「Bi C」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the case where the bi-directional printing adjustment value Abid for shifting to the left is set (C in the drawing), the direction of the extension range of the bi-directional printing adjustment value Abid is inverted.例文帳に追加

左方シフトの双方向印刷調整値Abidが設定されている場合(図４C)、双方向印刷調整値Abid分の範囲拡張の方向が逆になる。 - 特許庁

This tetragonal BiCoO_3 can be produced by mixing Bi_2O_3 and a Co oxide so that the ratio of Bi to Co becomes 1:1 and reacting the resulting mixture at 1,000-1,300°C under pressure of 3-10 GPa.例文帳に追加

この正方晶BiCoO_3は、BiとCoの比が1:1となるようにBi_2O_3とCo酸化物を混合し、温度が1000℃〜1300℃、圧力が3GPa〜10GPaの条件で反応させることにより製造することができる。 - 特許庁

A bonding group of bi(s)phenol is a direct bond or a divalent linking group selected from -CH_2-, -C(CH_3)_2-, C(CF_3)_2-, -O- and -S-.例文帳に追加

ビ（ス）フェノールの結合基は、直接結合、または−ＣＨ_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−Ｃ（ＣＦ_３）_２−、−Ｏ−、−Ｓ−から選ばれる２価の連結基である。 - 特許庁

A melting temperature is decreased (from 183 to 172°C) by using cream solder consisting of, wt., 60% Sn, 37% Pb, and 3% Bi.例文帳に追加

重量比すず６０［％］、鉛３７［％］、ビスマス３［％］のクリームはんだを用い、融解温度を下げる（１８３→１７２［℃］）。 - 特許庁

The tetragonal BiCoO_3 has such a structure that Bi^3+ ion 11 and Co^3+ ion 12, and O^2- ion 13 are arranged with displacement in the c-axis direction, and shows ferroelectricity because an electric dipole moment is formed by such a displacement of the positive ion and the negative ion.例文帳に追加

正方晶BiCoO_3は、Bi^3+イオン１１及びCo^3+イオン１２とO^2-イオン１３がc軸方向にずれて配置される構造を有し、このような正イオンと負イオンの変位により電気双極子モーメントが形成されることにより強誘電性を有する。 - 特許庁

The fusible alloy for the fuse which is composed of an alloy composition containing 25 to 39wt% Sn and 0.1 to 5wt% Bi and consisting of the balance In without using Pb and whose melting temperature is 120°C to 140°C is constituted.例文帳に追加

Ｐｂを用いず、合金組成をＳｎ２５〜３９ｗｔ％，Ｂｉ０．１〜５％ｗｔ含有し、残部をＩｎとし、溶融温度を１２０〜１４０℃のヒューズ用可溶性合金を構成した。 - 特許庁

An Sn-In alloy, an Sn-Bi alloy, an Sn-Zn alloy, an Sn-Zn-Bi alloy, or In whose solidus temperature becomes 200°C or less is used as a Pb-free solder 4.例文帳に追加

Ｐｂフリーはんだ４として、固相線温度が２００℃以下となるＳｎ−Ｉｎ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系合金もしくはＩｎを用いる。 - 特許庁

The active energy ray-curable resin composition contains (A) a bi-functional urethane(meth)acrylate resin, (B) a bi-functional (meth)acrylate including no double bond and (C) a photo-polymerization initiator.例文帳に追加

（Ａ）二官能ウレタン（メタ）アクリレート樹脂、（Ｂ）二重結合を含まない環状骨格を有する二官能（メタ）アクリレート、および（Ｃ）光重合開始剤を含む活性エネルギー線硬化性樹脂組成物。 - 特許庁

In the sheet section 3, a Bi-Sn-In alloy (the melting point of 60 to 260°C) is molded in a rectangular-parallelopiped sheet shape.例文帳に追加

シート部３は、Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ系の合金（融点＝６０℃〜２６０℃）を扁平な直方体のシート状に成形したものである。 - 特許庁

