「AL GATE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A Ta film/Al film is formed on a gate insulating film 103.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０３上にＴａ膜／Ａｌ膜を成膜する。 - 特許庁

The silicon layer formed as one continuous wire as well as the Al layer are etched simultaneously when the Al layer is patterned, so that the silicon layer is electrically broken between gate lines.例文帳に追加

シリコン層は、その形成時には１本の連続配線として形成されるが、Al層がパターン形成されるときにAl層と同時にエッチングされて、各ゲート線の間で電気的に断線される。 - 特許庁

The gate electrode 12 preferably comprises a Ti film 2, an Al film 3, and a Ti film 4 successively laminated in this order on the insulating layer substrate 1 for low resistance.例文帳に追加

ゲート電極(12)は、絶縁性基板側からTi膜(2)、Al膜(3)及びTi膜(4)が積層されていると低抵抗となり好ましい。 - 特許庁

By patterning this, a gate electrode 23 comprising Al of low gate parasitic resistance and high mobility is formed.例文帳に追加

これをパターニングすることにより、ゲート寄生抵抗の低く移動度の高いＡｌからなるゲート電極２３が形成される。 - 特許庁

Finally, an Al_2O_3 film 141 is formed in a gate part, and an Al gate electrode 142 is vapor-deposited on the Al_2O_3 film 141 (Fig. 1(d)).例文帳に追加

最後に、ゲート部にＡｌ_2Ｏ_3膜１４１を形成し、その上にＡｌゲート電極４２を蒸着する（図１（ｄ））。 - 特許庁

Lastly, an Al metal film 6 is vapor-deposited on the insulating layer 4 to form a gate portion.例文帳に追加

最後に、絶縁層４上にＡｌ金属膜６を蒸着させてゲート部を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film containing Hf, Al, O, and N is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に、Ｈｆ、Ａｌ、Ｏ及びＮを含有するゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In a process for charging the semi-molten Al alloy material 16 into the sleeve 14, this semi-molten Al alloy material 16 is charged into an Al can 34 and the bottom wall 36 of the Al can 34 is faced to the gate 8.例文帳に追加

半溶融Ａｌ合金材料１６をスリーブ１４内に装入する過程では，その半溶融Ａｌ合金材料１６をＡｌ缶３４に入れて，そのＡｌ缶３４の底壁３６をゲート８に対向させる。 - 特許庁

The gate electrode 5 can be formed by the steps containing the step of forming the metal film to form the gate electrode; the step of sputtering Al and Si simultaneously, thereby forming an Al post self-systematically; and the step of etching the Al post and the metal film just under the Al post.例文帳に追加

ゲート電極５は、ゲート電極となる金属膜を形成する工程、ＡｌとＳｉを同時にスパッタすることによりＡｌ柱を自己組織的に形成する工程、Ａｌ柱およびＡｌ柱直下の金属膜をエッチングする工程を含む工程によって形成され得る。 - 特許庁

In this case, an Al oxide film is formed on a surface side of the lower layer gate electrode 4a in contact with the gate insulating film 3 from the first.例文帳に追加

この場合、下層ゲート電極４ａのゲート絶縁膜３と接する面側には酸化Ａｌ膜が当初から形成されている。 - 特許庁

A die casting apparatus 10 makes a molten Al 11, which is poured into a sleeve 15, pass through a gate part 26 and injects the molten Al 11 into a molding flask 22.例文帳に追加

ダイカスト鋳造装置１０は、スリーブ１５に注入されたＡｌ溶湯１１を、幅狭のゲート部２６を通過させて型枠２２内へ射出するものである。 - 特許庁

The defect of polycrystal silicon is terminated by hydrogen generated through reaction between Al of a gate electrode and water in a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極のＡｌとゲート絶縁膜中の水との反応によって生成される水素によって多結晶シリコンの欠陥の終端化を行う。 - 特許庁

The Al film 3 is excellent in conductivity, thereby the gate leading- out part 6 is made low resistance.例文帳に追加

Ａｌ膜３は導電性が良好であり、それによってゲート引き出し部６が低抵抗化される。 - 特許庁

The metal contains Al, and the thickness of the gate electrode is 10-100 nm.例文帳に追加

また、金属は、Ａｌを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 - 特許庁

In the semiconductor device has pixels with thin-film transistors arrayed on an insulating substrate 101, at least one of the gate electrode 114" and gate wire 114 of a thin-film transistor or/and the source-drain electrode are formed, by laminating Al-Nd(aluminum neodymium) alloy and Al and Al-Nd alloy, and laminating Al-Nd alloy and Al.例文帳に追加

