AL GATEとは 意味・読み方・使い方

The gate electrode 12 preferably comprises a Ti film 2, an Al film 3, and a Ti film 4 successively laminated in this order on the insulating layer substrate 1 for low resistance.例文帳に追加

ゲート電極(12)は、絶縁性基板側からTi膜(2)、Al膜(3)及びTi膜(4)が積層されていると低抵抗となり好ましい。 - 特許庁

By patterning this, a gate electrode 23 comprising Al of low gate parasitic resistance and high mobility is formed.例文帳に追加

これをパターニングすることにより、ゲート寄生抵抗の低く移動度の高いＡｌからなるゲート電極２３が形成される。 - 特許庁

Finally, an Al_2O_3 film 141 is formed in a gate part, and an Al gate electrode 142 is vapor-deposited on the Al_2O_3 film 141 (Fig. 1(d)).例文帳に追加

最後に、ゲート部にＡｌ_2Ｏ_3膜１４１を形成し、その上にＡｌゲート電極４２を蒸着する（図１（ｄ））。 - 特許庁

Lastly, an Al metal film 6 is vapor-deposited on the insulating layer 4 to form a gate portion.例文帳に追加

最後に、絶縁層４上にＡｌ金属膜６を蒸着させてゲート部を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film containing Hf, Al, O, and N is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に、Ｈｆ、Ａｌ、Ｏ及びＮを含有するゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In a process for charging the semi-molten Al alloy material 16 into the sleeve 14, this semi-molten Al alloy material 16 is charged into an Al can 34 and the bottom wall 36 of the Al can 34 is faced to the gate 8.例文帳に追加

半溶融Ａｌ合金材料１６をスリーブ１４内に装入する過程では，その半溶融Ａｌ合金材料１６をＡｌ缶３４に入れて，そのＡｌ缶３４の底壁３６をゲート８に対向させる。 - 特許庁

The gate electrode 5 can be formed by the steps containing the step of forming the metal film to form the gate electrode; the step of sputtering Al and Si simultaneously, thereby forming an Al post self-systematically; and the step of etching the Al post and the metal film just under the Al post.例文帳に追加

ゲート電極５は、ゲート電極となる金属膜を形成する工程、ＡｌとＳｉを同時にスパッタすることによりＡｌ柱を自己組織的に形成する工程、Ａｌ柱およびＡｌ柱直下の金属膜をエッチングする工程を含む工程によって形成され得る。 - 特許庁

In this case, an Al oxide film is formed on a surface side of the lower layer gate electrode 4a in contact with the gate insulating film 3 from the first.例文帳に追加

この場合、下層ゲート電極４ａのゲート絶縁膜３と接する面側には酸化Ａｌ膜が当初から形成されている。 - 特許庁