K-edgeとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 控え錨; 小アンカ
「K-edge」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 97件
k-Edge-Connected Spanning Subgraph Polyhedron発音を聞く 例文帳に追加
k枝連結全域部分グラフ多面体 - コンピューター用語辞典
A communication network design circuit is configured to be k-edge-connected as a topology of a communication network when a group of vertexes and a value of k are applied, and to output a graph whose costs are the minimum, and to have a next candidate preparation processing part for automatically ensuring that this circuit is the k-edge-connected.例文帳に追加
頂点の集合とkの値が与えられた時に、通信網のトポロジーとして、k-edge-connectedであり、かつ、コスト最小のグラフを出力する回路であって、k-edge-connectedであることを自動的に保証するような次候補作成処理部を有している。 - 特許庁
The oxygen K-edge ELNES has been simulated using a real space multiple scattering approach.発音を聞く 例文帳に追加
酸素のKエッジELNES(スペクトル)が、実空間・多重散乱法を使ってシミュレートされた。 - 科学技術論文動詞集
When an edge amount detection section 16 detects a maximum edge amount, a 1st correction processing section 13 sets K=K' (100% of black rate), and a 2nd correction processing section 14 sets K'=K" to maximize an under color elimination amount.例文帳に追加
エッジ量検出部16で最大のエッジ量が検出されたとき、第1の補正処理部13ではK=K’(墨率100%)とし、第2の補正処理部14ではK’=K”とし、下色除去量を最大とする。 - 特許庁
In manufacturing a semiconductor device of a multi-layered wiring structure, a first low-k film (k<3) is formed on a wafer, and the edge of the first low-k film is cut at a first edge cut position along the circumference of the wafer.例文帳に追加
多層配線構造の半導体装置の製造において、ウエハ上にk<3の第1のLow−k膜を形成し、第1のLow−k膜のエッジをウエハの円周に沿った第1のエッジカット位置でカットする。 - 特許庁
The edge 14 is crossed to both of the direction K in which the coupling part 11 and the second flat plate are ranged, and a direction J orthogonal to the direction K.例文帳に追加
縁14は連結部11と第2の平板部とが連なる方向Kとこの方向Kに直交する方向Jとの双方に対し交差している。 - 特許庁
The edge position EO and the tracking frequency FS are determined simultaneously from addition results of J*K pieces.例文帳に追加
そのJ*K個の加算結果からエッジ位置E0及び追尾周波数FSを同時に決定する。 - 特許庁
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ウィキペディア英語版での「K-edge」の意味 |
K-edge
出典:『Wikipedia』 (2010/09/11 09:27 UTC 版)
K-edge describes a sudden increase in the attenuation coefficient of photons occurring at a photon energy just above the binding energy of the K shell electron of the atoms interacting with the photons. The sudden increase in attenuation is due to photoelectric absorption of the photons.
「K-edge」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 97件
Especially, the resins K stuck on the edge part (an inlet part) of a hole part 13 can be beautifully cleaned.例文帳に追加
殊に孔部13の縁部(入口部)に付着する樹脂Kをきれいにクリーニングできる。 - 特許庁
When the edge lines (i) and (k) show an identical white line, an intersection of the edge lines (i) and (j) can be decided to be a branch point.例文帳に追加
エッジ線i,kが同一の白線を示している場合には、エッジ線i,jの交点を分岐点と判定することができる。 - 特許庁
An inside branch part 421 and a connecting member 43 are provided at a place closer to a base L of the front edge part 41 rather than to an end K of the front edge part 41.例文帳に追加
前縁部41の先端Kよりも前縁部41の付根Lに近い位置には、内側枝部421および連結部材43が設けられている。 - 特許庁
Thus, it is possible to eliminate a decision part for deciding whether or not this circuit is k-edge-connected each time graph deformation which used to be the bottle- neck of a calculating time in a conventional technology, is executed.例文帳に追加
これにより、従来技術において計算時間のボトルネックとなっていたグラフ変形をするたびにk-edge-connectedであるかの判定をするための判定部を排除した通信網設計回路を提供する。 - 特許庁
Finally, a second low-k film is formed on the first protective film, and the edge of the second low-k film is cut at the first edge cut position.例文帳に追加
最後に、第1保護膜上に第2のLow−k膜を形成し、第2のLow−k膜のエッジを前記第1のエッジカット位置でカットする。 - 特許庁
Difference between the edge removing width B of the second low-k film 22 in the upper layer and the edge removing width A of the first low-k film 12 in the lower layer is set at 0.4 mm or more.例文帳に追加
上層の第2low−k膜22のエッジ除去幅Bと、下層の第1low−k膜12のエッジ除去幅Aとの差を0.4mm以上にする。 - 特許庁
Preferably, in an X-ray absorption near-edge structure (XANES) of iron by X-ray absorption analysis, the height of a peak (Fe-K pre-edge) that appears at the low energy side of K-absorption edge based on 1s→3d electron transition is smaller than 0.047 when the peak top of XANES is set to be 1.例文帳に追加
好ましくは、X線吸収分析による鉄のX線吸収端近傍構造(XANES)において、K吸収端の低エネルギー側に現れる1s→3d電子遷移に基づくピーク(Fe−K pre−edge)の高さが、XANESのピークトップを1としたとき、0.047より小さい。 - 特許庁
In the positive active material, an absorption edge peak appearing in the vicinity of 530 eV at oxygen K absorption edge in X-ray absorption spectrum at the oxygen K absorption edge measured in an X-ray absorption fine structure (XAFS) analytical method shows certain behavior.例文帳に追加
この正極活物質は、X線吸収微細構造解析(XAFS)法で測定した酸素K吸収端におけるX線吸収スペクトルにおいて、酸素K吸収端の530eV付近に現れる吸収端ピークが一定の挙動を示すものである。 - 特許庁
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