絶縁基板１０１上に薄膜トランジスタを有する画素を複数配列した半導体装置において、薄膜トランジスタのゲート電極１１４″とゲート配線１１４の少なくとも一方、又は／及びソース・ドレイン電極は、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金、ＡｌとＡｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金とを積層した構成、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金とＡｌとを積層した構成である。 - 特許庁

The package type semiconductor device is constituted so that the gate wiring layer 17 and a dummy wiring layer 18 electrically isolated may be formed between the emitter Al electrode 14 and the gate wiring layer 17.例文帳に追加

エミッタＡｌ電極１４とゲート配線層１７との間に、ゲート配線層１７と電気的に分離されたダミー配線層１８を形成する。 - 特許庁

Al atoms do not diffuse from the contact electrode 16 to a part of the gate insulating film 15, the part which is interposed between the substrate surface 12B and the gate electrode 17.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１５のうち基板面１２Ｂとゲート電極１７とによって挟まれる部分へは、コンタクト電極１６からＡｌ原子が拡散していない。 - 特許庁

In this organic EL display device, when an address driver 2 selects an address line AL and the address line AL impresses a positive voltage to top gates of corresponding double-gate transistors 10, n-channels are formed in their semiconductor layers.例文帳に追加

アドレスドライバ２がアドレスラインＡＬを選択し、対応するダブルゲートトランジスタ１０のトップゲートに正電圧を印加すると、その半導体層内にｎチャネルが形成される。 - 特許庁

A gate electrode 4 formed on an upper surface of the gate insulating film 3 is a double structure of a lower layer electrode 4a made of Al or the like and an upper layer gate electrode 4b made of Mo or the like.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３の上面に形成されたゲート電極４は、Ａｌ等からなる下層ゲート電極４ａとＭｏ等からなる上層ゲート電極４ｂとの２層構造となっている。 - 特許庁

The gate electrode 126 of the FET 102 and the gate insulating film 114 and gate electrode 121 of the FET 104 include at least one metal selected from a group of Hf, Zr, Al, La, Pr, Y, Ta, and W.例文帳に追加

ＦＥＴ１０２のゲート電極１２６、ＦＥＴ１０４のゲート絶縁膜１１４、ゲート電極１２１はＨｆ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｙ、Ｔａ、Ｗからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む。 - 特許庁

Between the source electrode 101 and the interlayer insulation film 7 and between the gate pad 102 and the gate electrode 6, barrier metal layers 99 inhibiting Al diffusion are respectively provided.例文帳に追加

ソース電極１０１と層間絶縁膜７との間、並びにゲートパッド１０２とゲート電極６との間のそれぞれに、Ａｌの拡散を抑制するバリアメタル層９９が配設される。 - 特許庁

An Al gate electrode 17 is formed on the surface of the P+ diffusion layer 18 through the intermediary of a Ta2O5 layer 15 and a TiN layer 16.例文帳に追加

ｐ^+ 拡散層１８の表面に、Ｔａ_2 Ｏ_5 層１５及びＴｉＮ層１６を介してＡｌゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁

After an Al film 8 and an Ni film 9 are sequentially deposited on a gate electrode 4 and a source/drain diffusing layer 7, the heat treatment is conducted to form an Ni silicide layer 10 including Al at the upper part of the n-type silicon layer forming the gate electrode 4 and source/drain diffusing layer 7.例文帳に追加

ゲート電極４の上及びソース・ドレイン拡散層７の上にＡｌ膜８及びＮｉ膜９を順次堆積した後、熱処理を実施し、ゲート電極４及びソース・ドレイン拡散層７を構成するＮ型シリコン層の上部にＡｌ含有Ｎｉシリサイド層１０を形成する。 - 特許庁

A cap layer containing carbon is provided between a gate electrode containing silicon and a gate insulating film containing oxygen and at least one of Hf, Zr, and Al formed above a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上方に形成されたＨｆ、Ｚｒ或いはＡｌの少なくとも一つと酸素とを含むゲート絶縁膜とシリコンを含むゲート電極との間に、炭素を含むキャップ層を設ける。 - 特許庁

An Al gate electrode 17 is formed on the tensile strain Si channel layer 13 through the intermediary of a Ta2O5 layer 15 and a TiN layer 16.例文帳に追加

引っ張り歪みＳｉチャネル層１３上にＴａ_2 Ｏ_5 層１５及びＴｉＮ層１６を介してＡｌゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁

This gate insulation film for semiconductor device is made of at least one element that is selected in a group of Al, Ba, Ca, Gd, La, Li, Mg, Pb and Y.例文帳に追加

Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｇｄ，Ｌａ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｐｂ，Ｙの群から選択した少なくとも一種の元素のフッ化物からなることを特徴とする半導体装置用ゲート絶縁膜。 - 特許庁

