「n-al」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A slab having a composition containing ≤0.02% Al and 0.0050 to 0.0250% N, and in which N/Al is controlled to ≥0.3 is subjected to hot rolling so as to satisfy FDT: ≥800°C and is thereafter coiled at CT: ≤750°C.例文帳に追加

Al：0.02％以下、Ｎ：0.0050〜0.0250％を含み、かつＮ／Alを0.3 以上としたスラブをFDT ：800 ℃以上とする熱延後、CT：750 ℃以下で巻き取る。 - 特許庁

The core 2 is formed of Si-Al-O-N and the clad part 3 is formed of SiO_2.例文帳に追加

前記コア部２は、Si-Al-O-Nから形成され、前記クラッド部３はSiO_2から形成される。 - 特許庁

In the expressions, C, N, Ni, Cu, Mn, Cr, Si, Al, Mo, and Ti each denote the content (mass%) of each element.例文帳に追加

γmax=420C+470N+23Ni+9Cu+7Mn-11.5Cr-11.5Si-52Al+189…式１γpot =700C+800N+10(Mn+Cu)+20Ni-9.3Si-6.2Cr-9.3Mo-74.4Ti-37.2Al+63.2…式２ここで、C、N、Ni、Cu、Mn、Cr、Si、Al、Mo、Tiは、それぞれの元素の含有量(質量%)を示す。 - 特許庁

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

≥0.0005%, in total, of one or more among Ca and metallic REM; and Al in an amount satisfying relations of %Ti/%Al≥5 or Al≤0.010% and %Ti/%Al<5.例文帳に追加

例えば、極低炭素鋼で、0.001％≦Sb≦0.02％、非酸化物Ti（Ti*）を0.5（C／12）≦（Ti*／48）−（N／14＋S／32）≦3（C／12）かつN≧0.2×Ti*-0.006を満足するように含有し、Ca、金属REMのいずれか１種または2種以上を合計で0.0005％以上、Alを％Ti／％Al≧5またはAl≦0.010％かつ％Ti／％Al＜5を満たす範囲で含有する。 - 特許庁

The Al-N film has an opaque black color.例文帳に追加

Ａｌ−Ｎ膜は不透明な黒色である。 - 特許庁

Subsequently, the base 2 and the Al-N film are boiled in water.例文帳に追加

次に、基体２及びＡｌ−Ｎ膜を水中で煮沸する。 - 特許庁

Ti-Al-N FILM AND METHOD FOR DEPOSITING THE SAME例文帳に追加

Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ膜およびその形成方法 - 特許庁

The process for producing free-standing III-N layer comprises depositing at least one first III-N layer 15 by means of molecular beam epitaxy on an Li(Al, Ga)O_x substrate 7, where 1≤x≤3.例文帳に追加

Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。 - 特許庁

A compound material of Al and N functioning as an n-dopant is formed by increasing Al concentration in a ZnS crystal than N concentration and alternately disposing Al and N at first closest lattice points.例文帳に追加

ＺｎＳ結晶中のＡｌ濃度をＮ濃度よりも高くし、ＡｌとＮが互いに第１近接格子点位置に配置されることで、ｎ型ドーパントとして機能するＡｌとＮの複合体を形成する。 - 特許庁

An n-type Al_xGa_yIn_1-x-yN layer 11, a light-emitting layer 12 and a p-type Al_xGa_yIn_1-x-y N layer 13 are formed to a dielectric substrate 10, such as sapphire.例文帳に追加

サファイア等の誘電体基板１０に、ｎ型Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ層１１、発光層１２、ｐ型Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ層１３を形成する。 - 特許庁

This phase shift mask is formed by using the material containing Cr, Al, O and N as the phase shift material on a transparent substrate.例文帳に追加

透明基板上に位相シフト物質としてCr、Al、OおよびNを含む物質を使用したことを特徴とする。 - 特許庁

The hard protective film for a working tool is a composite film in which a nitride phase made of Cr-Al-N and a BN phase are three-dimensionally mixed.例文帳に追加

Cr-Al-Nからなる窒化物相とBN相とが三次元的に混じり合う複合膜である加工工具用硬質保護膜。 - 特許庁

It is possible that, in addition to the above composition, N is contained so as to be regulated to ≤600 ppm, or Ca is contained by ≤0.01%, one or more kinds selected from V, Nb and Ti are contained by ≤0.5% in total, and Al is contained by ≤1.5%.例文帳に追加

上記組成に加えNを600ppm以下に規制し、あるいは、Caを0.01%以下、V,Nb,Tiのうち1種類以上を合計で0.5%以下、Alを1.5%以下含んでもよい。 - 特許庁