The optical glass is composed of oxide glass containing Bi^3+ in an amount of 30-70% in terms of cation and has a liquid-phase temperature of ≤800°C.例文帳に追加

カチオン％表示でＢｉ^３＋ ３０〜７０％を含む酸化物ガラスからなり、液相温度が８００℃以下である光学ガラス。 - 特許庁

Further, the non-lead solder also includes one or more of Bi, Si, and Sb, and a liquid phase temperature is 400°C or lower.例文帳に追加

さらに、又、Ｂｉ、ＳｉまたはＳｂのうちから選択される１種類以上を含有し、液相線温度が４００℃以下である無鉛ハンダ。 - 特許庁

The fluorescent intensity can be further improved by burning, at 900°C or higher and 1,100°C or lower, the CaTiO_3 to which the Bi element has been added in an amount of 0.1 atomic% or more and 0.4 atomic% or less.例文帳に追加

ＣａＴｉＯ_３に、Ｂｉ元素を０．１原子％以上０．４原子％以下添加した後、９００℃以上１１００℃以下で焼成することにより、発光強度をより向上させることができる。 - 特許庁

Then, in step S15, an integer sequence bi (i=1 to (n-1)) and a real number C are used to compute initial values B0_i (i=1 to n) for adjustment parameter B_i (i=1 to n).例文帳に追加

また、ステップＳ１５で、整数列ｂｉ（ｉ＝１〜（ｎ−１））と実数Ｃを用いて、調整パラメータＢ_ｉ（ｉ＝１〜ｎ）の初期値Ｂ０_ｉ（ｉ＝１〜ｎ）を算出する。 - 特許庁

This piezoelectric porcelain composition satisfies a relationship of 0.275≤a/c<0.5 and 4≤(2a+3b)/c≤4.5 when the mol ratio of Sr, Bi and Nb in a bismuth layer compound to be a principal component is a:b:c in the piezoelectric porcelain composition consisting essentially of the bismuth layer compound comprising Sr, Bi, Nb and oxygen.例文帳に追加

圧電磁器組成物は、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂおよび酸素からなるビスマス層状化合物を主成分とする圧電磁器組成物において、主成分となるビスマス層状化合物中のＳｒ、ＢｉおよびＮｂのｍｏｌ比をａ：ｂ：ｃとしたとき、０．２７５≦ａ／ｃ＜０．５、かつ、４≦（２ａ＋３ｂ）／ｃ≦４．５の関係を満たす。 - 特許庁

The Bi-base superconductor contains (Bi, Pb) 2223 as a superconducting phase and has a first critical temperature of 110.0 K or above, at which temperature a magnetic susceptibility measured in a state in which a magnetic field is applied in a direction parallel with a c axis of the (Bi, Pb) 2223 and standardized at 95 K is -0.001.例文帳に追加

本Ｂｉ系超電導体は、超電導相として（Ｂｉ，Ｐｂ）２２２３を含むＢｉ系超電導体であって、（Ｂｉ，Ｐｂ）２２２３のｃ軸に平行な方向に磁場が印加されている状態で測定され９５Ｋで規格化された磁化率が−０．００１となる第１の臨界温度が１１０．０Ｋより高い超電導体である。 - 特許庁

At this time, the phase change material is composed of a low melting point alloy essentially consisting of any element selected from In, Sb, Bi and Pb, and having a melting point of about 10 to 327°C.例文帳に追加

その際、前記相変化材料を、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｐｂのいずれかを主成分として、約１０℃以上３２７℃以下の融点を有する低融点合金で構成する。 - 特許庁

The terminals of a customer Ai possessing the living thing Ti and a keeping dealer Bi keeping and growing the living thing Ti and a living thing managing device C are connected through networks N.例文帳に追加

ネットワークＮを介して生物Ｔ_i を所有する顧客Ａ_i 及び生物Ｔ__i を預って生育する預り業者Ｂ_i の端末並びに生物管理装置Ｃを接続する。 - 特許庁

After an upper part electrode is formed on the thin film, heat treatment at a temperature lower than 700°C is performed for three hours or longer, and a Bi-based ferroelectric element is manufactured.例文帳に追加

