a si-cとは 意味・読み方・使い方

A slab steel having a C content: C [wt.%] of 0.08 to 0.55, an Si content: Si [wt.%] of 0.02 to 0.60; and an Mn content: Mn [wt.%] of 0.3 to 1.5 is used as an object.例文帳に追加

C含有量C[wt%]を0.08〜0.55とし、Si含有量Si[wt%]を0.02〜0.60とし、Mn含有量Mn[wt%]を0.3〜1.5とするスラブ鋼を対象とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the Si-SiC material manufactured by impregnating the material with molten Si comprises manufacturing the Si-SiC material by heat treating a molding consisting of a powder mixture composed of SiC, Si and C at a temperature above the melting point of the Si to make a calcined body and impregnating the calcined body with the molten Si at a temperature above the melting point of the Si.例文帳に追加

溶融Siを含浸して製造するSi-SiC材料において、SiC、Si、Cの混合粉よりなる成形体をSiの融点以上の温度で熱処理して仮焼体を作製し、該仮焼体にSiの融点以上の温度で溶融Siを含浸させてSi-SiC材料を作製することを特徴とするSi-SiC材料の製造方法である。 - 特許庁

Further, ferrite fraction Vf (area%) in a microstructure satisfies inequality 1.05 Vfe1≤Vf≤2.0 Vfe1 in relation with ferrite fraction Vfe1 specified by equation Vfe1=106.7-142.6[C]-0.256[Si]-4.219[Mn]例文帳に追加

Vfe_1＝106.7−142.6[C]−0.256[Si]−4.219[Mn] ……（１） 但し、[C]，[Si]および[Mn]は、夫々Ｃ，ＳｉおよびＭｎの含有量（質量％）を意味する。 - 特許庁

The abrasive part 2 is mainly composed of iron, and carbon equivalent weight Ceq expressed by a formula: Ceq=C+Mn/6+Si/24+Ni/40+Cr/5+Mo/4+V/14, is set to be 0.02 mass% or less.例文帳に追加

Ｃｅｑ＝Ｃ＋Ｍｎ／６＋Ｓｉ／２４＋Ｎｉ／４０＋Ｃｒ／５＋Ｍｏ／４＋Ｖ／１４ - 特許庁

[wherein CRpre is a pre-AJC set cooling rate (°C/sec); LS is a line speed (mpm); Si% is the Si concentration (mass%) in a plating bath; and Ca% is the Ca concentration (mass%) in the plating bath].例文帳に追加

0.9×CRpre≦CR≦1.1×CRpre・・・（A）ここに、CRpre=ｆ(Si%、Ca%）＝4.9×10^-3×LS×（659.05e−0.0096Si%＋500Ca%-577）CRpre：プレAJC設定冷却速度（℃/sec）LS：ラインスピード（mpm）Si%：めっき浴中Si濃度（質量%）Ca%：めっき浴中Ca濃度（質量%） - 特許庁

When a GaN layer containing Si is made to adjoin the surface of a sapphire substrate, the c-axis orientational distribution of the GaN layer becomes narrower, as compared with the case where Si is not substantially contained.例文帳に追加

また、サファイア基板面上にSiを含有するGaN層を隣接させると、Siが実質的に含有されていない場合に比べてGaN層のc軸配向性の分布は狭くなる。 - 特許庁

The bipolar transistor comprises a Si-doped collector electrode layer 2, an undoped collector layer 4, a C-doped base layer 5, a lower emitter layer 7 which is made of a material different from that of the base layer 5 and is Si-doped, a Si-doped upper emitter layer 9, and Si-doped emitter electrode layer 10.例文帳に追加

バイポーラトランジスタは、Siドープのコレクタ電極層２、アンドープのコレクタ層４、Ｃドープのベース層５、ベース層５とは異なる材料からなり、Siドープの下部エミッタ層７、Siドープの上部エミッタ層９、および、Siドープのエミッタ電極層１０からなる。 - 特許庁