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Te Pとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 技術経済計画; 技術経済プログラム
「Te P」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 25件
The first magnetic film 11 contains at least one element selected out of C, P, As, Sn, Sb, Te, and Pb.例文帳に追加
第一の磁性膜11は、C,P,As,Sn,Sb,Te,Pbの中から選択される少なくとも一つの元素を含む。 - 特許庁
As the semimetals, C, B, P, Si, As, Te, Ge, Sb, or the like, are exemplified.例文帳に追加
半金属としてはC,B,P,Si,As,Te,Ge,Sb等が例示される。 - 特許庁
The brazing material 5 also includes preferably a very small amount of P in addition to Sb and Te.例文帳に追加
前記ろう材5には、Sb、Teの他に、Pを微量含んでいることが好ましい。 - 特許庁
The p-type thermoelectric element layer 5 is a thin film layer and turned to a p-type semiconductor by adding Sb to Bi-Te.例文帳に追加
p型熱電素子層5は薄膜層であり、Bi−TeにSbを添加することによりp型半導体としたものである。 - 特許庁
Since the p-type clad layer 13 contains tellurium (Te) as a group VI element, the carrier concentration of the p-type clad layer 13 is increased, and an electrical conductivity is enhanced.例文帳に追加
p型クラッド層13がVI族元素としてテルル(Te)を含むので、p型クラッド層13のキャリア濃度が高くなっており、電気伝導性が向上する。 - 特許庁
Additionally, in order to realize the difference in a concentration, Zn is used as the dopant material in the P-type clad layer 2, and Te is used as the dopant material in the N-type clad layer 4.例文帳に追加
さらに、この濃度差を実現するため、P型クラッド層2の添加材をZnとし、N型クラッド層4の添加材をTeとする。 - 特許庁
Alternatively, the brazing filler metal contains 20 to 65% Sb, 0.01 to 5% Te and 0.001 to 0.5% P, and the balance Sn with inevitable impurities.例文帳に追加
あるいは、Sbを20〜65質量%、Teを0.01〜5質量%、Pを0.001〜0.5質量%を含み、残部がSnおよび不可避不純物である。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「Te P」の意味 |
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TEP
| mouse | 遺伝子名 | TEP |
| 同義語(エイリアス) | protein tyrosine phosphatase, non-receptor type 4; Ptn4; PTPMEG; hPTP-MEG; Ptpn4; TEP/mPTPMEG; testis-enriched phosphatase | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:19258 | |
| その他のDBのID | MGI:1099792 |
本文中に表示されているデータベースの説明
Wiktionary英語版での「Te P」の意味 |
Tep
統計情報
- According to the 2010 United States Census, Tep is the 28263rd most common surname in the United States, belonging to 846 individuals. Tep is most common among Asian/Pacific Islander (89.95%) individuals.
「Te P」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 25件
In an electromagnetic steel sheet that contains Al and/or Si as essential elements and has an insulating coating film on its surface, one or more kinds of nitriding suppressing components selected from Se, Te, As, Sb, P, Bi, Sn and B in a range from 0.005 to 0.5 mass % are contained in the whole steel sheet including the insulating coating film.例文帳に追加
Alおよび/またはSiを必須元素として含有し、表面に絶縁被膜をそなえる電磁鋼板において、絶縁被膜を含む鋼板全体中に、Se, Te, As, Sb, P, Bi, SnおよびBのうちから選んだ1種または2種以上の窒化抑制成分を 0.005〜0.5 mass%の範囲で含有させる。 - 特許庁
Then, when the target engine torque Te^*, the target number N^* of revolutions and the target generation torque Tg^* are increased due to an increase of the target generation power P^*, the target generation torque Tg^* is corrected to be decreased until the target number N^* of revolutions after the increase is obtained, and the target engine torque Te^* is corrected to be increased.例文帳に追加
そして、目標発電電力P^*が増加することで、目標エンジントルクTe^*、目標回転数N^*、及び目標発電トルクTg^*が増加したら、増加後の目標回転数N^*を達成するまでの間、目標発電トルクTg^*を減少補正すると共に、目標エンジントルクTe^*を増加補正する。 - 特許庁
The perpendicular magnetic recording medium contains magnetic crystal particles and a base material surrounding the magnetic crystal particles, and the base material contains an element selected from Zn, Cd, Al, Ga and In, and a component selected from P, As, Sb, S, Se, and Te.例文帳に追加
磁性結晶粒子と、この磁性結晶粒子を取り囲む母材とを有し、母材は、Zn,Cd,Al,Ga,及びInから選択される元素と、P,As,Sb,S,Se,及びTeから選択される成分を含有する。 - 特許庁
A glass containing one or more kinds of nonmetal compounds containing Si, B, C, P, Se and Te is irradiated with pulse laser light to selectively precipitate nonmetal particles in the glass.例文帳に追加
Si、B、C、P、Se、Teの1種又は2種以上を含む非金属化合物を含有するガラスへパルスレーザー光を照射することにより非金属粒子がガラス内部に選択析出させる。 - 特許庁
The growing step includes a first supplying step of supplying Be for use as a p-type impurity to the p-type semiconductor layer 11 and a second supply step of supplying at least one kind of group VI element out of S, Se, and Te having the amount smaller than that of Be supplied in the first supplying step to the p-type semiconductor layer 11.例文帳に追加
成長工程は、p型不純物10としてのBeをp型半導体層11に供給する第1供給工程と、S、Se、およびTeの少なくともいずれか1種のVI族元素を、第1供給工程で供給されるBeよりも少ない量で、p型半導体層11に供給する第2供給工程とを含んでいる。 - 特許庁
This Pb-free solder having wettability close to that of an Sn-Pb eutectic alloy and also excellent mechanical property and oxidation resistance is obtained by adding Sb, Te or/and P to an Sn-Cu base alloy.例文帳に追加
Sn−Cu基合金に、Sbと、Te又は/及びPを添加することによって、Sn−Pb共晶合金に近いぬれ性と優れた機械特性値とを有し、しかも耐酸化特性に優れたPbフリー半田とした。 - 特許庁
An HVECU 100 sets a target speed MRNE* and a target torque TE* of an engine ENG according to a request power PE* of the engine ENG set according to an accelerator position P and a vehicle speed V.例文帳に追加
HVECU100は、アクセル開度Pおよび車速Vを基に設定したエンジンENGの要求パワーPE*に基づいて、エンジンENGの目標回転数MRNE*と目標トルクTE*とを設定する。 - 特許庁
As the special games 1a end at the time te when the elapsed time th reaches the game limit time tc, players P try to increase the number of the game media as much as possible within the game limit time tc.例文帳に追加
経過時間thが遊技制限時間tcに達する時刻teには特別遊技1aが終わってしまうので、遊技者Pは遊技制限時間tc内に遊技媒体の数をできるだけ増やそうとする。 - 特許庁
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