次いで、該薄膜上に上部電極を設けた後、さらに７００℃未満、３時間以上の第三加熱処理を行ってＢｉ系強誘電体素子を製造する。 - 特許庁

In the definition of the square of t=i by using a complex number i where the square of i=-1, three-dimensional rectangular coordinates represented by numbers realizing T=a+bi+ct (a,b,c are real numbers) are represented with use of x=a, y=b, z=c.例文帳に追加

そこで、ｉの２乗^ ＝−１なる複素数ｉを用いてｔの２乗＝ｉと定義し、Ｔ＝ａ＋ｂｉ＋ｃｔ （ａ、ｂ、ｃは実数）なる数で表される３次元の直交座標はｘ＝ａ 、ｙ＝ｂ 、ｚ＝ｃ で表される。 - 特許庁

To provide a forming method of a Bi-based ferroelectric thin film capable of thin film crystallization at a low temperature and restrained in crystal orientation in a c-axis direction without impairing orientation property in a-axis and b-axis directions, and also to provide an adjusting method of a coating solution for a Bi-based ferroelectric thin film.例文帳に追加

低温での薄膜結晶化が可能で、かつ、ａ、ｂ軸方向への配向性を損なうことなく、ｃ軸方向への結晶の配向が抑制されたＢｉ系強誘電体薄膜の形成方法、およびＢｉ系強誘電体薄膜用塗布液の調製方法を提供する。 - 特許庁

To provide an alloy fuse made of a Bi-Cd-In alloy that has a significant heat cycle resistance property with a working temperature of about 70°C at a diameter below 500 μm.例文帳に追加

Ｂｉ−Ｃｄ−Ｉｎ系合金を用い、ヒュ−ズエレメント径が５００μｍφ未満で作動温度が７０℃前後の耐ヒ−トサイクル性に優れた合金型温度ヒュ−ズを提供する。 - 特許庁

To provide a solder alloy for a high temperature having a melting point above 300°C and excellent mechanical characteristics without containing Pb and Bi and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ＰｂやＢｉを含有することなく、３００℃以上の融点を有するとともに、機械特性に優れる高温用のはんだ合金とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The viral inactivation method comprises performing the heat treatment of a human protein S-containing solution at a temperature of 55-65°C for about 10-20 hr. in the presence of ≥1 mM a bi- or higher-valent metallic ion, for example, a calcium ion.例文帳に追加

ヒト・プロテインＳ含有溶液に、２価以上の金属イオンとして例えばカルシウムイオンを１ｍＭ以上に存在させ、５５〜６５℃で１０〜２０時間程度加熱処理を施す。 - 特許庁

(c) At least one kind out of Si component, B component, alkaline metal component, alkaline earth metal component, Bi component, Zn component, Cu component and Pb component is included as subcomponent.例文帳に追加

（ｃ）副成分として、Ｓｉ成分、Ｂ成分、アルカリ金属成分、アルカリ土類金属成分、Ｂｉ成分、Ｚｎ成分、Ｃｕ成分、Ｐｂ成分のうち少なくとも１種を含有する。 - 特許庁

The low melting-point metal sheet 1 has a constitution in which grains 5 of an organic polymer (nylon 12, nylon 66, nylon 6, PES or the like) are dispersed in a base material 3 obtained by molding a Bi-Sn-In alloy (melting point of 60°C to 100°C) in a sheet shape.例文帳に追加

低融点金属シート１は、Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ系の合金（融点＝６０℃〜１００℃）をシート状に成形した基材３中に、有機系ポリマー（１２ナイロン，６６ナイロン，６ナイロン，ＰＥＳ等）の粒子５が分散した構成を有している。 - 特許庁

The coating layer 3 is formed by metal resinate of Zr, a metal resinate of one or more types from Bi, Sn, In, applying a paste comprising organic resin on the base material glass 2, and calcining it at 500-900°C.例文帳に追加

