「金属半導体接合」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

金属超微粒子使用接合材及びそれを用いた半導体装置例文帳に追加

METALLIC ULTRA-FINE PARTICLE USING BONDING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME - 特許庁

半導体素子、特にショットキーダイオードのような金属対半導体整流接合を組み込む半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide semiconductor devices, and particularly, semiconductor devices which incorporate a metal-semiconductor rectifying junction, such as Schottky diodes. - 特許庁

半導体装置は、半導体ベース基板１０の表面に絶縁層２５及び金属層３０等を介して半導体素子４０が接合されている。例文帳に追加

A semiconductor device 40 is bonded on the surface of a semiconductor base substrate 10 by means of an insulating layer 25 and a metallic layer 30 or the like. - 特許庁

（ｄ）半導体膜上及び／または支持体上に金属層を形成し、金属層を介して半導体膜と支持体とを接合する。例文帳に追加

(D) A metal layer is formed on the semiconductor film and/or the support to join the semiconductor film with the support via the metal layer. - 特許庁

このため、半導体層と金属膜の接触による金属・半導体接合が形成されることはなく、金属・半導体接合に基づくリーク電流の増大による太陽電池の特性低下を抑止できる。例文帳に追加

Thereby, the metal-semiconductor junction is not formed by contact of the semiconductor film with the metal film, and deterioration of solar battery characteristics which is caused by increase of a leakage current based on the metal-semiconductor junction can be suppressed. - 特許庁

炭化珪素半導体装置、炭化珪素半導体装置の製造方法、炭化珪素半導体装置中の遷移金属シリサイドと金属膜との接合体及び炭化珪素半導体装置中の遷移金属シリサイドと金属膜との接合体の製造方法例文帳に追加

SILICON CARDIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, JUNCTION BETWEEN TRANSITION METAL SILICIDE AND METAL FILM THEREIN, AND METHOD OF MANUFACTURING JUNCTION BETWEEN TRANSITION METAL SILICIDE AND METAL FILM THEREIN - 特許庁

支持基板１９が、接合金属層１８を介して半導体層１１に接合されている。例文帳に追加

A supporting substrate 19 is joined to the semiconductor layer 11 via the junction metal layer 18. - 特許庁

この金属層１０２の上に半導体薄膜３０４−３０８を接合してなる半導体複合装置であり、半導体薄膜と金属層１０２との間に金属層の酸化物を含む領域を有する構造とする。例文帳に追加

The semiconductor composite device having the semiconductor thin films 304-308 joined on the metal layer 102 is in a structure with a region which includes an oxide of the metal layer between the semiconductor thin films and the metal layer 102. - 特許庁

この窒化ガリウム系半導体層の半極性面に電極が接合を成すので、金属／半導体接合は良好なオーミック特性を示す。例文帳に追加

Since the electrode forms the junction on the semipolar plane of the gallium nitride-based semiconductor layer, a metal/semiconductor junction exhibits good ohmic characteristics. - 特許庁

金属ナノインクを用いて半導体ダイと基板の電極同士を接合する半導体装置の組立において、接合部の信頼性を向上させる例文帳に追加

To improve reliability of a bonding portion in assembling a semiconductor device by bonding a semiconductor die to electrodes of a substrate by using a metal nano-ink. - 特許庁

金属ナノインクを用いて半導体ダイと基板を接合した半導体装置において、接合部の信頼性を向上させる。例文帳に追加

To improve reliability of a bonding portion in a semiconductor device in which a semiconductor die is bonded to a substrate using a metal nano-ink. - 特許庁

半導体装置１０において、金属回路には半導体素子１２が接合されるとともに金属板１６に半導体素子１２の冷却を行うヒートシンク１３が応力緩和部材２０を介して熱的に接合されている。例文帳に追加

In the semiconductor device 10, the semiconductor element 12 is fixed to the metal circuit, and a heat sink 13 for cooling the semiconductor element 12 is thermally fixed to the metal plate 16 through a stress reducing member 20. - 特許庁

パワー半導体素子２の表面電極と電極用の金属板３は、金属ワイヤ８により金属接合される。例文帳に追加

A surface electrode of the power semiconductor element 2 and a metal plate 3 for an electrode are connected through metal junction with a metal wire 8. - 特許庁

金属電極板１０、２０に半導体チップ３ａ、３ｂを接合し、金属電極板２０の上方に金属電極板３０が配される。例文帳に追加

The semiconductor chips 3a and 3b are bonded to the metal electrode plates 10 and 20, and the metal electrode plate 30 is arranged at the upper section of the metal electrode plate 20. - 特許庁

光源となる半導体チップを、金属接合材を用いて強固に接合することができ、かつ、搭載された半導体チップで発生する熱を、金属板を通して効率よく放散させることが可能な、金属基板を提供する。例文帳に追加

