fs lとは 意味・読み方・使い方

A light source L outputs a continuous uniform light I to be incident on a free-span web section FS.例文帳に追加

光源Ｌは連続した一様な光Ｉを出力し、それがフリースパンウエブ部ＦＳに入射する。 - 特許庁

Transfer data in the HS mode of USB 2.0 are processed in the unit of L bits and transfer data in an FS mode are processed in the unit of K bit on the other hand.例文帳に追加

ＵＳＢ２．０のＨＳモードの転送データはＬビット単位で処理する一方でＦＳモードの転送データはＫビット単位で処理する。 - 特許庁

Whereas, an increase in the number of bits in operation of sum and product is avoided by processing at a 1st low interrupt frequency (fs(L)) for low frequency side processing.例文帳に追加

一方、低域側処理に対しては低い第１の割込周波数（ｆｓ（Ｌ））での処理により、和積演算におけるビット数の増大を回避する。 - 特許庁

After that, when the signal LC becomes an 'L' level, F/Fs 163, 164 and 165 are reset, the output of the NOR gate 167 becomes an 'H' level, the refresh request is inputted into a refresh pulse generating circuit 170 and a refresh enable signal RERF is outputted.例文帳に追加

その後ラッチコントロール信号LCが“L”レベルとなる時点でF/F163,164,165がリセットされ、NORゲート167の出力が“H”レベルとなり、リフレッシュ要求がリフレッシュ用パルス発生回路170に入力されてリフレッシュイネーブル信号RERFが出力される。 - 特許庁

For low-speed receiving signals, it is detected by a low-speed HS_-SQ_- L circuit 52 whether a differential pair of receiving signals DP and DM is present or not, and then an FS differential receiver 44 is started.例文帳に追加

低速の受信信号に対しては、低速用ＨＳ＿ＳＱ＿Ｌ回路５２で差動対の受信信号ＤＰ、ＤＭの有無状態を検出してから、ＦＳ差動レシーバ４４を起動する。 - 特許庁

In succession, etchant L (high-density hydrofluoric acid water solution) is discharged out near the center of the lower surface of the wafer W for a certain time to etch the thin film Fs for beveling (shown in Fig. (a) and (b)).例文帳に追加

続いて、ウエハＷ下面中心部付近に向けて、一定時間エッチング液Ｌ（高濃度のフッ酸水溶液）が吐出されて、ウエハＷ上の薄膜Ｆｓがベベルエッチングされる（図２（ａ）（ｂ））。 - 特許庁

In the second step, a laser light L3 with an ultrashort pulse of 1 to 1,000 fs in an ultraviolet range is used as a predetermined light L, and a boundary surface between the semiconductor layer 3 and the transparent substrate 2 is abraded, so as to easily separate the transparent substrate 2 from the semiconductor layer 3.例文帳に追加

第２工程は、所定の光Ｌとして、紫外領域の１ｆｓ〜１０００ｆｓの極短パルスのレーザ光Ｌ３を用いて、半導体層３と透明基板２との界面をアブレーション加工することにより、透明基板２を半導体層３から容易に分離することができる。 - 特許庁