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Back-illuminated sensorとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 裏面照射型撮像素子（りめんしょうしゃがたさつぞうそし、英語: Back-illuminated sensor）は、固体撮像素子の一形式。
「Back-illuminated sensor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
WAFER FOR BACK-ILLUMINATED SOLID-STATE IMAGE SENSOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND BACK-ILLUMINATED SOLID-STATE IMAGE SENSOR例文帳に追加
裏面照射型固体撮像素子用ウェーハ、その製造方法及び裏面照射型固体撮像素子 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING BACK-ILLUMINATED IMAGE SENSOR, BACK-ILLUMINATED IMAGE SENSOR MANUFACTURED BY THE MANUFACTURING METHOD, AND IMAGE CAPTURING APPARATUS WITH THE SAME例文帳に追加
裏面照射型撮像素子の製造方法、その製造方法により製造された裏面照射型撮像素子及びそれを備えた撮像装置 - 特許庁
To provide a method and an apparatus by which inspection of a wafer level can be performed on a back-illuminated sensor without penetrating a thick carrier wafer.例文帳に追加
厚いキャリヤウェハを貫通させることなく、背面照射型センサ上でウェハレベルの検査を実行可能にする方法や装置を提供する。 - 特許庁
To maintain linearity between an aperture F value of an image forming optical system and a signal level output from a back-illuminated image sensor.例文帳に追加
結像光学系の絞りＦ値と裏面照射型撮像素子が出力する信号レベルとの線形性を維持する。 - 特許庁
By the method, the variations of thickness of the back-illuminated solid-state image sensor can be reduced at low cost without increasing the number of processes than that of the conventional method.例文帳に追加
これにより、裏面照射型固体撮像素子の厚さばらつきを、従来法に比べて工程数の増加を招かず安価に低減できる。 - 特許庁
To prevent the degradation of image quality due to after-image, concerning a back-illuminated solid-state image sensor in which the backside of a semiconductor substrate is used as an incident light receiving plane.例文帳に追加
半導体基板裏面を入射光の受光面とする裏面照射型固体撮像素子において、残像による画質劣化を抑制する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can prevent leakage current of a back-illuminated CMOS image sensor.例文帳に追加
裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサーのリーク電流を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
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ウィキペディア英語版での「Back-illuminated sensor」の意味 |
Back-illuminated sensor
出典:『Wikipedia』 (2011/06/18 00:35 UTC 版)
「Back-illuminated sensor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
Then, the mask is formed by using the reverse mask data (E) and the back-illuminated CMOS image sensor is formed by using the formed mask.例文帳に追加
そして、この反転マスクデータ（Ｅ）を用いてマスクを作成し、当該作成したマスクを用いて裏面入射型ＣＭＯＳイメージセンサを作る。 - 特許庁
Design data (A) of a chip of a back-illuminated CMOS image sensor is designed in the same manner as the front-illuminated type by using an IP of a normal CMOS process without considering mirror reversal of a taken image (C) by back illumination.例文帳に追加
裏面入射型ＣＭＯＳイメージセンサのチップの設計データ（Ａ）については、裏面入射による撮像画像（Ｃ）の左右反転を意識することなく、通常のＣＭＯＳプロセスのＩＰを用いて、表面入射型と同様に設計する。 - 特許庁
To provide a back-illuminated solid-state image sensor having a photoelectric conversion layer having a structure that actualizes a high numerical aperture and rapidly and efficiently extracts generated electric charges.例文帳に追加
高い開口率を実現可能にするとともに、生成された電荷を迅速かつ効率的に取り出すことのできる構造を有する光電変換層を有する裏面照射型固体撮像素子を提供すること。 - 特許庁
To provide an epitaxial substrate for a back-illuminated image sensor and a manufacturing method thereof, capable of suppressing metal contaminations and reducing occurrence of a white spot defect of the image sensor, by maintaining a sufficient gettering performance in a device process.例文帳に追加
デバイス工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、イメージセンサの白傷欠陥の発生を低減させることができる裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a back-illuminated CMOS solid-state image sensor, which increases antireflection efficiency to allow improvement in sensitivity, while reducing shading and mixing of colors in neighboring pixels, and also to provide a camera module and an electronic equipment module with the solid-state image sensor.例文帳に追加
反射防止効率を向上してより感度向上を可能にし、シェーディング、隣接画素への光学的な混色を低減した、裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子、及びこの固体撮像素子を備えたカメラモジュール、電子機器モジュールを提供する。 - 特許庁
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裏面照射型撮像素子
英和対訳
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