To provide a metal substrate for achieving secure joining of a semiconductor chip as a light source device using a metal joining material and also effectively radiating heat generated by the mounted semiconductor chip through a metal plate. - 特許庁

このゲート電極７は、前述の半導体層３と反応すると共に、導電性半導体層３とショットキー接合をする金属が用いられる。例文帳に追加

For this gate electrodes 7, metal is used which reacts on the semiconductor layer 3 and has Schottky junction with the conductive semiconductor layer 3. - 特許庁

半導体チップを接合した金属電極板を重ねて構成した半導体モジュールにおいて、底面が上に凸となることを防止する。例文帳に追加

To prevent a bottom from becoming convex upward in a semiconductor module formed by stacking metallic electrode plates where semiconductor chips are joined. - 特許庁

小型で、しかも、金属接合部の劣化を精度良く検知できる半導体素子を用いたパワー半導体モジュールを提供することにある。例文帳に追加

To provide a power semiconductor module using a semiconductor element adapted to be small-sized and precisely detecting deterioration of a metal junction. - 特許庁

これにより、半導体素子５０の接合不良が発生するのを防止し、放熱用金属板２０に半導体素子５０を強固に固定することができる。例文帳に追加

Consequently, incomplete bonding of the semiconductor element 50 is prevented and the semiconductor element 50 can be secured rigidly to the metal plate 20 for heat dissipation. - 特許庁

本発明は、接合金属層の腐食を抑制可能な半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting element and a semiconductor light emitting device capable of suppressing corrosion of a bonding metal layer. - 特許庁

本発明はゲート電極を有する金属半導体接合型電界トランジスタのような半導体装置の製造方法にかかるものである。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which equalizes the lengths of the overhang parts of a T-type gate electrode to each other. - 特許庁

金属板と半導体素子との接合がはがれにくい半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which junction between a metal plate and a semiconductor element is hardly peeled, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

金属ワイヤと半導体素子間の接合長寿命化と絶縁基板の絶縁耐量を向上したパワー半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a power semiconductor device wherein the life of a joint between a metal wire and a semiconductor element is extended and the insulating resistance of an insulating substrate is improved. - 特許庁

半導体装置は、半導体素子１１と、半導体素子が電気的に接続された回路基板１２と、半導体素子に接合された金属製のヒートスプレッダ３０とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a semiconductor element 11, a circuit board 12 to which the semiconductor device is electrically connected, and a metal heat spreader 30 joined to the semiconductor element. - 特許庁

半導体装置は、半導体チップ１２と、半導体チップ１２が接合されたベース部材１１と、半導体チップ１２とベース部材との間に形成された金属多層膜１３とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device has a semiconductor chip 12, a base member 11 to which the semiconductor chip 12 is joined, and a metal multilayered film 13 formed between the semiconductor chip 12 and base member. - 特許庁

半導体ベース基板上に金属層で接合された半導体素子が半導体ベース基板から分離し難く、しかも冷媒の流通部材から冷媒が漏れることが防止された半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device wherein a semiconductor device that is bonded on a semiconductor base substrate by a metallic layer is hard to be separated from the semiconductor base substrate, and a refrigerant is prevented from leaking from the distribution member thereof. - 特許庁

接続部材６は、下地金属４Ｂを介して半導体チップ２と接合し、金属パターン５Ｂを介してプリント配線基板１と接合する。例文帳に追加

The connection member 6 is bonded to the semiconductor chip 2 via an underlying metal 4B, while it is bonded to a printed wiring board 1 via a metal pattern 5B. - 特許庁

第１の半導体基板に形成された金属突起と第２の半導体基板に形成された金属突起とを、良好に接合できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, wherein metal protrusions formed on a first semiconductor substrate and metal protrusions formed on a second semiconductor substrate are satisfactorily joined. - 特許庁

半導体基板の裏面に積層される金属層の厚みを薄くしても、電極フレームに金属層を接合したデバイスの半導体基板に割れが発生することを防止できる半導体デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that can prevent a semiconductor substrate of a device having a metal layer bonded to an electrode frame from cracking even when the metal layer to be stacked on the reverse surface of the semiconductor substrate is made thin. - 特許庁

ｎ-半導体領域５とソース金属層４とはショットキー接合されている。例文帳に追加

The n^- semiconductor area 5 and the source metallic layer 4 are Schottky-joined with each other. - 特許庁

半導体装置、金属接合材料、半田付け方法及び電子機器の製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, METAL BONDING MATERIAL, SOLDERING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

上面電極と金属ワイヤとの接合が剥離するのを防ぐことができる半導体装置を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which prevents the breakage of bonding between an upper surface electrode and a metal wire. - 特許庁

半導体ウェハー支持部材１０の接合面１０ｂに第一の金属膜１Ａを形成する。例文帳に追加

A first metal film 1A is formed on the joined surface 10b of the semiconductor supporting member 10. - 特許庁

