意味 | 例文 (482件) |
Ag atとは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「Ag at」の意味 |
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AGAT
human | 遺伝子名 | AGAT |
同義語(エイリアス) | Transamidinase; GATM; AT; L-arginine:glycine amidinotransferase | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P50440 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:2628 | |
その他のDBのID | HGNC:4175 |
mouse | 遺伝子名 | Agat |
同義語(エイリアス) | MGMT; 6-O-methylguanine-DNA methyltransferase; O-6-methylguanine-DNA-alkyltransferase; AGT; MGC107020; Mgmt; AI267024; Methylated-DNA--protein-cysteine methyltransferase; O-6-methylguanine-DNA methyltransferase | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P26187 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:17314 | |
その他のDBのID | MGI:96977 |
rat | 遺伝子名 | Agat |
同義語(エイリアス) | AT; Transamidinase; Gatm; L-arginine: glycine amidinotransferase; MGC93388; L-arginine:glycine amidinotransferase | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P50442 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:81660 | |
その他のDBのID | RGD:71090 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「Ag at」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 482件
To provide a method for manufacturing a Cu-Ag alloy wire for manufacturing an extra-fine Cu-Ag alloy wire at high productivity, and the extra-fine Cu-Ag alloy wire.例文帳に追加
極細のCu-Ag合金線を生産性よく製造できるCu-Ag合金線の製造方法及び極細のCu-Ag合金線を提供する。 - 特許庁
The alloying elements comprise at least one of the group of Cr, Co, Zn, and Ag.例文帳に追加
合金化金属は、Cr,Co,Zn,Agである。 - 特許庁
The metal is at least one kind selected from Ag, Pt, Pd, Au.例文帳に追加
金属は、Ag、Pt、Pd、Auから選択される少なくとも1種である。 - 特許庁
The Ag film 4 comprises a metal which is not oxidized at room temperature in an atmosphere.例文帳に追加
Ag膜4は大気中、室温で酸化されない金属である。 - 特許庁
At the Mitsukoshi department store in Ginza, Tokyo, boyfriend jeans from Current/Elliott and AG are selling well.発音を聞く 例文帳に追加
東京・銀座にある三(みつ)越(こし)百貨店では,カレントエリオットやAGのボーイフレンドデニムがよく売れている。 - 浜島書店 Catch a Wave
It is preferable that the metal film 4 contains at least one selected from a group of Au, Ag, Cu, Pt, Ni, Co, Fe, and Al.例文帳に追加
金属膜4は、Au、Ag,Cu,Pt、Ni、Co、Fe及びAlからなる群より選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましい。 - 特許庁
The brazing material contains Ag or Ag-Cu, and contains, as active metal, at least one selected from the group of Ti, Hf and Zr.例文帳に追加
また、上記ろう材はAg或いはAg−Cuを含み上記ろう材が、活性金属としてTi,Hf,Zrの少なくとも1種を含む。 - 特許庁
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「Ag at」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 482件
(2) In the reflective film laminate, the Ag alloy contains totally 0.1 to 5 atom% of at least one of Au, Pt, Pd and Rh.例文帳に追加
7×[A]+13×[B]≦8 ------(1)式(2) 前記反射膜積層体においてAg合金がAu、Pt、Pd、Rhの1種以上を合計で0.1 〜5原子%含有するもの等。 - 特許庁
Without having to move the dispense syringe needle 13, the Ag paste adhesive bond 16 is injected at one-time dispensing.例文帳に追加
ディスペンスシリンジニードル13を移動させないで、1回のディスペンスでAgペースト接着剤16を射出する。 - 特許庁
Sn-Zn-containing low melting point PB free solder is used instead of the Sn-Ag-Cu-containing Pb free solder to improve the impact resistance reliability of the solder connections at a low cost.例文帳に追加
Sn-Ag-Cu系はんだの代わりにSn-Zn系低融点Pbフリーはんだを用いることによって低コストで耐衝撃信頼性を向上させる。 - 特許庁
To provide a piezoelectric compact of ceramic composition having various excellent piezoelectric properties, capable of being fired at a low temperature and capable of being fired with comparatively inexpensive electrode material such as Ag or Ag rich Ag-Pd at the same time.例文帳に追加
優れた圧電諸特性を有すると共に、低温での焼成が可能で、AgまたはAgリッチなAg−Pdのような比較的安価な電極材料と同時に焼成できる圧電体磁器組成物を提供する。 - 特許庁
An Ag film is formed by a magnetron sputtering method wherein the discharge voltage is kept at 200-350V and the magnetic field intensity on an Ag-target surface is kept at 700-1,200 oersted during Ag-film formation.例文帳に追加
【解決手段】 Ag膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が200〜350Vに保持し、Agターゲット表面の磁界の強さが、Ag膜の成膜時に、700〜1200エルステッドに保持して、Ag膜を成膜する。 - 特許庁
When an arbitrary observation viewing field is taken within 1,000 nm×1,000 nm in the cross section of this Cu-Ag alloy wire, the area ratio of crystalline precipitate, in which a maximum length of a straight line that cuts the crystalline precipitate does not exceed 100 nm, is at least 40%, in the crystalline precipitate of Ag existing in the observation viewing field.例文帳に追加
このCu-Ag合金線の断面において1000nm×1000nm以内で任意の観察視野をとったとき、この観察視野中に存在するAgの晶析出物のうち、晶析出物を切断する直線の最大長さが100nm以下である晶析出物の面積率が40%以上である。 - 特許庁
The fuse element built in the electric component to be mounted at 240-320°C comprises a Ag-Sn composition consisting of 10-50 weight % of Ag and Sn in the rest, or 1-10 weight % of Sb added to the Ag-Sn composition consisting of 10-50 weight % of Ag and Sn in the rest.例文帳に追加
温度240℃〜320℃で実装される電気部品に内蔵されるヒュ−ズ素子であり、Agが10〜50重量%、残部がSnからなるAg−Sn組成、またはAgが10〜50重量%、残部がSnからなるAg−Sn組成にSbが1〜10重量%添加された組成とされている。 - 特許庁
In this way, by forming the Cr thin film at the boundary between Ag and Au, and on the surface of Ag, it becomes possible to prevent the intermetallic diffusion between Ag and Au and also the Ag oxidation and the gas absorption, thereby enabling long-term frequency stability.例文帳に追加
このように、AgとAuの境界と、Agの表面にCrの薄膜を形成することにより、AgとAuの金属間拡散を防止し、更にAgの酸化やガス吸着を防止することができ、これによって、長期間にわたる周波数の安定性を図ることができる。 - 特許庁
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