In a Ptとは 意味・読み方・使い方

The amidomalonate N,O-Pt complex having the chemical structure shown in the figure is provided, which is essentially purely obtained by a process including the step of bringing the corresponding amidomalonate O,O'-Pt complex or a mixture of amidomalonate O,O'-Pt and N,O-Pt complex into contact with an aqueous solution of pH 6.0-10.0.例文帳に追加

対応するアミドマロネートO,O'-Pt錯体またはアミドマロネートO,O'-PtおよびN,O-Pt錯体の混合物をpH 6.0〜10.0の水溶液に接触させる段階を含むプロセスによって本質的に純粋に得られる、以下の化学構造を有するアミドマロネートN,O-Pt錯体を用いる。 - 特許庁

The catalyst for cleaning the exhaust gas is obtained by supporting Pt on a CeO_2-ZrO_2-Al_2O_3 compound oxide in which Al/(Ce+Zr) is within a range of 1/20 to 50/20.例文帳に追加

Al／（Ce＋Zr）が 1／20〜50／20の範囲にあるCeO_2−ZrO_2−Al_2O_3複合酸化物にPtを担持した。 - 特許庁

Further, it is thought that in Pt supported by the ceria-zirconia composite oxide, a Pt-O-Ce bond is formed between Ce present finely on a Ce/alumina surface.例文帳に追加

またセリア−ジルコニア複合酸化物に担持されているPtは、Ce／アルミナ表面に微細に存在するCeとの間でPt−Ｏ−Ce結合が形成されると考えられる。 - 特許庁

To provide a Pt-CNT (Platinum-Carbon Nano Tube) composite plating structure in which the omission of the CNT is prevented and the surface area of Pt itself is increased.例文帳に追加

CNT（カーボンナノチューブ）の脱落を防止でき、また、Ptそのものの表面積を増大させることができるPt−CNT複合めっき構造体を提供する。 - 特許庁

In a Pt-Ir binary alloy, the content of Ir is >0 to <50 wt.%.例文帳に追加

Pt-Ir2元合金において、Ir含有量が、0重量%を超え、かつ50重量%未満である。 - 特許庁

The exhaust gas purification catalyst comprises a carrier 4, platinum (Pt) 7 deposited on the carrier 4, and a fixing agent comprising an oxide of a lanthanoid (LnOx) 5 and palladium oxide (PdO) 6 that is formed and disposed in the periphery of platinum (Pt) 7 and suppresses the agglomeration of neighboring platinum (Pt) 7 particles.例文帳に追加

担体４と、担体４に担持された白金（Pt）７と、隣り合う白金（Pt）７同士の凝集を抑制し、白金（Pt）７の周囲に形成されたランタノイド酸化物（LnOx）５と酸化パラジウム（PdO）６とを含む固定体と、を有する。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element having electrodes including a Pt layer adjacent an Au layer 14, a Ti layer 12 of 50 nm, a Pt-Mo layer 13 of 50 nm, an Au layer 14 of 300 nm are laminated on a P-GaAs cap layer 9.例文帳に追加

Au層に隣接したPt層を含む電極を備えた半導体発光素子において、P-GaAsキャップ層９上にTi層12を50nm、Pt-Mo層13を50nm、Au層14を300nmの厚さで順次積層して形成した。 - 特許庁

A maldistribution part 3 having a Pd area 31 which is the outer peripheral part of this catalyst and in which Pd of high concentration is deposited and a Pt area 30 which is the inner peripheral part of the Pd area and in which Pt of high concentration is deposited is formed in this catalyst at least on the upstream side of exhaust gas.例文帳に追加

外周部にPdを高濃度担持したPd領域31と、Pd領域の内周部にPtを高濃度担持したPt領域30と、をもつ偏在部３を、少なくとも排ガス上流側に形成した。 - 特許庁