コーティング層３は、Ｚｒの金属レジネートと、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｉｎのうち一種以上の金属レジネートと、有機樹脂とからなるペーストを上記基板ガラス２に塗布し、５００〜９００℃で焼成することにより形成される。 - 特許庁

The first and second parts 11 and 12 consist, for example, of a compound having a bismuth layered structure such as a compound oxide containing at least Sr, Bi and Nb, and have a c-axis orientation degree different from each other.例文帳に追加

第１および第２の部分１１および１２は、たとえば、少なくともＳｒ、ＢｉおよびＮｂを含む複合酸化物のようなビスマス層状構造を有する化合物からなり、ｃ軸の配向度が互いに異なる。 - 特許庁

With a substrate temperature (film forming temperature) being kept at about 370°C by an ECR sputtering, a metal oxide (SBT) consisting of strontium (Sr), bismuth (Bi), tantalum (Ta), and oxygen (O) is deposited on a substrate 101.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法により基板温度（成膜温度）を３７０℃程度とした状態で、ストロンチウム（Ｓｒ）とビスマス（Ｂｉ）とタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）とからなる金属酸化物（ＳＢＴ）を基板１０１の上に堆積する。 - 特許庁

In the process for producing an electronic component, an Sn-Bi alloy plating layer constituting a connection conductive layer 8 formed on the surface of a lead 2 is melted by immersing it, for a very short time of 0.2-5 sec, into a fluorine based inactive chemical liquid heated at 220-280°C which is higher than the melting point of the Sn-Bi alloy plating layer.例文帳に追加

開示される電子部品の製造方法は、リード２の表面に形成した接続用導電層８を構成するＳｎ−Ｂｉ合金めっき層を、Ｓｎ−Ｂｉ合金めっき層の融点以上である２２０〜２８０℃に加熱したフッ素系不活性化学液内に０．２〜５秒間のごく短時間浸漬することで溶融させる。 - 特許庁

Free-cutting stainless steel containing one or more kinds among S, Se, Te, Pb and Bi as free-cutting components are used as the stock and subjected to warm forging at 400 to 600°C to be formed into dimensions close to those of the shape of parts.例文帳に追加

快削成分としてＳ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｂｉのうちいずれか１種以上を含有する快削ステンレス鋼を素材として、４００〜６００℃の温度において温間鍛造加工により、部品形状に近い寸法に成形する。 - 特許庁

When continuously casting steel containing 0.01-0.2 mass% Bi, a casting condition is set so that the ratio of reduction of area required by the Greeble test to be carried out at the slab temperature of 1,200-1,400°C is not less than 50%.例文帳に追加

Ｂｉを０．０１〜０．２質量％含有する鋼を連続鋳造するに際し、鋳片温度を１２００〜１４００℃にして行うグリーブル試験で求められる絞り値が５０％を下回らない様に鋳造条件を設定する。 - 特許庁

With use of the molecular beam epitaxial growth method, the GaN_yAs_1-x-yBi_x mixed-crystal film 4 is grown at the substrate temperature of 450°C or lower using plasma cell as the N atom supplying method and Knudsen cell as the Bi atom supplying method.例文帳に追加

分子線エピタキシャル成長法を用い、Ｎ原子の供給法としてプラズマセルを用い、Ｂｉ原子供給法としてクヌードセンセルを用い、基板温度４５０度以下でＧａＮ_y Ａｓ_1-x-y Ｂｉ_x 混晶膜４を成長させる。 - 特許庁

The alloying element is selected from boron (B), carbon (C), aluminum (Al), silicon (Si), titanium (Ti), vanadium (V), manganese (Mn), chrome (Cr), zirconium (Zr), niobium (Nb), molybdenum (Mo), ytterbium (Yb), lutetium (Lu), hafnium (Hf), bismuth (Bi) and tungsten (W).例文帳に追加