The gate electrode 6 is covered with an interlayer insulation film 7 and an Al source electrode 101 stretches to over the interlayer insulation film 7.例文帳に追加

ゲート電極６上は層間絶縁膜７によって覆われており、Ａｌのソース電極１０１は、層間絶縁膜７上に延在する。 - 特許庁

A contact electrode 16 is provided on the substrate surface 12B and abutting and contacting with the gate insulating film 15, and contains an alloy having Al atoms.例文帳に追加

コンタクト電極１６は、ゲート絶縁膜１５に接触して隣り合うように基板面１２Ｂ上に設けられており、Ａｌ原子を有する合金を含む。 - 特許庁

Thereby, Al can be prevented from reacting with an interlayer insulating film 11 and the short circuit between a gate electrode layer 8 and a source electrode 12 cannot be caused through.例文帳に追加

これにより、Ａｌが層間絶縁膜１１と反応するのを防止でき、ゲート電極層８とソース電極１２が短絡してしまわないようにできる。 - 特許庁

Further, in the pressurizing process with the pressurizing plunger 15, a brittle part 37 arranged at the bottom wall 36 in the Al can 34 is broken with the semi-molten Al alloy material 16 to form a material passing-through hole 38 directly communicated with the gate 8.例文帳に追加

また加圧プランジャ１５による加圧過程では，半溶融Ａｌ合金材料１６によりＡｌ缶３４の底壁３６に設けられた脆弱部３７を破断してゲート８に直接連通する材料通過孔３８を形成する。 - 特許庁

After a lower film of Al-Nd alloy and an upper film of MoW alloy are stacked sequentially on an insulation substrate, a gate line including a gate electrode is formed by patterning the resulting film using an etchant including 50 to 60% of phosphoric acid, 6 to 10% of nitric acid, 15 to 25% of acetic acid, 2 to 5% of stabilizer, and ultrapure water.例文帳に追加

絶縁基板の上部にAl-Nd alloyの下部膜とMoW alloyの上部膜を順次に積層した後、５０-６０％範囲のリン酸、６-１０％範囲の硝酸、１５-２５％範囲の酢酸及び２-５％の安定剤とその他に超純水を含むエッチング液でパターニングしてゲート電極を含むゲート線を形成する。 - 特許庁

On a supporting substrate 1, a Ti thin film 2 of a predetermined pattern is formed as an underlying layer, and an Al film 3 and a Ti thin film 4 are laminated thereon in order, and further the side wall surface of the Al film 3 is coated with a Ti thin film 5, thereby a gate leading-out part 6 is constituted.例文帳に追加

支持基板１上に所定のパターンのＴｉ薄膜２を下地層とし、その上にＡｌ膜３、Ｔｉ薄膜４を順次積層するとともに、Ａｌ膜３の側壁面をＴｉ薄膜５で覆って、ゲート引き出し部６を構成した。 - 特許庁

The compound semiconductor element comprises: a gate semiconductor layer 10; a cathode semiconductor layer 12; an Au alloy cathode electrode 14 formed on the cathode semiconductor layer 12; an Au alloy gate electrode 16 formed on the gate semiconductor layer 10; an interlayer dielectric film 18; an Al wiring 20 on the cathode electrode 14 and the gate electrode 16; and a protection film 22.例文帳に追加

化合物半導体素子は、ゲート半導体層１０と、カソード半導体層１２と、カソード半導体層１２上に形成されたＡｕ合金カソード電極１４と、ゲート半導体層１０上に形成されたＡｕ合金ゲート電極１６と、層間絶縁膜１８と、カソード電極１４及びゲート電極１６上のＡｌ配線２０と、保護膜２２を備える。 - 特許庁

Next a mask film is removed to form a second insulating film 126, and then a gate electrode 127 of the high-voltage driven TFT made of an Al alloy is formed on the second insulating film.例文帳に追加

次いで、マスク膜を除去し、第２の絶縁膜１２６を形成し、その上にＡｌ合金により高電圧駆動ＴＦＴのゲート電極１２７を形成する。 - 特許庁

In an active matrix type liquid crystal display device including the active matrix substrate 1 wherein a thin film transistor 14 and a pixel part 13 are formed on a transparent insulative substrate 10, a gate electrode 15 and the scanning line 11 connected to it of the thin film transistor 14 have a TiN/Ti/Al structure, a TiN/Al/Ti structure, or a TiN/Ti/Al/Ti structure.例文帳に追加

透明絶縁性基板１０上に薄膜トランジスタ１４及び画素部１３が形成されたアクティブマトリクス基板１を含むアクティブマトリクス型液晶表示装置において、薄膜トランジスタ１４のゲート電極１５及びこれに接続される走査線１１をＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ構造、あるいは、ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ構造、さらには、ＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造とする。 - 特許庁

