「金属半導体接合」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体装置は、半導体素子１と配線板３をフリップチップ接続したもので、配線板３に設けたキャップ５と半導体素子の能動層を設けた面の裏面との接合が、金属の固相拡散接合層９１で行われている。例文帳に追加

A semiconductor device is one constituted by connecting a semiconductor element 1 to a wiring board 3 by a flip-chip bonding method and the joint of a cap 5 provided on the board 3 with the rear of the surface of the element 1 provided with an active layer, is conducted through a metal solid phase diffusion joint layer 91. - 特許庁

第２の組立体は、第２の半導体チップと、第２の半導体チップの一面に接合されると共に低圧端子を有する低圧バスバー２３と、第２の半導体チップの他面に接合される第２金属配線板２６とを備える。例文帳に追加

The second assembly has a second semiconductor chip, a low voltage bus bar 23 being bonded to one side of the second semiconductor chip and having a low voltage terminal, and a second metal wiring board 26 being bonded to the other side of the second semiconductor chip. - 特許庁

半導体チップ上のＡｌ電極膜や半導体チップに金属疲労やクラック等のダメージが起こりにくく、かつ接合強度および接合の信頼性が高い構造を有する半導体装置と超小型電力変換装置およびそれらの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a micro power converting device hard to cause damages such as metal fatigue, crack, or the like in an Al electrode film on a semiconductor chip or a semiconductor chip with a structure having a high bonding strength and a high bonding reliability and to provide a method for manufacturing them. - 特許庁

低熱膨張性金属１１の表面に軟質性金属層を積層してなる配線電極上に、半導体素子１３を電気的に接合してなる半導体装置において、軟質性金属層は、それぞれ独立して島状に分割されたバンプ１３で構成されている。例文帳に追加

In the semiconductor device in which a semiconductor element 13 is electrically joined on the wiring electrode formed by laminating soft metal layers on the surface of a low thermal expansion metal 11, the soft metal layers are respectively formed of a bump 12 which is independently divided in the form of islands. - 特許庁

パワー半導体モジュールの回路基板として、アルミ製の金属ベース１０の片面にセラミック絶縁層が接合し該絶縁層上に導体パターンが接合してなる金属−絶縁層接合基板１を用いる。例文帳に追加

The metal-insulating layer bonded substrate 1 formed by bonding a ceramic insulating layer on one surface of an aluminum metal base 10 and bonding a conductor pattern on the insulating layer is used as a circuit board of the power semiconductor module. - 特許庁

基板の第１電極に、半導体素子の第２電極を超音波接合することにより半導体素子を実装する方法において、第１電極と第２電極との間の金属接合を、求められる接合強度を確保しながら、少なくとも銅を含む金属間の接合として実現する半導体素子の実装方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of mounting a semiconductor element by ultrasonic bonding of a first electrode of a substrate and a second electrode of the semiconductor element, which achieves metal junction between the first electrode and the second electrode as metal junction including at least copper while ensuring a desired bond strength. - 特許庁

次にバンプ５が形成された光検出半導体素子２を外部電極用金属層３３に超音波接合する。例文帳に追加

Then, the photodetection semiconductor element 2 formed with bumps 5 is ultrasonic joined to the metal layer 33 for external electrodes. - 特許庁

セラミック部材と金属部材との接合構造および静電チャック並びに半導体素子収納用パッケージ例文帳に追加

JUNCTION STRUCTURE OF CERAMIC MEMBER AND METALLIC MEMBER AND ELECTROSTATIC CHUCK AND PACKAGE FOR STORAGE OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体素子収納用パッケージにおいて、加熱時の金属製蓋体の変形による接合破壊を有効に防止する。例文帳に追加

To effectively prevent joint breakage due to the deformation of a metal-made cover body during heating in a semiconductor device storing package. - 特許庁