パワー半導体２の上下に金属ベース基板７ａ，７ｃを接合し、樹脂５を封止する。例文帳に追加

Metallic base substrates 7a, 7c are joined on top and bottom of the power semiconductor 2 and is sealed with a resin 5. - 特許庁

金属半導体接合を用いた電界効果トランジスタの新規な構造を提供する。例文帳に追加

To provide a novel structure of a field effect transistor including metal-semiconductor junction. - 特許庁

パワー半導体モジュール１に、パワー半導体素子２と、電極を形成する金属板３と、融点が該パワー半導体素子の素子動作許容温度よりも低く、該パワー半導体素子と該金属板とを導通可能に接合する接合部材４と、を具備した。例文帳に追加

The power semiconductor module 1 is provided with the power semiconductor element 2; the metallic plate 3 for forming an electrode; and the joining member 4 whose melting point is lower than the element operation permissible temperature of the power semiconductor element, and which conductively joins the power semiconductor element with the metallic plate. - 特許庁

金属箔接合絶縁基板に接合された厚金属ブロックにはんだ接合される半導体チップとプリント基板との接続を導電性ポストで行う構造の半導体装置において、はんだリフローの回数を低減する。例文帳に追加

To reduce the number of times of solder reflow in a semiconductor device which is so constructed that a semiconductor chip to be solder bonded to a thick metal block bonded to a metal foil-bonded insulating substrate and a printed board are connected by conductive posts. - 特許庁

本発明は、半導体素子と、金属粒子を接合の主剤とする接合材との接合部の接合性を向上することを目的とする。例文帳に追加

To improve joining properties in a jointing part of a semiconductor element and a jointing material with a metal particle as a main agent of junction. - 特許庁

半導体モジュールは、第１の絶縁基板２の上部に金属電極３が接合され、金属電極３の上部に熱拡散用金属板１１が接合され、熱拡散用金属板１１の上部に電力用半導体素子４，５が接合されている。例文帳に追加

In a semiconductor module, a metal electrode 3 is bonded onto a first insulating substrate 2, a metal plate 11 for heat dissipation is bonded onto the metal electrode 3, and power semiconductor elements 4, 5 are bonded onto the metal plate 11 for heat dissipation. - 特許庁

この金属層１０２の上に半導体薄膜３０４−３０８を接触させて、これらの間に金属元素の酸化物を含む領域４１０を形成することによって、半導体薄膜３０４−３０８と金属層１０２とを接合する。例文帳に追加

By having semiconductor thin films 304-308 made to abut against the metal layer 102 to form a region 410 including an oxide of a metal element among them, the semiconductor thin films 304-308 is bonded to the metal layer 102. - 特許庁

半導体素子１は、半導体材料からなる半導体層５と、半導体層５の一方の面に接合された金属層１８とを備え、金属層１８は、磁性体層１６を有し、磁性体層１６は、少なくともＦｅ及びＮｉを含む合金からなる層を有する。例文帳に追加

The semiconductor element 1 includes a semiconductor layer 5 formed of a semiconductor material, and a metal layer 18 jointed to one surface of the semiconductor layer 5, wherein the metal layer 18 includes a magnetic layer 16, and the magnetic layer 16 includes a layer formed of an alloy containing at least Fe and Ni. - 特許庁

Ｓｉ、あるいはＳｉ系材料で構成した半導体素子が金属配線上に搭載された半導体装置であって、半導体素子は銀系接合材で金属配線上に搭載され、かつ半導体素子は半導体素子表面に形成したＳｉ系酸化物膜を介して銀系接合材と接合していることを特徴とする。例文帳に追加

In a semiconductor device where a semiconductor element composed of Si or an Si-based material is mounted on metal wiring, the semiconductor element is mounted on the metal wiring by a silver-based jointing material, and the semiconductor element is jointed to the silver-based jointing material via an Si-based oxide film formed on the surface of the semiconductor element. - 特許庁

金属表面処理剤、金属表面処理方法、はんだ接合剤、はんだペースト及び半導体電子部品の実装方法例文帳に追加

METAL SURFACE TREATING AGENT AND METHOD, SOLDER CEMENT, SOLDER PASTE, AND METHOD FOR MOUNTING SEMICONDUCTOR ELECTRONIC COMPONENT - 特許庁

強度を低下させることなく金属端子を金属板と安定的に接合することが可能な電力用半導体装置の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for electricity capable of stably joining a metal terminal to a metal plate without incurring decrease in strength. - 特許庁

コストを高くすることなく金属枠体上に気密性良く金属蓋体を接合できる気密封止型半導体パッケージを提供すること。例文帳に追加

To joint a metallic lid body to a metallic frame with satisfactory airtightness, without increasing the cost. - 特許庁