grinding crackとは 意味・読み方・使い方

To provide a wafer grinding device which does not cause a crack even if a hard wafer such as a sapphire wafer is ground and worked to be thin.例文帳に追加

サファイアウエーハ等の硬質ウエーハを研削して薄く加工しても割れを生じさせることのないウエーハの研削装置を提供することである。 - 特許庁

After the barrier rib 1 is formed on a back plate 3, a process of screening a barrier rib crack is performed; and in the screening process, vibration and/or pressure is applied to the barrier rib 1 by performing processing, such as grinding on a top portion of the barrier rib 1, to make barrier rib crack advance.例文帳に追加

背面板３に隔壁１を形成後、隔壁１の頂部を研磨する処理等によって隔壁に振動又は／及び圧力を加えて隔壁クラックを進行させる隔壁クラックのスクリーニング工程を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical compensation element, in which the irregularity in the in-plain thickness of an inorganic substrate after grinding/polishing can be reduced and the generation of a crack and a chip in the inorganic substrate after grinding/polishing can be suppressed.例文帳に追加

研削・研磨後の無機基板の面内厚みむらを低減することが可能で、かつ、研削・研磨後の無機基板に割れや欠けが発生するのを抑制することが可能な光学補償素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a grinding technique to smooth out fine irregularities on the side face of a silicon block in a short time, thus improving the crack yield of a silicon wafer.例文帳に追加

短時間でシリコンブロックの側面に存在する微少な凹凸を平坦化する研磨技術を提供し、シリコンウエハの割れ歩留りを改善することを課題とする。 - 特許庁

To prevent the failure (a crack, scattering or the like of a semiconductor chip) occurring upon a back grinding step, and to enhance reliability and production yield of semiconductor devices.例文帳に追加

バックグラインド工程の際に生じる不良（半導体チップの欠けや飛散等）を防止し、半導体装置の信頼性及び歩留まりを向上させることを目的とする。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor wafer manufactured by a processing method hardly causing warpage, never causing a crack, and achieving a high substrate manufacturing process yield and a high device in-plane yield in forming a mirror wafer from a nitride semiconductor crystal by executing back grinding, outer periphery grinding, and surface grinding/polishing; and to provide a device using the same.例文帳に追加

窒化物半導体結晶から裏面研削、外周研削、表面研削・研磨してミラーウエハーとする際に、反りが少なく、クラックが発生せず、基板作製プロセス歩留まりが高く、デバイス面内歩留まりが高い加工方法によって作製した窒化物系半導体ウエハ−とそれを使ったデバイスを提案する。 - 特許庁

To provide a spherical surface grinding method and a spherical surface grinding device capable of shortening a processing time in following processes and further reducing the number of processes by improving a quality requirement, specifically the depth of crack without reducing a processing efficiency so as to reduce a load on a precise grinding and a polishing in the following processes.例文帳に追加

加工効率を落とすことなく、要求品質、特にクラック深さの向上を図り、後工程である精研削、研磨加工の負担を軽減することにより、後工程の加工時間短縮さらには工程削減が可能な球面研削加工方法および球面研削加工装置を提供すること。 - 特許庁

The polishing processing means of the grinding portion 120 and the polishing portion 130 and the crack removing processing means of the blasting portion 140 can be continuously performed only by rotating the rotary table 110.例文帳に追加

研削部１２０及びポリッシング部１３０の研磨加工手段と、ブラスト部１４０のクラック除去加工手段を、回転盤１１０の回転だけで連続的に行えるようにしている。 - 特許庁