That is, (1) 5<f_3/f<100, (2) n_d(n)-n_d(p)<0.2 and (3) ν(p)-ν(n)>35.例文帳に追加

（１） ５＜ｆ_3／ｆ＜１００ （２） ｎ_d（ｎ）−ｎ_d（ｐ）＜０．２ （３） ν（ｐ）−ν（ｎ）＞３５ - 特許庁

When m=1 to 3 and n=1 to 4, each equation, 0.95m≤Q1≤1.2m, 0.9 (m+n)≤Q2≤1.4 (m+n), 2≤m+n≤5 is satisfied.例文帳に追加

０．９５ｍ≦Ｑ１≦１. ２ｍ ０. ９（ｍ＋ｎ）≦Ｑ２≦１．４（ｍ＋ｎ） ２≦ｍ＋ｎ≦５ - 特許庁

Repeats each test n times (by default each test is run 5 times).発音を聞く 例文帳に追加

\\-repeat 各テストをn回繰り返す(デフォルトでは5回実行する)。 - XFree86

The P-I-N photo diode 7 and the transparent electrode 9 both demarcate a sub pixel 5.例文帳に追加

P-I-Nフォトダイオード及び透明電極が共に副画素５を画定する。 - 特許庁

In addition, an N^--type area 5b is formed within the N-type area 5.例文帳に追加

また、Ｎ型領域５内には、Ｎ^−型領域５ｂを形成する。 - 特許庁

An n-type electrode 5 is bonded to the n-type contact layer 21.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層２１には、ｎ型電極５が接合されている。 - 特許庁

Next, a first N well 9 and second N wells 11 are formed on the N-type embedded region 5.例文帳に追加

次に、Ｎ型埋め込み領域５上に第１Ｎウェル９、第２Ｎウェル１１を形成する。 - 特許庁

If n=4 (YES at #4), n is initialized (n=0) (#5) and the control moves to #6.例文帳に追加

そして、ｎ＝４であれば（＃４においてＹＥＳ）、ｎを初期化（ｎ＝０）して（＃５）、＃６に移行する。 - 特許庁

There is provided a recess part 14 on the reverse face of the n+-type GaAs substrate 1 just under the n+-type AlGaAs emitter layer 5.例文帳に追加

ｎ^+型AlGaAsエミッタ層５直下部のn^+型GaAs基板１裏面には凹部１４を有している。 - 特許庁

Defaults to 1:2:3:4:5:6:7:8:9:o:l:n:p (volume names can be multicharacter).例文帳に追加

デフォルト値は 1:2:3:4:5:6:7:8:9:o:l:n:p である(ボリューム名では複数個の文字が使える)。 - XFree86

A depletion layer formed between the N--type layer 5 and the body region 9 extends to the N--type layer 5.例文帳に追加

Ｎ^-層５とＰボディ領域９との間に形成される空乏層はＮ^-層５側に延びる。 - 特許庁

To provide a pharmaceutically useful anhydrous crystalline form of N-[1-(2- ethoxyethyl)-5-(N-ethyl-N-methylamino)-7-(4-methylpyridin-2-yl-amino)-1H- pyrazolo[4,3-d]pyrimidine-3-carbonyl]methanesulfonamide.例文帳に追加

医薬として有用な無水結晶形態のN-[1-(2-エトキシエチル)-5-(N-エチル-N-メチルアミノ)-7-(4-メチルピリジン-2-イル-アミノ)-1H-ピラゾロ[4,3-d]ピリミジン-3-カルボニル]メタンスルホンアミドの提供。 - 特許庁

The d'th day (0 = d = 6) or week n of month m of the year (1 = n = 5, 1 = m = 12, where week 5 means "the last d day in month m" which may occur in either the fourth or the fifth week).例文帳に追加

m 月の第 n 週における d 番目の日(0 = d = 6, 1 = n = 5, 1 = m = 12)を表します。 週 5 は月における最終週の d 番目の日を表し、第 4 週か第 5 週のどちらかになります。 - Python

The cathode region of the diode 22 comprises an n^+ diffusion layer 8c, an n^- epitaxial layer 4, an n-type diffusion layer 5 and an n^+ diffusion layer 8b.例文帳に追加

ダイオード２２のカソード領域は、ｎ^+拡散層８ｃと、ｎ^-エピタキシャル層４と、ｎ型拡散層５と、ｎ^+拡散層８ｂとで構成されている。 - 特許庁

The pulse frequency N of the pulse magnetic field is regulated so as to satisfy the formulas: 1 Hz≤N≤100 Hz, preferably 5 Hz≤N≤60 Hz, for example, N=20 Hz.例文帳に追加