合金化元素は、ホウ素(Ｂ)、炭素(Ｃ)、アルミニウム(Ａｌ)、ケイ素(Ｓｉ)、チタン(Ｔｉ)、バナジウム(Ｖ)、マンガン(Ｍｎ)、クロム(Ｃｒ)、ジルコニウム(Ｚｒ)、ニオブ(Ｎｂ)、モリブデン(Ｍｏ)、イッテルビウム(Ｙｂ)、ルテチウム(Ｌｕ)、ハフニウム(Ｈｆ)、ビスマス(Ｂｉ)及びタングステン(Ｗ)から選択される。 - 特許庁

To provide an alloy type thermal fuse using a fuse element of which, alloy composition is In-Sn-Bi group, having an operation temperature ranging between 65°C-75°C to fulfill the demand of environment protection, having very fine diameter of about 300 μmϕ, restrained from self-heat generation, with good heat resistant stability.例文帳に追加

ヒューズエレメントの合金組成にＩｎ−Ｓｎ−Ｂｉ系を用い、作動温度６５℃〜７５℃の範囲で、環境保全の要請を充足し、ヒュ−ズエレメント径をほぼ３００μｍφ程度に極細化し得、自己発熱をよく抑え得、しかも耐熱安定性を良好に保証できる合金型温度ヒュ−ズを提供する。 - 特許庁

The thin film is preferably obtained by using a target comprising CaTiO_3 containing the Bi element to form a thin film by a pulsed laser deposition method at a temperature of 600-1,000°C in an atmosphere having an oxygen pressure of 200-1,000 mTorr and by heat-treating the thin film in the atmosphere at a temperature of 900-1,100°C.例文帳に追加

前記薄膜は、ＣａＴｉＯ_３にＢｉ元素を添加したターゲットを用いて、２００ｍＴｏｒｒ以上１０００ｍＴｏｒｒ以下の酸素圧雰囲気、６００℃以上１０００℃以下の温度で、パルスレーザー堆積法により薄膜を形成し、大気中で９００℃以上１１００℃以下の温度で熱処理することが好ましい。 - 特許庁

An ingot for thermoelectric module contains at least two kinds of elements selected from among a group composed of Bi, Sb, Te, and Se and contains a plurality of hexagonal recrystallized grains, with their c-faces being aligned in one direction.例文帳に追加

熱電モジュール用インゴットは、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＳｅからなる群から選択された少なくとも２種の元素を含有し、結晶構造が六方晶系でありそのｃ面が一方向に整列している複数の再結晶粒を有する。 - 特許庁

The alloying element is selected from boron (B), carbon (C), manganese (Mn), copper (Cu), yttrium (Y), zirconium (Zr), rhodium (Rh), silver (Ag), cadmium (Cd), ytterbium (Yb), hafnium (Hf), iridium (Ir), platinum (Pt), gold (Au), bismuth (Bi) and thorium (Th).例文帳に追加

前記合金化元素は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、銀（Ａｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ハフニウム（Ｈｆ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、ビスマス（Ｂｉ）及びトリウム（Ｔｈ）から選択される。 - 特許庁

The auxiliary material layer 14 consists essentially of at least one element of Sn, Ti, Si, Bi, Ge, C and the like and a dielectric material as a base material in the dielectric layers 16A and 16B contains any one kind of material of ZnS, SiO_2, AlN, Ta_2O_5 and the like.例文帳に追加

補助材層１６は、Ｓｎ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｇｅ，Ｃ等のうちのいずれかの元素を主成分とし、誘電体層１４Ａ、１４Ｂにおける母材としての誘電体材は、ＺｎＳ，ＳｉＯ_２，ＡｌＮ，Ｔａ_２Ｏ_５等のうちいずれか１種類の材料を含んで構成されている。 - 特許庁

To provide an alloy type thermal fuse using a ternary alloy of Sn-In-Bi, having an operational temperature of 130-170°C, with excellent overload property and voltage resistant property, wherein insulation safety after operation is guaranteed, and a thinner fuse element is easily realized.例文帳に追加

