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n-alとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 航空宇宙技術研究所
「n-al」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 335件
In addition to the same, this steel contains ≤0.06% Al, and the product between the Al concentration and the N concentration, i.e., [Al]×[N] is controlled to ≤6.0×10-4 by mass%.例文帳に追加
これに加えて、Al:0.06%以下を含み、AlとNの濃度の積[Al]×[N]がmass%で6.O×lO^-4以下とする。 - 特許庁
(1) 3.0≥{([%Si]/2)+[%Mn]+[%Cr]}≥2.4; and (2) 2.5≥[%Al]/[%N]≥1.7.例文帳に追加
3.0 ≧{([%Si]/2)+[%Mn]+[%Cr]}≧ 2.4 --- (1) 2.5 ≧ [%Al]/[%N] ≧ 1.7 --- (2) - 特許庁
The value of γp(%) satisfies 20 to 65%, which is calculated by formula (1): γp=420X[C]+470X[N]+23X[Ni]+12X[Cu]+7X[Mn]-11.5X([Cr]+[Si])-52X[Al]-49X[Ti]+189, wherein [ ] denotes mass%.例文帳に追加
γp =420X[C]+470X[N]+23X[Ni]+12X[Cu]+7X[Mn]-11.5X([Cr]+[Si])-52X[Al]-49X[Ti] +189 ……(1) 。 - 特許庁
A Ti/Al electrode 105 is formed on the AlGaN layer 103.例文帳に追加
またn型AlGaN層103上にはTi/Al電極105が形成されている。 - 特許庁
Each of the aluminum oxynitride layers is formed of an Al-O-N solid solution, an Al-O-N compound or a mixture of both of them, and AIN may additionally be mixed to it.例文帳に追加
酸窒化アルミニウム層は、Al−O−N固溶体、もしくはAl-N-O化合物もしくは両者の混合物からなり、更に、AlNを添加することもあり得る。 - 特許庁
A slab having a composition containing ≤0.02% Al and 0.0050 to 0.0250% N, and in which N/Al is controlled to ≥0.3 is subjected to hot rolling so as to satisfy FDT: ≥800°C and is thereafter coiled at CT: ≤750°C.例文帳に追加
Al:0.02%以下、N:0.0050〜0.0250%を含み、かつN/Alを0.3 以上としたスラブをFDT :800 ℃以上とする熱延後、CT:750 ℃以下で巻き取る。 - 特許庁
The core 2 is formed of Si-Al-O-N and the clad part 3 is formed of SiO_2.例文帳に追加
前記コア部2は、Si-Al-O-Nから形成され、前記クラッド部3はSiO_2から形成される。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「n-al」の意味 |
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nal
fly | 遺伝子名 | nal |
同義語(エイリアス) | nalyot; Adf 1; Transcription factor Adf-1; CG15845; adf1; ADH distal factor 1; Adh transcription factor 1; l(2)01349; l(2)04065; Adf-1; naylot; Adf1 | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P05552 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:47082 | |
その他のDBのID | FlyBase:FBgn0000054 |
本文中に表示されているデータベースの説明
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「n-al」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 335件
In the expressions, C, N, Ni, Cu, Mn, Cr, Si, Al, Mo, and Ti each denote the content (mass%) of each element.例文帳に追加
γmax=420C+470N+23Ni+9Cu+7Mn-11.5Cr-11.5Si-52Al+189…式1γpot =700C+800N+10(Mn+Cu)+20Ni-9.3Si-6.2Cr-9.3Mo-74.4Ti-37.2Al+63.2…式2ここで、C、N、Ni、Cu、Mn、Cr、Si、Al、Mo、Tiは、それぞれの元素の含有量(質量%)を示す。 - 特許庁
The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加
X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるp型酸化物半導体であって、前記p型酸化物半導体中にY ( ≦X )族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁
≥0.0005%, in total, of one or more among Ca and metallic REM; and Al in an amount satisfying relations of %Ti/%Al≥5 or Al≤0.010% and %Ti/%Al<5.例文帳に追加
例えば、極低炭素鋼で、0.001%≦Sb≦0.02%、非酸化物Ti(Ti*)を0.5(C/12)≦(Ti*/48)−(N/14+S/32)≦3(C/12)かつN≧0.2×Ti*-0.006を満足するように含有し、Ca、金属REMのいずれか1種または2種以上を合計で0.0005%以上、Alを%Ti/%Al≧5またはAl≦0.010%かつ%Ti/%Al<5を満たす範囲で含有する。 - 特許庁
Ti-Al-N FILM AND METHOD FOR DEPOSITING THE SAME例文帳に追加
Ti−Al−N膜およびその形成方法 - 特許庁
The process for producing free-standing III-N layer comprises depositing at least one first III-N layer 15 by means of molecular beam epitaxy on an Li(Al, Ga)O_x substrate 7, where 1≤x≤3.例文帳に追加
Li(Al, Ga)O_X基板(1≦x≦3)7上に、分子線エピタキシ法により少なくとも1つの第一のIII-N層15を堆積させる工程を備える。 - 特許庁
A compound material of Al and N functioning as an n-dopant is formed by increasing Al concentration in a ZnS crystal than N concentration and alternately disposing Al and N at first closest lattice points.例文帳に追加
ZnS結晶中のAl濃度をN濃度よりも高くし、AlとNが互いに第1近接格子点位置に配置されることで、n型ドーパントとして機能するAlとNの複合体を形成する。 - 特許庁
1
アンヌーン
英和対訳
2
アル・マキーン
英和対訳
3
アンナーキド
英和対訳
4
アン・ナービガ
英和対訳
5
ウッディン
英和対訳
6
ウッ・ディーン
英和対訳
7
アッ・スィジスターニー
英和対訳
8
アルキナーニー
英和対訳
9
クトゥッブッディーン
英和対訳
10
クトゥブッディーン
英和対訳
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