electron scattering effectとは 意味・読み方・使い方

By increasing interaction of an atom constituting the organic multi-layered thin film material and an incident electron beam, a scattering effect of the incident electron beam in the organic multi-layered thin film material is increased.例文帳に追加

有機多層薄膜材料を構成する原子と入射電子線の相互作用を増大させることにより有機多層薄膜材料中における入射電子線の散乱効果を大きくする。 - 特許庁

Resolution of features and lines drawn by a resist is improved by applying an electric field below the resist to reduce the proximity effect associated with electron beam scattering.例文帳に追加

電場をレジストの下に印加して電子ビーム散乱に付随する近接効果を低減させ、それによって、レジストによって描画されるフィーチャおよび線の解像度が向上する。 - 特許庁

We ignore the effect of inelastic scattering on the direction of the high-energy electron since most of inelastic processes in solids involve angles considerably smaller than the angles of elastic scattering.発音を聞く 例文帳に追加

われわれは高エネルギー電子の方向についての非弾性散乱効果は無視する; なぜなら固体中の非弾性(散乱)過程のほとんどは、弾性散乱の角度よりも著しく低い(散乱)角度を必然的に伴うからである。 - 科学技術論文動詞集

Since a backscattered electron scattering coefficient of beryllium is smaller compared with that of soft iron or the like, the re-reflecting rate of the electron reflected from the charged beam irradiation surface of the wafer to the opposing surface becomes low, thereby preventing fogging exposure due to a fogging effect.例文帳に追加

ベリリウムは軟鉄等に比べ反射電子散乱係数が小さいので、ウェハの荷電ビーム照射面から対向面に反射した電子が、ウェハ方向に再反射される率が低くなり、ｆｏｇｇｉｎｇ効果によるかぶり露光を防ぐ。 - 特許庁

To provide a photo-electron measuring method and a system capable of reducing the error of the atomic position by shortening a measuring time and by enlarging correction effect relative to distortion of an atomic image caused by anisotropy of electron scattering, and requiring the use of no special facility.例文帳に追加

測定時間を短く、かつ、電子散乱の異方性による原子像の歪みに対する補正効果を大きくすることにより原子位置の誤差を小さくすることができ、かつ、特別な施設を使用する必要がない、光電子測定方法及びシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor solving the problem that carriers in an electron transit layer concentrate on the vicinity of a heterointerface of small mobility to make it difficult to increase electron mobility and also solving the problem that the mobility cannot be made high because of impurity scattering.例文帳に追加

本発明の目的は、電子走行層内のキャリアが、移動度の小さいヘテロ界面近傍に集中し、電子移動度を高くすることができないという問題を解決し、さらに、不純物散乱により移動度が高められないという問題を解決する電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetic resistance element that can be used to develop the structure of an element for preventing electron scattering in a non-magnetic intermediate layer, can prevent magnetic resistance effect through precise film thickness controlling of the non-magnetic intermediate layer, and can artificially control the bias voltage dependence of the magnetic resistance effect.例文帳に追加

非磁性中間層の電子散乱を抑える素子構造を開発し、非磁性中間層の精密な膜厚制御により磁気抵抗効果を抑え、磁気抵抗効果のバイアス電圧依存性を人為的に制御することができるトンネル磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