer between the semiconductor thin films and the metal layer 102. - 特許庁
この窒化ガリウム系半導体層の半極性面に電極が接合を成すので、金属／半導体接合は良好なオーミック特性を示す。例文帳に追加
Since the electrode forms the junction on the semipolar plane of the gallium nitride-based semiconductor layer, a metal/semiconductor junction exhibits good ohmic characteristics. - 特許庁
金属ナノインクを用いて半導体ダイと基板の電極同士を接合する半導体装置の組立において、接合部の信頼性を向上させる例文帳に追加
To improve reliability of a bonding portion in assembling a semiconductor device by bonding a semiconductor die to electrodes of a substrate by using a metal nano-ink. - 特許庁
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