パワー半導体素子１，２の両面に、電極金属層が被着された絶縁基板９，１８をはんだ付け等により接合する。例文帳に追加

On both sides of power semiconductor elements 1 and 2, insulation substrate 9 and 18 stuck with electrode metal layers are soldered. - 特許庁

そして、金属板２０に半導体装置１００の電流経路となる導体板１５をレーザー溶接によって接合した。例文帳に追加

Besides, a conductor plate 15 serving as a current path of the semiconductor device 100 is bonded onto the metal plate 20 by laser welding. - 特許庁

インジウムを主要成分とし、金属半導体接合を用いた電界効果トランジスタのオフ電流を低減せしめる構造を提供する。例文帳に追加

To provide a structure being capable of reducing off current of a field effect transistor mainly containing indium and including metal-semiconductor junction. - 特許庁

ｐｎ接合近傍における重金属イオンが除去された半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To remove heavy metal ions in the vicinity of a pn junction. - 特許庁

素子側電極に金属電極が直接接続された構成であって、その接合部の耐久性に優れた半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device excellent in the durability of a connecting part in a constitution wherein a metal electrode is directly connected to an element side electrode. - 特許庁

この結果、金属膜３及びＩｎ合金膜１７を介して半導体チップ１８とヒートスプレッダ１１とが接合される。例文帳に追加

As a result, the semiconductor chip 18 and a heat spreader 11 are bonded via a metal film 3 and the In alloy film 17. - 特許庁

半導体デバイスの接合における金属間界面に加えることができる試験荷重をできるだけ大きくする。例文帳に追加

To increase the test load capable of being applied to the interface between metals to the utmost in the bonding of a semiconductor device. - 特許庁

また、半導体発光素子１を囲むようにベース部材２上に接着シート５を介在させて接合された、金属製のリフレクタ６を備える。例文帳に追加

The diode also includes a metallic reflector 6 bonded onto the base member 2 to surround the semiconductor light emitting element 1 with an adhesive sheet 5 disposed therebetween. - 特許庁

半導体素子２と緩衝板４、および金属層３と緩衝板４とは半田層５，６を介して接合する。例文帳に追加

The semiconductor element 2 and the buffer plate 4, and the metal layer 3 and the buffer plate 4 are bonded through the solder layers 5 and 6. - 特許庁

モリブデン板１１の上下両面に銅板１２を接合して形成した金属放熱体１の上面に半導体素子２を搭載する。例文帳に追加

A semiconductor element 2 is loaded on the upper face of a metallic radiator 1 formed by jointing copper plates 12 with the both upper and lower faces of a molybdenum plate 11. - 特許庁

回路基板上に半導体素子等の電子部品を誘導加熱で半田付けする際に好適な金属接合材料を提供する。例文帳に追加

To provide a metal bonding material suitably used to solder an electronic component such as a semiconductor element onto a circuit board by induction heating. - 特許庁

第２の半導体装置２の金属電極２ｅに貫通孔２ｆを形成しておけば、接合品質を透過光により確認できる。例文帳に追加

When a through hole 2f is made through the metal electrode 2e of the second semiconductor device 2, bonding quality can be checked by transmitting light. - 特許庁

金属バンプの結合部に発生する接合強度のばらつきや結合位置のずれを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method wherein bond strength dispersion and bond position displacement at metal bump junctions can be controlled. - 特許庁

絶縁基板１０は、セラミック基板１１の両面に金属層１２，１３を形成してなり、上面に半導体素子２０が接合されている。例文帳に追加

An insulating substrate 10 has metal layers 12 and 13 formed on both surfaces of a ceramic substrate 11, and a semiconductor element 20 is bonded to an upper surface. - 特許庁

半導体チップやモジュール基板等の電子部品に設けられた金属バンプの接合（付着）強度を向上する。例文帳に追加

To improve joint (adhesion) strength of a metallic bump provided on an electronic component such as a semiconductor chip or a module substrate. - 特許庁

