i cuとは 意味・読み方・使い方

The metal oxide film consists of one or more metals I selected from Fe, Co, Ni, Cu, Ti, V, Cr, Zn, Nb, Mo, W and Y.例文帳に追加

前記金属酸化膜の構成金属は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｙから選ばれる１以上の金属Ｉからなる。 - 特許庁

The glass material contains Cu, I, SnO and one or more halogens selected from F, Cl and Br.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｉ、ＳｎＯ及びＦ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる1以上のハロゲンを含有するガラス材料を用いる。 - 特許庁

The anodized film 11 contains metal ions or its compound comprising Mn(II), Fe(III), Ni(II), Cr(III), Co(II), Cu(II), Sn(II), Pb(II), or Ag(I).例文帳に追加

陽極酸化被膜１１は、Ｍｎ(II)、Ｆｅ(III)、Ｎｉ(II)、Ｃｒ(III)、Ｃｏ(II)、Ｃｕ(II)、Ｓｎ(II)、Ｐｂ(II)又はＡｇ(I)からなる金属イオン又はその化合物を含む。 - 特許庁

The copper raw material solution consists of a raw material content and water, the raw material content contains Cu (hfac) tmvs hexafluoroacetylacetonatocopper (I) trimethylvinylsilane ≥90 wt.%.例文帳に追加

銅原料液は、原料成分と水とからなり、原料成分は９０重量％以上のＣｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓを含む。 - 特許庁

Here, the I/O branch wiring 17 is, for example, such a wiring as being comprised of a multilayer structure where Au/Ni/Cu/Cr are laminated, and Au/Ni/Cu is etched at a part of the wiring to provide Cr resistor.例文帳に追加

この場合、例えば、Ｉ／Ｏ分岐配線１７をＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒを積層した多層構造を有する配線とし、この配線の一部においてＡｕ／Ｎｉ／ＣｕをエッチングしてＣｒ抵抗を設ける。 - 特許庁

In the high temp. trapping device 28, unreacted Cu (I) hfacTMVS contained in the exhaust gas from the treating chamber 10 is cracked, and metallic copper is trapped, and, in the low temp. trapping device 30, Cu (II) (hfac) 2 as a reaction by-product is trapped.例文帳に追加

高温トラップ装置２８では処理室１０からの排気ガスに含まれている未反応のＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳが分解して金属銅がトラップされ、低温トラップ装置３０では反応副生成物のＣｕ（II）（ｈｆａｃ）2がトラップされる。 - 特許庁

There is provided the method of loading liposomes with an agent, comprising the following steps: (i) a step of preparing the liposomes containing encapsulated transition metal ions, such as Fe, Co, Ni, Cu, Zn, V, Ti, Cr, Rh, Ru, or Mo; and (ii) a step of adding the agent to the external solution of the liposomes so that the agent is encapsulated in the liposomes.例文帳に追加

（i）封入されたFe、Co、Ni、Cu、Zn、V、Ti、Cr、Rh、Ru、Moなどの遷移金属イオンを含むリポソームを調製する段階、および（ii）物質がリポソームに封入されるように、該リポソームの外部溶液に物質を加える段階を含む、リポソームに物質をローディングする方法。 - 特許庁

Since an ingot I is sliced by a wire saw 10 equipped with a Zn-plated wire 11a, Cu contamination of silicon wafers obtained can be reduced.例文帳に追加

Ｚｎメッキワイヤ１１ａが装着されたワイヤソー１０によりインゴットＩをスライスするので、得られたシリコンウェーハのＣｕ汚染を低減することができる。 - 特許庁