LOCOS processとは 意味・読み方・使い方

In addition, the process of this method is relatively simple, because only the steps of forming the recessed section 22a and forming the insulating film 30 are added to the process of the normal localized oxidation of silicon(LOCOS) method.例文帳に追加

また、通常のＬＯＣＯＳ法のプロセスに、素子分離用凹部２２ａを形成する工程と素子分離用絶縁膜３０を形成する工程を追加するだけであるから、プロセスが比較的単純である。 - 特許庁

To provide a transistor and its manufacturing method which prevents a leakage current of the source/drain in the LOCOS or shallow trench isolation(STI) process, improves the refresh characteristics of DRAM to avoid damaging a gate oxide film, and reduces the reverse narrow width effect, junction L/C and GOI to improve the characteristics of the transistor, thereby improving the characteristics and the yield of the element.例文帳に追加

ロコス（LOCOS）工程やエス・ティー・アイ（Shallow Trench Isolation：STI）工程時にソース／ドレインの漏洩電流（leakage current）発生を防ぎ、DRAMのリフレッシュ（Refresh）特性を向上させてゲート酸化膜の損傷を防ぎ、逆狭小幅効果（reverse narrow width effect）、接合Ｌ／Ｃ及びGOIを減少させてトランジスタの特性を向上させるため、素子の特性及び収率を向上させることが可能な、トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce etching residue of a metal layer which constitutes the electrode of a capacitance element by eliminating depression caused by step coverage of etching in a process for fabricating a semiconductor integrated circuit device which performs thickness adjustment of an LOCOS film.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ膜の膜厚調整を行う半導体集積回路装置の製造方法において、エッチングの回り込みによる窪みの無い、その結果容量素子の電極を構成する金属層のエッチング残りの発生を少なくする。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device and a CVD system in which the bird's beak length is reduced as micromachining is performed using an LOCOS process.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳプロセスを用いた微細加工に伴ないバーズビーク長を縮小させる半導体装置の製造方法及びＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a lateral MOS transistor that is manufactured without adding any manufacturing process and reduces electric current concentration on a source-electrode side of a Locos oxide film, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

製造工程を追加せずに作製可能で、Ｌｏｃｏｓ酸化膜のソース電極側の電界集中を緩和した横型ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To solve the problem wherein a white ribbon of Si_3N_4 is formed on the surface of a silicon substrate to prevent a gate oxide film from being formed in the area where the white ribbon has been formed in a case wherein LOCOS is formed after a nitrogen annealing process is carried out in a semiconductor manufacturing method.例文帳に追加

半導体製造方法において、窒素アニール後にＬＯＣＯＳを形成する場合、シリコン基板表面にＳi_３Ｎ_４からなるホワイトリボンが生成され、その部分でゲート酸化膜の形成が阻害される。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes an element manufacturing process wherein a semiconductor element is formed on a semiconductor substrate 10 and an interlayer film formation process wherein a LOCOS oxide film 12 having an opening at a desired position is formed as a constituent component of the semiconductor device on the surface RS of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

当該半導体装置の製造方法は、半導体基板１０に半導体素子を作製する素子作製工程と、当該半導体装置の構成要素として、所望の位置で開口するＬＯＣＯＳ酸化膜１２を半導体基板１２の表面ＲＳに形成する層間膜形成工程とを備える。 - 特許庁

It also includes a hole formation process wherein a hole 11a reaching deep in the semiconductor substrate 10 is formed from the surface RS of the semiconductor substrate 10 using the LOCOS oxide film 12 formed in the interlayer film formation process as an etching mask.例文帳に追加

孔形成工程では、層間膜形成工程にて形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜１２をエッチングマスクとして利用して、半導体基板１０の表面ＲＳから該半導体基板１０の深層に至る孔１１ａを形成する孔形成工程を備える。 - 特許庁