被接合材である半導体チップ１１および配線基板１２のそれぞれに金属被膜１４を形成する。例文帳に追加

Metal coatings 14 are formed on a semiconductor chip 11 and a wiring circuit board 12 as materials to be bonded. - 特許庁

絶縁基板と金属ベース板との半田接合部の信頼性が高い電力用半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a power semiconductor device ensuring higher reliability of solder joining part between an insulating substrate and a metal base plate. - 特許庁

半導体モジュールにおける接続端子３１は、金属製ケースの外部との接続を行うためのバスバー５と接合してある。例文帳に追加

The connection terminal 31 in the semiconductor module is bonded to the bus bar 5 for connecting the metallic case to the outside. - 特許庁

放熱用金属板１０の上面にパッケージ本体２０が半導体素子搭載部３１の全周を囲むように接合されている。例文帳に追加

A package body 20 is bonded to the upper surface of the heat dissipating metal plate 10, while surrounding the entire circumference of a semiconductor element mounting part 31. - 特許庁

半導体素子１２と基板１６を接合する金属層１４に大きな応力が作用しないようにして耐久性を向上する。例文帳に追加

To improve durability by preventing a large stress from acting to a metal layer 14 for bonding a semiconductor element 12 to a substrate 16. - 特許庁

接合面積が５０％以上である低熱抵抗金属バンプを揺する半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having metal bumps of low thermal resistance, whose junction area is ≥50%, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

製造が容易であり、貫通金属と半田との接合強度が大きい半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, which is easily manufactured and has a high jointing strength between a through metal and a solder. - 特許庁

金属パイプとガラス台座の接合に際し、ガラス台座にクラックが発生することのない半導体圧力センサを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor pressure sensor in which no crack is developed in a glass seating when a metal pipe and the glass seating are joined. - 特許庁

電力用半導体素子１０の基板接合面１０ａには、面的に拡がる金属メッキ層６０が設けられている。例文帳に追加

A metal plating layer 60 which spreads in a surface is formed on the surface 10a of a power semiconductor element 10 which surface is to be bonded with a substrate. - 特許庁

リードフレームやヒートスプレッダ等の金属部品を接合する場合のアルミ電極の損傷、破壊を防止した半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that prevents damages and destruction to an aluminum electrode, when jointing a metal component, such as, a lead frame or a heat spreader thereto. - 特許庁

半導体チップ２は、導電ペースト５を介してキャリア基板６に実装され、金属バンプ４と導線８とを接合させる。例文帳に追加

A semiconductor chip 2 is mounted on the carrier board 6 through a conductive paste 5 to bond metallic bumps 4 with the lead wires 8. - 特許庁

金属放熱体１の上面に配設したセラミック枠体３に蓋体４を接合し、中空で半導体素子２を気密封止する。例文帳に追加

A cover body 4 is jointed with a ceramic frame body 3 arranged on the upper face of the metallic radiator 1, and the semiconductor element 2 is airtightly sealed in air. - 特許庁

半導体基体２３の他方の主面の金属層３３に対して導電性接合材層３５によってシ−ルド層１７を固着する。例文帳に追加

A shield layer 17 is fixed to a metal layer 33 in the other-side main face of the semi-conductor substrate 23 by a conductive joining layer 35. - 特許庁

本発明に係る半導体素子のコンタクトプラグは、半導体基板の接合領域上に形成され、電界を分散させながら上部の金属配線のうちの所定の金属配線を接合領域と電気的に接続するために、上部は狭く、下部は広いことを特徴とする。例文帳に追加

The contact plug in the semiconductor device is formed on the junction region on the semiconductor device, and the upper part is narrow and the lower part is wide to electrically connect a specified metal wire among upper metal wires to the junction area while dispersing an electric field. - 特許庁

半導体装置１０は、セラミック基板１４の一面１４ａに半導体素子１２が結合され、他面１４ｂに金属層１６が接合されるとともに該金属層１６に板状の応力緩和部材２０を介してヒートシンク１３が接合されている。例文帳に追加