また、パルス磁場のパルス周波数Ｎを、１Ｈｚ≦Ｎ≦１００Ｈｚ、望ましくは、５Ｈｚ≦Ｎ≦６０Ｈｚ、例えば、Ｎ＝２０Ｈｚに設定した。 - 特許庁

The center region is merged with the rearranged peripheral region to form a circular or n-polygonal (n is a natural number of ≥5) changed page data.例文帳に追加

中央領域を再配列周辺領域と併合して円形またはn角形（nは５以上の自然数）の変更ページデータを生成する。 - 特許庁

In a counting response message to be transferred from a node #5 to a node #1, a total count value n (n=2) and a node ID list (#5, #6) are registered.例文帳に追加

ノード＃５からノード＃１へ転送される計数応答メッセージには総計数値n＝２およびノードIDリスト（＃５，＃６）が登録されている。 - 特許庁

He retired from the position n 1404, and he passed away on April 5, 1405.発音を聞く 例文帳に追加

応永11年（1404年）に辞して隠退し、応永12年（1405年）4月5日に死去した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

N is supplied from an atmospheric gas 5.例文帳に追加

Ｎは雰囲気ガス５から供給する。 - 特許庁

The exposed part 11a is provided with an n-side electrode 5.例文帳に追加

露出部１１ａにはｎ側電極５が設けられている。 - 特許庁

This active layer is an n^+ type field stop layer 5.例文帳に追加

この活性層が、ｎ^+型フィールドストップ層５である。 - 特許庁

It is noted that n is an integer 5 or larger.例文帳に追加

ただし、ｎは５以上の整数である。 - 特許庁

In this case, n is '5' and m is '2'.例文帳に追加

この場合、ｎは５であり、ｍは２である。 - 特許庁

An N-type layer 5a composed of an N-type epitaxial layer 5 in which, for example, an N+-type drain layer 13 is formed is surrounded by a P-type drain isolation layer 6 extending from a surface of the N-type epitaxial layer 5 to an N+-type buried layer 2.例文帳に追加

Ｎ＋型ドレイン層１３等が形成されたＮ型エピタキシャル層５からなるＮ型層５ａを、Ｎ型エピタキシャル層５の表面からＮ＋型埋め込み層２まで延在するＰ型ドレイン分離層６で取り囲む。 - 特許庁

Thus, the n type buffer layer 3 is spatially separated from an SJ structure 4, and the concentration of the n type impurity at a connection part 14 between the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5 is made lower than the concentration of the n type impurity in the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5.例文帳に追加

これにより、ｎ型バッファー層３とＳＪ構造４とが空間的に分離され、ｎ型バッファー層３とｎ型ピラー領域５との間の接続部１４におけるｎ型不純物の濃度が、ｎ型バッファー層３及びｎ型ピラー領域５におけるｎ型不純物の濃度よりも低くなる。 - 特許庁

Stripes of N RESURF layers, P reserve layers 3, an N RESURF layer 2A and an N^- RESURF layer 4 and have a breakdown voltage in a connecting direction of the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10 are formed between the P base layer 5 and the N^+ contact layer 10, thereby forming a multi-RESURF structure.例文帳に追加

Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０との間には、これらを結ぶ方向に耐圧を保持するストライプ状のNリサーフ層、Pリサーフ層３、Nリサーフ層２Ａ、及びＮ^−リサーフ層４が形成され、マルチリサーフ構造を構成している。 - 特許庁

The steel containing 0.010-1.5 mass% C+N is subjected to cold-workings in (n) times (n is an integer of ≥2) having ≥5% reduction of area in each time, and is heated up to 120-500°C during working at any time of the cold-working in 1-(n-1)th times.例文帳に追加

質量％で、0.010〜1.5％のC＋Nを含有する鋼材に、各回の減面率が5％以上となる n回（但し、nは2以上の整数）の冷間加工を行い、1〜（n−1）回目の冷間加工のいずれかの加工中に被加工鋼材を120〜500℃に昇温させる。 - 特許庁

For example, ``sed -n 1~2p'' will print all the odd-numbered lines in the input stream, and the address 2~5 will match every fifth line, starting with the second. (This is a GNU extension.発音を聞く 例文帳に追加

例えば ``sed -n 1~2p'' は入力行のうち奇数行を表示し、アドレスを 2~5 にすると、第 2 行から 5 行おきに表示する (これは GNU の拡張である)。 - JM

The n-GaInN second clad layer 5 comprises n-GaInN in non-single crystal state.例文帳に追加

