gas phase etchingとは 意味・読み方・使い方

When gas phase etching is performed in a gas phase etching process P4, since the gas etching passes through the contact layer 26 and the intermediate layer 24 having the intermediate ratio for Al to reach the window layer 22, many pincushion-like minute projections 40 with sufficient height and high aspect ratio are obtained, and the high light extraction efficiency is obtained.例文帳に追加

気相エッチング工程Ｐ４において気相エッチングが施されると、その気相エッチングはコンタクト層２６およびＡｌについて中間的な割合を有する中間層２４を通過してウインドウ層２２に到達するので、十分な高さで高アスペクト比の多数の針山状の微小突起４０が得られて、高い光取り出し効率が得られる。 - 特許庁

An electric charge is poured into the ONO laminated film 5 by plasma dry etching or plasma chemical gas phase growing method after the charge accumulation treatment.例文帳に追加

電荷蓄積処理の後、プラズマ・ドライエッチングまたはプラズマ化学的気相成長法によりＯＮＯ積層膜５に電荷を注入する。 - 特許庁

In the semiconductor storage device, an anisotropic etching gas 33 for obtaining a phase-change memory element M1 is operated under a condition having an etching rate to the interface film 7 lower than a GST film 23 and an upper electrode 24.例文帳に追加

相変化メモリ素子Ｍ１を得るための異方性エッチングガス３３はＧＳＴ膜２３及び上部電極２４よりも界面膜７に対するエッチングレートが低い条件で行われる。 - 特許庁

The etching device comprises an etching chamber 11 for etching an object M in gas phase under predetermined etching conditions, means 20 for observing the progressing conditions of etching of the object M, and means 40 for calculating the etching distribution of the object M based on the observation results of the observing means 20 and setting etching conditions based on the etching distribution.例文帳に追加

被処理対象物Ｍに対し気相中において所定のエッチング処理条件によりエッチング処理するエッチング処理室１１と、被処理対象物Ｍのエッチング進行状況を観察する観察手段２０と、観察手段２０による観察結果に基づいて被処理対象物Ｍにおけるエッチング分布を算出し、当該エッチング分布に基づくエッチング処理条件を設定するエッチング処理条件設定手段４０とを有する。 - 特許庁

Under the temperature and pressure conditon where a water becomes stable in a gaseous state, the etching gas is formed by mixing hydrogen fluoride gas with a catalytic gas hard to vaporize compared to the liquid-phase water and having an ionization power to at least the hydrogen fluoride gas.例文帳に追加

水が気相状態で安定となる温度圧力条件において、フッ化水素ガスを、液相水に比して気化し難く、かつ少なくともフッ化水素に対する電離能を有する触媒ガスと混合させることによってエッチングガスを形成する。 - 特許庁

By forming the furnace tube 5 of quartz and etching the surface layer portion of the furnace tube with a hydrogen fluoride (HF) solution or carrying out gas phase etching with a highly reactive gas to quartz, the average weight concentration is set to be 2 ppm or less, then dehydration and sintering are carried out.例文帳に追加

また、炉心管５を石英で形成し、炉心管表層部をフッ化水素（ＨＦ）溶液によりエッチング、または、石英と反応性の高いガスにより気相エッチングすることにより、平均重量濃度を２ｐｐｍ以下にして脱水、焼結を行なう。 - 特許庁

For etching a glass of Levenson mask, etching Cr in a black defect of a binary mask or etching MoSi in a black defect of a phase shift mask, only the defect region 7 is selectively scanned with the tilted electron beam 4 while blowing xenon fluoride from a gas gun 8 to correct the defect.例文帳に追加

レベンソンマスクのガラスのエッチングや、バイナリマスクの黒欠陥のＣｒのエッチングや、位相シフトマスクの黒欠陥のＭｏＳｉのエッチングには、フッ化キセノンをガス銃８から流しながら前記の傾斜させた電子ビーム４で欠陥領域７のみ選択的に走査して欠陥の修正を行う。 - 特許庁

The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of ≤135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas.例文帳に追加

また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 - 特許庁