La vとは 意味・読み方・使い方

The alloy includes at least one element among Mg, Ca, Sr and Ba, rare-earth elements such as Y, La and Dy, and Ti, Zr, Cr, Fe, Co, Ni, Al, V, Mn, Mo, Ta, W, Re, Pt, Pd and Ir, and the balance Rh.例文帳に追加

Ｒｈに、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｙ，Ｌａ，Ｄｙ等の希土類元素，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｖ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒの少なくとも一種を含有し、残部をＲｈとする合金。 - 特許庁

In addition to MgNi, at least one modifier element selected from the group consisting of Co, Mn, Al, Fe, Cu, Mo, W, Cr, V, Ti, Zr, Sn, Th, Si, Zn, Li, Cd, Na, Pb, La, Ce, Pr, Nd, Mm, Pd, Pt and Ca is contained.例文帳に追加

ＭｇＮｉの他にＣｏ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｔｈ，Ｓｉ，Ｚｎ，Ｌｉ，Ｃｄ，Ｎａ，Ｐｂ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｍｍ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃａからなる群から選択された少なくとも１つの変性剤元素を含む。 - 特許庁

The voltage of the DC power supply 30 or a voltage (E+V_c) of the DC power supply 30 and the capacitive element C is applied to winding La or the current flowing in the winding La is regenerated in the DC power supply 30 or the capacitive element C by turning on/off switching elements S_A, S_B and S_C.例文帳に追加

スイッチング素子Ｓ_Ａ、Ｓ_Ｂ、Ｓ_Ｃのオンオフにより、直流電源３０の電圧Ｅ又は直流電源３０及び容量素子Ｃの電圧（Ｅ＋Ｖ_ｃ）が巻線Ｌａに印加され、あるいは、巻線Ｌａに流れる電流が、直流電源３０又は容量素子Ｃに回生する。 - 特許庁

In this constitution, a length direction size (contact width) La of a part contacting with the sheet 12 in the endless track 14, 16 is preferably set so as to satisfy La≥V×t in advance when the carrier speed of the sheet 12 is V, and a theoretical time value in which the temperature distribution of a thickness direction in the sheet 12 contacting with the part becomes uniform is t.例文帳に追加

以上の構成において、無限軌道１４、１６中のシート体１２に接触する部位の長さ方向寸法（接触幅）Ｌａは、シート体１２の搬送速度をＶ、前記部位に接触したシート体１２の厚み方向の温度分布が均一となる理論時間値をｔとするとき、好ましくは、Ｌａ≧Ｖ×ｔを満足するように予め設定される。 - 特許庁

A drive waveform generation circuit 1 generates a drive waveform signal based on the U-phase, V-phase and W-phase drive currents flowing to drive coils La-Lc, and variably outputs the waveform in response to a drive control signal level Vc.例文帳に追加

駆動波形生成回路１は、駆動コイルＬａ〜Ｌｃへ流すＵ相、Ｖ相及びＷ相駆動電流の元になる駆動波形信号を生成し、駆動制御信号レベルＶｃに応じてその波形を可変出力する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device U2 includes: antenna terminals LA and LB; a rectifier circuit B1; a source-voltage terminal V_DD; a shunt regulator circuit B2; a series regulator circuit B3.例文帳に追加

半導体集積回路装置Ｕ２は、アンテナ端子ＬＡ、ＬＢ、整流回路Ｂ１、電源電圧端子Ｖ_DD、シャントレギュレータ回路Ｂ２、シリーズレギュレータ回路Ｂ３を具備する。 - 特許庁

Besides a zirconyl chloride aqueous solution, other Zr compounds and water-soluble metal compounds of Ti, Hf, V, Nb, Ta, and rare earth metals (for example, Ce and La) can be used as the insolubilizing agent.例文帳に追加

不溶化剤としては塩化ジルコニル水溶液のほか他のＺｒ化合物並びにＴｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、および希土類金属（例えばＣｅ、Ｌａなど）の水溶性金属化合物を用いることができる。 - 特許庁

The high-Cr cast iron may further comprise one or more selected from elements among Nb, Ti, V, Zr, Hf and Ta by ≤0.5% in total and/or one or more selected from elements Ce, La, Pr, Nd and Y by ≤1.0% in total.例文帳に追加

さらに、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａの元素の内、１種以上を合計で０．５％以下及び／又はＣｅ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｙの元素の内、１種以上を合計で１．０％以下を含有することができる。 - 特許庁