flow resistivityとは 意味・読み方・使い方

METHOD FOR DECIDING OPTIMAL VALUE OF HUMIDITY/RESISTIVITY/RECOMBINATION ION FLOW DENSITY AND HIGH LIMIT AND THE LIKE OF DEVICE STATIC RESISTANCE/ALLOWABLE STATIC ELECTRICITY例文帳に追加

湿度・抵抗率・再結合用イオン流密度およびデバイスの静電気耐性・許容静電気の上限等の適値決定方法およびそれを利用した静電気管理 - 特許庁

In a preferable embodiment, the flow volume of the donor material on the occasion to supply the group III material and the donor material alternatively is set, so that the variation width of the resistivity of the n-type nitride semiconductor becomes less than 0.01 Ωcm when the flow volume is changed from 0.5 times to 2 times of the volume.例文帳に追加

好ましい実施形態では、３族原料とドナー原料とを交互に供給する際のドナー原料の流量を、当該流量をその０．５倍から２倍まで変化させたときのｎ型窒化物半導体の抵抗率の変化幅が０．０１Ω・ｃｍ未満となる流量に設定する。 - 特許庁

By forming the grid electrode 2b with material having resistivity and applying independent high voltage to both ends in a longitudinal direction thereof, a current is made to flow in the longitudinal direction of the grid electrode 2b to form potential gradient in the longitudinal direction.例文帳に追加

グリッド電極２ｂを抵抗性の材料で形成して長手方向の両端にそれぞれ独立した高電圧を印加することにより、グリッド電極２ｂの長手方向に電流を流して長手方向の電位傾斜を形成する。 - 特許庁

To allow measurements to be done in a temperature zone removed from the room temperature in a thermoelectric characteristic measuring apparatus which is so structured as to measure a plurality of thermoelectric characteristics including Seebeck coefficient, electric resistivity, and thermal conductivity by causing DC current to flow in a thermoelement.例文帳に追加

熱電素子に直流電流を流してゼーベック係数，電気抵抗率及び熱伝導率などの複数項目の熱電特性を測定するように構成された熱電特性測定装置において，室温より離れた温度領域での測定を可能にする。 - 特許庁

The conductive sheet is provided with a conductive layer formed of a composition composed of a polypropylene polymer of 0.1-10 g/10 minutes melt flow rate containing 5-30 wt.% conductive fibers as a main component, and the surface resistivity of the conductive layer is 1010 Ω or less.例文帳に追加

導電性シートは、導電性繊維を５〜３０重量％含有したメルトフローレート０．１〜１０ｇ／１０分のプロピレン系重合体を主成分とする組成物からなる導電層を有し、その導電層の露出面の表面抵抗率が１０^10Ω以下である。 - 特許庁

The toner contains a binder resin, a colorant and conductive inorganic fine particles having ≤1×10^4 Ω cm powder resistivity and has 3 to 10 μm volume average particle size and 0.94 to 0.995 average circularity measured by flow type particle image analysis.例文帳に追加

結着樹脂、着色剤及び粉体比抵抗が１×１０^４Ω・ｃｍ以下である導電性無機微粒子を含有するトナーであって、体積平均粒径が３〜１０μｍ、フロー式粒子像分析で測定される平均円形度が０．９４〜０．９９５であるトナー。 - 特許庁

In the ALD, supply ratios of TEMAZ and TEMASiH supplied at the same time are controlled by an Ar gas flow ratio, heating temperature or the like to form a metal silicon nitride film of resistivity in accordance with the supply ratios as a resistor thin film.例文帳に追加

ＡＬＤに際して、同時に供給されるＴＥＭＡＺとＴＥＭＡＳｉＨの供給比率をＡｒガス流量比や加熱温度等で制御して、当該供給比率に応じた抵抗率の金属シリコン窒化膜を抵抗体薄膜として成膜する。 - 特許庁

When the epitaxial film is formed on the wafer, a supply gas consisting of a silane compound and a hydrogen gas is made to flow at 50 liters per minute, and the wafer is heated within a temperature range of 1,080 to 1,100°C, thereby greatly improving resistivity characteristics in an epitaxial layer in the peripheral edge region of the formed epitaxial silicon wafer.例文帳に追加

ウェーハ上にエピタキシャル膜を形成する際に、シラン化合物と水素ガスからなる供給ガスを毎分５０リットル以上流し、かつウェーハを１０８０℃以上、１１００℃以下の温度範囲になるように加熱することにより、形成されたエピタキシャルシリコンウェーハの周縁領域のエピタキシャル層内の抵抗率特性が大幅に改善される。 - 特許庁