ｎ−ＧａＩｎＮ第２クラッド層５は、非単結晶状態のｎ−ＧａＩｎＮからなる。 - 特許庁

The p layer 3 consists of p-type poly-Si:H, the n layer 5 consists of n-type poly-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

The p layer 3 consists of p-type a-Si:H, the n layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

In addition to n-type impurities, p-type impurities of low concentration are contained in the n^+-type semiconductor area 5.例文帳に追加

Ｎ^＋型半導体領域５にＮ型不純物の他にＰ型不純物を低濃度に含める。 - 特許庁

The (p) layer 3 consists of p-type a-Si:H, the (n) layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 in which an n^- type drift layer 6 and an n^+ type semiconductor layer 7 are sequentially formed on an n^+ type substrate 5 is prepared.例文帳に追加

Ｎ^+型基板５の上に順にＮ^-型ドリフト層６、Ｎ^+型半導体層７が形成された半導体基板１を用意する。 - 特許庁

An n-bit selection circuit 4 selects n-bits out of random number patterns from a random number generating circuit 5 according to set n-bit.例文帳に追加

ｎビット選択回路４は設定されたｎビットにより乱数発生回路５からの乱数パターンのうちのｎビットを選択する。 - 特許庁

In reading data, a control circuit 5 receives the pulse signal RD of one shot and reads (n) bits data RDEN <n:0> from the bit cells 2.例文帳に追加

データ読み出し時には、制御回路５は、１ショットのパルス信号ＲＤを受けて、ビットセル２からｎビットのデータＲＤＥＮ<n:0>を読み出す。 - 特許庁

An N^--type drift layer 2, a P^+-type layer 3, and an N^+-type layer 5 are sequentially formed on an N^+-type substrate 1 using an epitaxial growth.例文帳に追加

Ｎ^+型基板１の上に、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３、Ｎ^+型層５を順にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The layer structure LS1 includes an n-type high concentration carrier layer 3, an n-type light absorbing layer 5, and an n-type cap layer 7.例文帳に追加

層構造体ＬＳ１は、ｎ型の高濃度キャリア層３、ｎ型の光吸収層５、及びｎ型のキャップ層７を含んでいる。 - 特許庁

An n-type buffer layer 2, an n^--type drift layer 3, and a p-type base layer 5 are laminated on an n^+-type 4H-SiC substrate 1 in this order.例文帳に追加

ｎ^+型４Ｈ−ＳｉＣ基板１の上に、ｎ型バッファー層２と、ｎ^-型ドリフト層３と、ｐ型ベース層５とが、この順に積層されている。 - 特許庁

The aqueous solution contains at least one kind of secondary amine compound represented by general formula [1]: R-NH-(CH_2)_n-OH.例文帳に追加

一般式〔1〕： R-NH-(CH_2)_n-OH(式中、Rは炭素数1〜4の直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基を表し、nは3〜5から選ばれる。 - 特許庁

The N^--type drift layer 2, the P^+-type layer 3, the N^+-type layer 5, and the N^--type channel layer 8 are formed in self- aligning manner by this manufacture.例文帳に追加

このような製法によれば、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３およびＮ^+型層５とＮ^-型チャネル層８とが自己整合的に形成される。 - 特許庁

The meanings between the expressions "an integer n of 2-5" and "n represents 2, 3, 4, or 5" and between the expressions "an integer n of 3-5" and "n represents 3, 4, or 5" are totally identical, although they have a difference in expression.発音を聞く 例文帳に追加

「ｎ＝２～５の整数」という記載と「ｎは２、３、４或いは５」という記載、及び「ｎ＝３～５の整数」という記載と「ｎは３、４或いは５」という記載は表現上の差異があるだけであって、その意味することは完全同一である。 - 特許庁

Regions between channel regions 9 are N+ source regions 5 or N+ drain regions 4, N+ source regions 5 and N+ drain regions 4 are alternately arranged.例文帳に追加

そして、チャネル領域９間の領域がＮ＋ソース領域５又はＮ＋ドレイン領域４となっており、Ｎ＋ソース領域５とＮ＋ドレイン領域４とは交互に配列されている。 - 特許庁

To provide an n-gonal prism-like tank (n≥5, natural number) which can be simply designed, and a redox flow battery system equipped with this tank as a tank for storing an electrolyte.例文帳に追加

設計が簡単なn角柱状(n≧5,自然数)のタンク、及びこのタンクを電解液の貯留用タンクとして具えるレドックスフロー電池システムを提供する。 - 特許庁