Bi Cとは 意味・読み方・使い方
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「Bi C」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 65件
In the method for recovering Bi, anhydrous sodium sulfide with a high melting point is added to a Bi-Cu metal in a melted state having a melting point of 700 to 870°C and having a Cu content of 10 to 20 mass%, for removing Cu.例文帳に追加
溶融状態にある融点が700〜８７０℃であって、Cu品位が10〜20 mass％のBi-Cuメタルに、高融点の無水硫化ナトリウムを添加して脱CuするBiの回収方法。 - 特許庁
The grain oriented silicon steel sheet has a composition containing, by mass, ≤0.0060% C, 2.0 to 5.0% Si, 0.03 to 0.20% Mn and 0.0005 to 0.08% Bi, and in which the mean particle diameter of precipitates mainly made up of Bi in ferrite is controlled to ≤2.0 μm.例文帳に追加
質量％で、Ｃ：0.0060％以下、Si：2.0 〜5.0 ％、Mn：0.03〜0.20％およびBi：0.0005〜0.08％を含有する組成とし、かつ地鉄中におけるBi主体析出物の平均粒径を 2.0μm 以下とする。 - 特許庁
A Bi-In alloy having ≤100°C m.p. is suitable for the alloy.例文帳に追加
低融点合金としてはＢｉ−Ｉｎ等の融点が１００℃以下のものが適している。 - 特許庁
To manufacture a Bi-based oxide superconductor thin film whose c-axis is oriented parallel to the substrate surface and whose a-axis (or b-axis) is oriented perpendicular to the substrate surface in order to obtain a high performance layered Josephson junction using a Bi-based oxide superconductor.例文帳に追加
本願発明は、Bi酸化物超電導体を用いて高性能な積層型ジョセフソン接合を得るためには、c軸が基板面に対して平行で、a軸（又はb軸）が基板面に対して垂直に配向したBi系酸化物超電導薄膜を作製することを目的とする。 - 特許庁
To provide a composition for forming a Bi-based dielectric thin film with which a crystallized thin film of Bi-based dielectric can be obtained even by low-temperature baking below 800°C, and also to provide a Bi-based dielectric thin film.例文帳に追加
８００℃未満の低温焼成によってもＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得ることができるＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物とＢｉ系誘電体薄膜を提供する。 - 特許庁
In the case where the bi-directional printing adjustment value Abid for shifting to the left is set (C in the drawing), the direction of the extension range of the bi-directional printing adjustment value Abid is inverted.例文帳に追加
左方シフトの双方向印刷調整値Abidが設定されている場合(図４C)、双方向印刷調整値Abid分の範囲拡張の方向が逆になる。 - 特許庁
This tetragonal BiCoO_3 can be produced by mixing Bi_2O_3 and a Co oxide so that the ratio of Bi to Co becomes 1:1 and reacting the resulting mixture at 1,000-1,300°C under pressure of 3-10 GPa.例文帳に追加
この正方晶BiCoO_3は、BiとCoの比が1:1となるようにBi_2O_3とCo酸化物を混合し、温度が1000℃〜1300℃、圧力が3GPa〜10GPaの条件で反応させることにより製造することができる。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「Bi C」の意味 |
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bic
| fly | 遺伝子名 | bic |
| 同義語（エイリアス） | bicoid; Homeotic protein bicoid; PRD gene 4; BCD; mum: multimorph; prd4; CG1034; BG:DS00276.7; Bcd; PRD-4; bcd; multimorph; Bicoid | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P09081 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:40830 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0000166 |
| fly | 遺伝子名 | bic |
| 同義語（エイリアス） | 107/12; Enhancer of Bicaudal; BcDNA:GM05329; E(Bic); bicaudal; l(2)49Da; vr22; E(2)Bic; Btf; l(2)vr22; l(2)k10712; 5A; BcDNA.GM05329; CG3644; Bic | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:45827 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0000181 |
| human | 遺伝子名 | BIC |
| 同義語（エイリアス） | BIC transcript | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:114614 |
本文中に表示されているデータベースの説明
Weblio例文辞書での「Bi C」に類似した例文 |
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bic
pittas
ホークビット
くび
sakis
プーク
テグー
tejus
the gibbet
「Bi C」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 65件
A bonding group of bi(s)phenol is a direct bond or a divalent linking group selected from -CH_2-, -C(CH_3)_2-, C(CF_3)_2-, -O- and -S-.例文帳に追加
ビ（ス）フェノールの結合基は、直接結合、または−ＣＨ_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−Ｃ（ＣＦ_３）_２−、−Ｏ−、−Ｓ−から選ばれる２価の連結基である。 - 特許庁
A melting temperature is decreased (from 183 to 172°C) by using cream solder consisting of, wt., 60% Sn, 37% Pb, and 3% Bi.例文帳に追加
重量比すず６０［％］、鉛３７［％］、ビスマス３［％］のクリームはんだを用い、融解温度を下げる（１８３→１７２［℃］）。 - 特許庁
The tetragonal BiCoO_3 has such a structure that Bi^3+ ion 11 and Co^3+ ion 12, and O^2- ion 13 are arranged with displacement in the c-axis direction, and shows ferroelectricity because an electric dipole moment is formed by such a displacement of the positive ion and the negative ion.例文帳に追加
正方晶BiCoO_3は、Bi^3+イオン１１及びCo^3+イオン１２とO^2-イオン１３がc軸方向にずれて配置される構造を有し、このような正イオンと負イオンの変位により電気双極子モーメントが形成されることにより強誘電性を有する。 - 特許庁
The fusible alloy for the fuse which is composed of an alloy composition containing 25 to 39wt% Sn and 0.1 to 5wt% Bi and consisting of the balance In without using Pb and whose melting temperature is 120°C to 140°C is constituted.例文帳に追加
Ｐｂを用いず、合金組成をＳｎ２５〜３９ｗｔ％，Ｂｉ０．１〜５％ｗｔ含有し、残部をＩｎとし、溶融温度を１２０〜１４０℃のヒューズ用可溶性合金を構成した。 - 特許庁
An Sn-In alloy, an Sn-Bi alloy, an Sn-Zn alloy, an Sn-Zn-Bi alloy, or In whose solidus temperature becomes 200°C or less is used as a Pb-free solder 4.例文帳に追加
Ｐｂフリーはんだ４として、固相線温度が２００℃以下となるＳｎ−Ｉｎ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系合金もしくはＩｎを用いる。 - 特許庁
The active energy ray-curable resin composition contains (A) a bi-functional urethane(meth)acrylate resin, (B) a bi-functional (meth)acrylate including no double bond and (C) a photo-polymerization initiator.例文帳に追加
（Ａ）二官能ウレタン（メタ）アクリレート樹脂、（Ｂ）二重結合を含まない環状骨格を有する二官能（メタ）アクリレート、および（Ｃ）光重合開始剤を含む活性エネルギー線硬化性樹脂組成物。 - 特許庁
In the sheet section 3, a Bi-Sn-In alloy (the melting point of 60 to 260°C) is molded in a rectangular-parallelopiped sheet shape.例文帳に追加
シート部３は、Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ系の合金（融点＝６０℃〜２６０℃）を扁平な直方体のシート状に成形したものである。 - 特許庁
The optical glass is composed of oxide glass containing Bi^3+ in an amount of 30-70% in terms of cation and has a liquid-phase temperature of ≤800°C.例文帳に追加
カチオン％表示でＢｉ^３＋ ３０〜７０％を含む酸化物ガラスからなり、液相温度が８００℃以下である光学ガラス。 - 特許庁
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