interfacial temperatureとは 意味・読み方・使い方

To provide a metal thin sheet base material having excellent dimensional stability not causing expansion, interfacial peeling or the like even if subjected to a periodic cycle of high temperature and low temperature, a laminate thereof and a manufacturing method of them.例文帳に追加

本発明では、高温と低温の周期的なサイクル下（以下「ヒートサイクル下」ということがある。）にさらしても、膨れ、界面はく離等のない、寸法安定性の優れた金属薄板基材、積層体、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To simply measure a limit temperature which causes the interfacial peeling or the cracking of a ceramic caused by the heat stress originating from a change in temperature in a product using an adhesion structure of a ceramics member and an adhesive material.例文帳に追加

セラミックス部材と接着材の接着構造を用いた製品において、温度変化に由来する熱応力による界面はく離やセラミックス割れが発生する限界温度を、簡便に測定することを目的とする。 - 特許庁

To provide an Sn-Sb based high temperature solder alloy having excellent wettability and also having excellent mechanical properties (particularly, in ductility, and having a reduced aging change at high temperature), and in which an interfacial reaction layer grows slowly, and the reliability in the joint is excellent.例文帳に追加

濡れ性に優れ、かつ機械的特性が優れ（特に、延性に優れ、高温での時効変化が少なく）、さらに界面反応層の成長が遅く接合部の信頼性に優れたSn-Sb系高温はんだ合金を提供する。 - 特許庁

The contact container receives the slip stream of a circulating liquid metal stream and provides a large interfacial surface area and temperature sufficient to decompose the hydride under vacuum to remove hydrogen from molten hydride.例文帳に追加

この接触容器は循環液体金属ストリームのスリップストリームを受け入れ、大きな界面表面積と真空下で水素化物を分解させるのに十分な温度を提供することによって、溶融水素化物から水素を除去する。 - 特許庁

To provide an aluminum chelate-based latent curing agent which exhibits sharp thermal response in a low-temperature region while using an interfacial polymerization product of a polyfunctional isocyanate compound as a microcapsule wall.例文帳に追加

多官能イソシアネート化合物の界面重合物をマイクロカプセル壁として利用しているにも関わらず、低温領域でシャープな熱応答性を示すアルミキレート系潜在性硬化剤を提供する。 - 特許庁

The interfacial reaction between the ZnO single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13 can be suppressed to allow high-temperature growth and heat treatment of the InGaN semiconductor layer 13.例文帳に追加

ZnO単結晶基板１１とInGaN半導体層１３との間での界面反応を抑制できるので、InGaN半導体層１３の高温での成長や熱処理が可能になる。 - 特許庁

To provide a method of forming a film by which a hafnium silicate gate insulating film which can be raised in the temperature of crystallization without deteriorating interfacial characteristics can be formed by a MOCVD method by introducing nitrogen.例文帳に追加

窒素を導入することにより、界面特性を劣化させることなく結晶化温度を上昇させられるハフニウムシリケートゲート絶縁膜のＭＯＣＶＤ法による成膜方法を提供する。 - 特許庁

Then the heat treating temperature for forming an emitter 150 is adjusted in a range of 820-910°C to control the interfacial oxide film condition and the pile up condition of electrons, thus finely adjusting the current amplification factor.例文帳に追加

その後、エミッタ１５０を形成するための熱処理温度を、８２０℃〜９１０℃の範囲で調整することによって、界面酸化膜の状態と電子のパイルアップ状態を制御し、これによって、電流増幅率を微調整する。 - 特許庁