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mz 3とは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 Mz 3 (Menzel 3) 、通称アリ星雲(英: Ant Nebula) は、太陽系から見てじょうぎ座の方向約8、900光年の距離にある若い惑星状星雲で、その形状から双極性星雲に分類される。
「mz 3」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
The optical signal wavelength conversion device has first and second sub MZ waveguides (MZ_A, MZ_B)2, 3, a main MZ waveguide 8, a first electrode 9, a second electrode 10, a main MZ electrode 11 and a signal source 12.例文帳に追加
本発明の光信号波長変換装置は，第１，第２のサブＭＺ導波路（ＭＺ_Ａ，ＭＺ_Ｂ）２，３と，メインＭＺ導波路８と，第１の電極９と，第２の電極１０と，メインＭＺ電極１１と，信号源１２とを有する。 - 特許庁
The photodiode section 3 is integrated in-line with the input side waveguide 4 of the semiconductor MZ modulator section 2.例文帳に追加
フォトダイオード部３は半導体ＭＺ変調器部２の入力側導波路４にインラインに集積されている。 - 特許庁
The electrostatic charge image developing toner contains a binder resin and a low molecular weight polyolefin having a Z average low molecular weight (expressed in terms of polyproplyene) (Mz) of 20,000-70,000, a number average molecular weight (expressed in terms of polyproplyene) (Mn) of ≤7,400 and an Mz to Mn ratio (Mz/Mn) of 3-20.例文帳に追加
結着樹脂とポリプロピレン換算Ｚ平均低分子量（Ｍｚ）とポリプロピレン換算数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｚ／Ｍｎ）が３〜20であり且つＭｚが20,000〜70,000であり且つＭｎが７４００以下である低分子量ポリオレフィンを含有することを特徴とする静電荷像現像用トナー。 - 特許庁
A superposition circuit 13 superposes a signal with 1R [Hz] frequency outputted by a driving circuit 4 and a signal from a dither signal source 12 so as to generate a drive signal of an MZ optical modulator 3 and drive the MZ optical modulator 3.例文帳に追加
重畳回路１３は、駆動回路４が出力する周波数１Ｒ［Ｈｚ］の信号とディザ信号源１２からの信号とを重畳してＭＺ光変調器３の駆動信号を生成しＭＺ光変調器３を駆動する。 - 特許庁
This polyester resin has such characteristics that the proportion of an aromatic carboxylic acid is 95-100 mol % that the the polyester chair is branched, and that the average mol.wt.(Mz) satisfied the equation: 600×103≥Mz≥280×103.例文帳に追加
芳香族ジカルボン酸の割合が９５〜１００モル％であり、かつ分子鎖を有し、その還元粘度（ηｓｐ／ｃ）およびポリスチレン換算Ｚ平均分子量（Ｍｚ）が式（Ｉ）を満足することを特徴とするポリエステルシール材 ６００×１０^3 ≧Ｍｚ≧２８０×１０^3 （Ｉ） - 特許庁
Dither signal component light contained in an output light signal of the MZ optical modulator 3 is converted into an electric signal by a PD (photo diode) 6.例文帳に追加
ＭＺ光変調器３の出力光信号に含まれるディザ信号成分光がＰＤ６にて電気信号に変換される。 - 特許庁
The optical integrated circuit 1 includes a semiconductor Mach-Zehnder interferometer type modulator section (semiconductor MZ modulator setion) 2 and a photodiode section 3.例文帳に追加
光集積回路１は半導体マッハツェンダ干渉計型変調器部（半導体ＭＺ変調器部）２と、フォトダイオード部３とを備える。 - 特許庁
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ウィキペディア英語版での「mz 3」の意味 |
Mz 3
出典:『Wikipedia』 (2011/04/29 04:03 UTC 版)
「mz 3」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
In an LPF (low pass filter) 9, a DC component which is an error signal of an operating point of the MZ optical modulator 3 is detected from an output of the mixer 8.例文帳に追加
ＬＰＦ９では、ミキサ８の出力からＭＺ光変調器３の動作点の誤差信号であるＤＣ成分が検出される。 - 特許庁
The detected error signal is inputted into a summer 10 through an operational amplifier 17, is added to an output of a DC bias power source 11, that is, converted into bias voltage which compensates the operating point drift of the MZ optical modulator 3 and is applied to the MZ optical modulator 3 via a coil 19.例文帳に追加
検出された誤差信号は演算増幅器１７を介して加算器１０に入力され、ＤＣバイアス電圧源１１の出力と加算され、すなわちＭＺ光変調器３の動作点ドリフトを補償するバイアス電圧に変換され、コイル１９を介してＭＺ光変調器３に印加される。 - 特許庁
It is desirable that the dielectric layer 3 is constituted by niobium oxide having a feature that the full width at half maximum of the MZ rays of the characteristic X-rays of niobium is 1.00 Å or larger.例文帳に追加
また、ニオブの特性Ｘ線のＭＺ線のピークの半値幅が１．００Å以上である酸化ニオブによって誘電体層３を構成することが、より好ましい。 - 特許庁
The dielectric layer 3 is made of a niobium oxide having a feature that the full width at half maximum of MZ rays of the characteristic X-rays of niobium emitted when irradiated with an electron beam is 0.98 Å or more.例文帳に追加
誘電体層３は、電子線を照射した際に放出されるニオブの特性Ｘ線のＭＺ線のピークの半値幅が０．９８Å以上である酸化ニオブからなる。 - 特許庁
Further, in order to move the work clamper 31 along a work following locus at a work following speed, a robot drive command information supply means 55 distributes and controls the command to respective drive means MZ, MY, MB of the robot 3.例文帳に追加
そして、ワーククランパ３１をワーク追従軌跡に沿ってワーク追従速度で移動させるべく、ロボット駆動指令情報供給手段５５がロボット３の各軸駆動手段ＭＺ、ＭＹ、ＭＡ、ＭＢに指令を分配して制御する。 - 特許庁
An optical semiconductor device 1 has a semiconductor laser 2 and a MZ interference optical modulator 4 connected by a branching coupler 3, a multiplexing coupler 5, and optical waveguides 11 to 16 and is monolithically integrated, and absorption layers 6 having a longer band gap wavelength than that corresponding to operation light emitted from the semiconductor laser 2 are provided adjacently to at least an output end of the multiplexing coupler 5 and the optical waveguide 16.例文帳に追加
半導体レーザ２およびＭＺ干渉型光変調器４を分岐カプラ３、合波カプラ５および光導波路１１〜１６によって接続し、モノリシック集積した光半導体素子１であって、半導体レーザ２から発する動作光に対応するバンドギャップ波長に比して長いバンドギャップ波長をもつ吸収層６を、少なくとも合波カプラ５の出力端および光導波路１６に隣接させて設けている。 - 特許庁
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