Ｓｎ−Ｉｎ−Ｂｉ系三元合金を用い、作動温度が１３０℃〜１７０℃に属し、オーバーロード特性及び耐圧特性に優れ、作動後での絶縁安全性を充分に保証でき、しかもヒューズエレメントの細線化を容易に達成できる合金型温度ヒューズを提供することにある。 - 特許庁

In hot tool steel and cold tool steel, the compositional contents of C, Si, Mn, P, S, Cr, Cu+Ni+Co, 2Mo+W and V as components are limited, and the balance substantially Fe with inevitable impurities, and Nb, Sn, Pb, B, Ta and Bi are not incorporated.例文帳に追加

熱間工具鋼及び冷間工具鋼の成分Ｃ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｐ、Ｓ、Ｃｒ、Ｃｕ＋Ｎｉ＋Ｃｏ、２Ｍｏ＋Ｗ及びＶの含有量を組成限定し、残部が実質的にＦｅ及び不可避的不純物よりなり、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂ、Ｔａ及びＢｉを含有させない。 - 特許庁

A low melting point metal temperature-sensitive material 20 of a Bi system or a Zn system having an operation temperature of 250°C or higher is housed in a circular-shaped deep groove 18 formed almost at the center of the insulation supporting member 11 in a state of a part or a whole directly contacting with the outside air.例文帳に追加

当該絶縁性支持部材１１の略中央に形成された円形状の深溝１８に、動作温度が２５０℃以上のＢｉ系あるいはＺｎ系の低融点金属感温材２０が一部もしくは全部が外気に直接触れる状態で収容配置される。 - 特許庁

The state change promoting material layer 14 consists essentially of at least one element of Sn, Ti, Si, Bi, Ge, C and the like and a dielectric material as a base material in the dielectric layers 16A and 16B contains at least one kind of material of ZnS, SiO_2, AlN, Ta_2O_5 and the like.例文帳に追加

状態変化促進材層１６は、Ｓｎ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｇｅ，Ｃ等のうちのいずれかの元素を主成分とし、誘電体層１４Ａ、１４Ｂにおける母材としての誘電体材は、ＺｎＳ，ＳｉＯ_２，ＡｌＮ，Ｔａ_２Ｏ_５等のうち少なくとも１種類の材料を含んで構成されている。 - 特許庁

To provide an alloy type thermal fuse and a material for the alloy type thermal fuse element in which a Bi-Sn series alloy is used as the fuse element anb an operating temperature is around 140 °C, and which can be safely operated even if used under a high electric power, and furthermore, in which fluctuations of the operating temperature can be reduced sufficiently.例文帳に追加

Ｂｉ−Ｓｎ系合金をヒューズエレメントとして用いた動作温度が１４０℃前後であり、高い電力のもとで使用しても安全に動作させ得、しかも動作温度のバラツキも充分に小さくできる合金型温度ヒューズ及び合金型温度ヒューズエレメント用材料を提供する。 - 特許庁

The first metal component consists either of an Sn-Cu-base alloy or Sn-Cu-Sb-base alloy or formed by adding ≥1 kind of metals among Ag, In, Bi, Zn, and Ni to either thereof to regulate the melting point in the case of the first metal component alone within a range from 261 to 600°C.例文帳に追加

第１金属成分はＳｎ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｓｂ系合金のいずれか、もしくはこれらのうちのいずれかにＡｇ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｎｉのうちの一種以上を添加して第１金属成分単独の場合の融点を２６１℃〜６００℃の範囲内にする。 - 特許庁

The curable resin composition includes a polymerizable compound (A) obtained by reacting an epoxy resin (a1) having a bi-naphthalene skeleton with a radical polymerizable unsaturated double bond-containing mono-carboxylic acid (x1), a reactive diluent (B), and a radical polymerization initiator (C).例文帳に追加

ビナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（ａ１）とラジカル重合性不飽和二重結合含有モノカルボン酸（ｘ１）とを反応させて得られる重合性化合物（Ａ）、反応性希釈剤（Ｂ）およびラジカル重合開始剤（Ｃ）を含有することを特徴とする硬化性樹脂組成物。 - 特許庁