To make a gate electrode, or the like, constituted of an Al-based metal less susceptible to damage by resist developer and resist stripping solution, in a thin-film transistor panel of a liquid crystal device.例文帳に追加

液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルにおいて、Ａｌ系金属からなるゲート電極等がレジスト現像液およびレジスト剥離液によるダメージを受けにくいようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and a fabrication method thereof, in which the elements can be patterned finely by connecting a gate electrode with a source diffusion layer or a drain diffusion layer, without using Al interconnections.例文帳に追加

Ａｌ配線を用いずにゲート電極をソース拡散層又はドレイン拡散層に接続することにより、素子の微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 7 and an auxiliary capacitance line 6 consisting of highly reflective metal such as an Al based metal are simultaneously formed at prescribed portions on the upper surface of the thin film transistor substrate 1.例文帳に追加

薄膜トランジスタ基板１の上面の各所定の箇所に、Ａｌ系金属等の高反射性金属からなるゲート電極７および補助容量ライン６を同時に形成する。 - 特許庁

Contact with wiring layer for the entire part of source drain diffusing layer region is enabled by crossing a gate electrode without short-circuit with the gate electrode, by utilizing that an insulating film which is mainly formed of Al as the structural atoms has extremely large selection ratio of etching with an Si oxide film.例文帳に追加

Ａｌを主たる構成原子とする絶縁膜がＳｉ酸化膜とのエッチング選択比が極めて大きいことを利用し、ゲート電極を跨ぎゲート電極との短絡なしにソース・ドレイン拡散層全領域にわたる配線層とのコンタクトを可能とした。 - 特許庁

The metal gate electrode having a structure in which a work function control layer 5 containing N etc., an intermediate layer 6 containing Si or Al, and a low resistance layer 7 of MoN layer etc. are laminated through a gate insulating film 4 is formed on a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２上に、ゲート絶縁膜４を介して、Ｎ等を含有する仕事関数制御層５、ＳｉまたはＡｌを含んだ中間層６、およびＭｏＮ層等の低抵抗層７が積層された構造を有するメタルゲート電極を形成する。 - 特許庁

In the casting method, a semi-molten Al alloy material 16 fed in an Al-can 34 is charged into a sleeve 14, and then is filled up into a cavity 7 through a gate 8 in a metallic mold 6 by causing the formation of the peripheral wall 36 and the breakage of the bottom wall 35 of the Al-can 34 by the pressure of a pressurizing plunger 15.例文帳に追加

鋳造方法においては，Ａｌ缶３４に入れられた半溶融Ａｌ合金材料１６をスリーブ１４内に装入し，次いで加圧プランジャ１５の加圧力により，Ａｌ缶３４の周壁３６の変形および底壁３５の破断を生じさせて半溶融Ａｌ合金材料１６を金型６のゲート８を通じてそのキャビティ７内に充填する，といった手段が採用される。 - 特許庁

An IPM 1 includes a U-phase output portion 2, a V-phase output portion 3, a W-phase output portion 4, a gate drive portion 5, a substrate 6, a heat dissipation plate 7, a case 8, and a plurality Al wires 9.例文帳に追加

ＩＰＭ１は、Ｕ相出力部２と、Ｖ相出力部３と、Ｗ相出力部４と、ゲートドライブ部５と、基板６と、放熱板７と、ケース８と、複数のＡｌワイヤ９とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can inhibit reduction of a threshold value voltage over time and prevent corrosion of an insulation film caused by aluminum wiring or a short circuit between gate-source due to an Al spike.例文帳に追加

しきい値電圧の経時的な低下を抑制でき、またアルミ配線による絶縁膜の腐食やＡｌスパイクに起因するゲート・ソース間の短絡を防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving reliability of a gate insulating film of the semiconductor device when a contact electrode having Al atoms is used, and method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ａｌ原子を有するコンタクト電極が用いられる場合に、半導体装置のゲート絶縁膜の信頼性を向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor layer (buffer layer) 9 has a gate impurity region 12, which contains an added impurity of conductivity which is opposite to that of the channel in its contacting part with the gate electrode 1, and the percentage composition of the Al element of the compound constituting the buffer layer 9 is changed halfway in the thickness direction.例文帳に追加

半導体層（バッファ層９）は、ゲート電極１３に接する部分にチャネルとは逆導電型の不純物が添加されたゲート不純物領域１２を有し、当該バッファ層９を構成する化合物の特定の元素（Ａｌ）の組成比が厚さ方向の途中で変えてある。 - 特許庁