In the semiconductor device 10, a semiconductor element 12 is coupled to one surface 14a in a ceramic substrate 14, a metal layer 16 is jointed to the other surface 14b, and a heat sink 13 is jointed to the metal layer 16 via a planar stress-relaxing member 20. - 特許庁

パワー半導体素子であるＩＧＢＴチップ１と、このＩＧＢＴチップ１から発生する熱を放散するヒートシンクとを内蔵するパワー半導体応用装置において、ＩＧＢＴチップ１を金属板３の表面に接合すると共に、金属板３の裏面に空冷フィン４を接合した。例文帳に追加

In this power semiconductor application apparatus having a built-in IGBT chip 1 which is a power semiconductor element and a built-in heatsink for radiating the heat produced by the IGBT chip 1, the IGBT chip 1 is bonded to the front surface of a metal plate 3 and an air-cooled fin 4 is bonded to the rear surface of the metal plate 3. - 特許庁

半導体素子１と金属板２との間において、突起３を中心に放射状にメッキ４が成長する構成としたことにより、半導体素子１と金属板２との接合部分にボイドが発生することがなく、確実に接合することができる。例文帳に追加

Plating 4 is radially grown at the center of a projection 3 between the semiconductor element 1 and a metal plate 2, so that the semiconductor element 1 and the metal plate 2 can be surely bonded without void in the bonding section therebetween. - 特許庁

上下に配置した第1の半導体素子基板と第2の半導体素子基板とを凸形状金属性導体バンプを介して接合する際に、あらかじめその先端を尖らせておいた凸形状バンプを、軟性金属を内包するバンプに圧入接合する。例文帳に追加

When a first semiconductor element substrate and a second semiconductor element substrate which are arranged one over the other are bonded together through projection-shaped metal conductor bumps, the projection-shaped bumps whose distal ends are pointed beforehand are pressed in and bonded to bumps containing soft metal. - 特許庁

金属回路板３とセラミック基板１と、および金属回路板３と金属柱５との接合が良好で、搭載される半導体素子等の電子部品を正常かつ安定に作動させることができる。例文帳に追加

As the satisfactory junctions between the metal circuit plates 3 and the ceramic board 1 and between the metal circuit plates 3 and the metal column 5 can be obtained, mounted electronic components such as semiconductor devices, etc., can be made to operate normally and stably. - 特許庁

エリアアレイ型で配列された貴金属バンプ２２を備えた第１半導体チップ１と、エリアアレイ型で配列されたはんだバンプ２３を備えた第２半導体チップ２とを備え、貴金属バンプ２２とはんだバンプ２３とが接合されて第１半導体チップ１と第２半導体チップ２とが電気的に接続されている構造を含む。例文帳に追加

The semiconductor device has a structure such that a first semiconductor chip 1 includes a rare metal bump 22, arranged in an area array type and a second semiconductor chip 2 including a solder bump 23 arranged in an area array type are provided, and the first semiconductor chip 1 and the second semiconductor chip 2 are electrically connected, through the joining of the rare metal bump 22 and the solder bump 23. - 特許庁

半導体素子と、信号を入出力する配線と、放熱板とを有する半導体装置において、前記放熱板はＣｕとＣｕ_2Ｏ，Ａｌ_2Ｏ_3及びＳｉＯ_2の少なくとも１種の粒子との複合材であり、絶縁基板に接合されている金属層、あるいは半導体素子に接合されている金属層は放熱板と直接接合されている。例文帳に追加

In the semiconductor device comprising a semiconductor element, wiring for inputting/outputting signals, and a heat dissipating plate, the heat dissipating plate is made of a composite material of Cu and at least one kind of particles of Cu2O, Al2O3 and SiO2 and a metal layer bonded to an insulating substrate or the semiconductor element is bonded directly to the heat dissipating plate. - 特許庁