a Si-Cとは 意味・読み方・使い方

The alloy contains Ti, Fe and Si, and when the atomic ratio is Ti:Fe:Si=a:b:c(a+b+c=100), c≤69 is satisfied.例文帳に追加

これは、Ｔｉ、Ｆｅ及びＳｉを含有し、これらの原子比をＴｉ：Ｆｅ：Ｓｉ＝ａ：ｂ：ｃ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１００）としたとき、ｃ≦６９である合金を含むものである。 - 特許庁

The SiC crystal is grown on a growth surface of a seed crystal serving as an Si surface using an Si-Cr-Ni-C melt comprising Si, C, Cr and Ni or an Si-Cr-C melt.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｃ、ＣｒおよびＮｉを含むＳｉ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｃ融液またはＳｉ−Ｃｒ−Ｃ融液により、種結晶の成長面をＳｉ面としてＳｉＣ結晶を成長させる。 - 特許庁

[wherein CRpre is a pre-AJC set cooling rate (°C/sec); LS is a line speed (mpm); Si% is the Si concentration (mass%) in a plating bath; and Ca% is the Ca concentration (mass%) in the plating bath].例文帳に追加

0.9×CRpre≦CR≦1.1×CRpre・・・（A）ここに、CRpre=ｆ(Si%、Ca%）＝4.9×10^-3×LS×（659.05e−0.0096Si%＋500Ca%-577）CRpre：プレAJC設定冷却速度（℃/sec）LS：ラインスピード（mpm）Si%：めっき浴中Si濃度（質量%）Ca%：めっき浴中Ca濃度（質量%） - 特許庁

The identification signal Si of each electronic tag unit 10i is repeatedly read outside the void 1; and during or after the injection of the liquid material C into the void 1, the infilling of the liquid material C into a place Pi for attaching the unit 10i transmitting the identification signal Si is checked by the identification signal Si, the reading of which is stopped.例文帳に追加

空隙１の外側で各電子タグユニット10iの識別信号Siを繰り返し読み取り、空隙１内への液状物質Ｃの注入時又は後に、読み取りの停止した識別信号Siによりその識別信号Siの電子タグユニット10iの取り付け部位Piへの液状物質Ｃの充填を確認する。 - 特許庁

When a GaN layer containing Si is made to adjoin the surface of a sapphire substrate, the c-axis orientational distribution of the GaN layer becomes narrower, as compared with the case where Si is not substantially contained.例文帳に追加

また、サファイア基板面上にSiを含有するGaN層を隣接させると、Siが実質的に含有されていない場合に比べてGaN層のc軸配向性の分布は狭くなる。 - 特許庁

By adding a Si raw material 35 to the SiC raw material 32, the vapor pressure of Si in the raw material gas increases, which reduces a ratio (C/Si) of C to Si of the raw material gas on the crystal growth surface.例文帳に追加

このときＳｉＣ原料３２にＳｉ原料３５を添加すると、原料ガスにおけるＳｉの蒸気圧が高くなり、結晶成長面における原料ガスのＣとＳｉとの比（Ｃ／Ｓｉ）は小さくなる。 - 特許庁

When the SiGeC semiconductor film is formed by CVD method, a cyril methane gas including Si-C-Si joint is used as a C source gas.例文帳に追加

ＣＶＤ法でＳｉＧｅＣ半導体膜を形成するにあたり、Ｃ源ガスとしてＳｉ−ＣーＳｉ結合を含むシリルメタン系ガスを使用する。 - 特許庁

The steel wire for a spring contains, by mass, 0.50 to 0.90% C, 1.0 to 3.0% Si, 0.5 to 1.5% Mn and 0.1 to 5.0% Cr, and has a metallic structure mainly consisting of tempered martensite.例文帳に追加

質量％でC：0.50〜0.90、Si：1.0〜3.0、Mn：0.5〜1.5、Cr：0.1〜5.0を含み、主として金属組織が焼戻しマルテンサイトからなるばね用鋼線である。 - 特許庁