The steel sheet contains C: 0.2 to 0.7%, Si: 0.01 to 1.0%, Mn: 0.1 to 1.0%, P: 0.03% or below, S: 0.035% or below, Al: 0.08% or below and N: 0.01% or below with the balance consisting of Fe and unavoidable impurities.例文帳に追加

C：0.2〜0.7%、Si：0.01〜1.0%、Mn：0.1〜1.0%、P：0.03%以下、S：0.035%以下、Al：0.08%以下、N：0.01%以下を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁

(Al, Ga, In) N COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系化合物半導体及びその製造方法 - 特許庁

To improve flatness of a layer below an n-clad layer comprising AlxGa1-xN.例文帳に追加

Al_xGa_1-xNから成るｎクラッド層の下層の平坦度を向上させる。 - 特許庁

The first and second nucleation layers are composed of Al_xIn_yGa_(1-x-y) N.例文帳に追加

第１と第２の核生成層は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_(1-x-y)Ｎよりなる。 - 特許庁

Thereby, the Al-N film is clarified and becomes a transparent film 3.例文帳に追加

これにより、Ａｌ−Ｎ膜は透明化し、透明膜３となる。 - 特許庁

FREE-STANDING (AL, GA, IN)N AND PARTING METHOD FOR FORMING THE SAME例文帳に追加

独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎおよびそれを形成するための分割方法 - 特許庁

At the time, the n type dopant N ion 12 is injected by a dose amount smaller than that of the Al ion.例文帳に追加

この際、ｎ型ドーパントＮイオン１２をＡｌイオンより少ないドーズ量で注入する。 - 特許庁

A side of the n-side electrode in contact with the n-type layer is composed of an Al layer 11a.例文帳に追加

このｎ側電極のｎ形層との接触面側が、Ａｌ層１１ａにより形成されている。 - 特許庁

For an N-type ZnO, Al doped is used to form a p-n junction, thus obtaining a light-emitting element.例文帳に追加

Ｎ型ＺｎＯとしてはＡｌをドープしたものを用いてＰＮ接合を形成し発光素子を得る。 - 特許庁

The structure of the semiconductor switch comprises Al electrode/p-type single crystal silicon carbide layer, gradient composition layer/n-type single crystal silicon substrate/Al electrode (Al/p-SiC/GCL/n-Si/Al) while the gradient composition layer is a buffer layer between p-SiC and n-Si.例文帳に追加

前記半導体スイッチの構造は、Ａｌ電極／ｐ型単結晶炭化シリコン層／勾配組成物層／ｎ型単結晶シリコン基板／Ａｌ電極（Ａｌ/ｐ−ＳｉＣ／ＧＣＬ／ｎ−Ｓｉ／Ａｌ）を含み、前記勾配組成物層はｐ−ＳｉＣとｎ−Ｓｉの間の緩衝層である。 - 特許庁

An Al/Ti/Pt/Au multiple metal layer 32, an AuSn solder layer 33, an Au/Ni/Al/Ti multiple metal layer 15, an n^+ contact layer (n^+-GaN) 14, and a drift part (n-GaN) 13 are formed on an n-type Si substrate 31.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ基板３１上に、Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ多重金属層３２、ＡｕＳｎはんだ層３３、Ａｕ／Ｎｉ／Ａｌ／Ｔｉ多重金属層１５、ｎ^+コンタクト層（ｎ^+−ＧａＮ）１４、ドリフト部（ｎ−ＧａＮ）１３が形成されている。 - 特許庁

An Al composition x in the n-type clad layer 13, an Al composition y in the p-type clad layer 19, and an Al composition z in the n-type reflection retarding layer 12 satisfy a relationship of x<z and y<z.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１３におけるＡｌ組成ｘ、ｐ型クラッド層１９におけるＡｌ組成ｙ及びｎ型反射抑制層１２におけるＡｌ組成ｚは、ｘ＜ｚで且つｙ＜ｚの関係を満たす。 - 特許庁

Al composition x in Al_xGa_1-xN of the n-type cladding layer 102 is 0.025 or more and 0.04 or less.例文帳に追加

また、ｎ型クラッド層１０２を構成するＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮにおけるＡｌ組成ｘは、０．０２５以上且つ０．０４以下である。 - 特許庁

The embedded layer 16 comprises an n-type (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP, and the p-type clad layer 14 comprises p-type Al_xGa_1-xAs.例文帳に追加

埋め込み層１６はｎ型（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｐにより構成され、ｐ型クラッド層１４は、ｐ型Ａｌ_z Ｇａ_1-z Ａｓにより構成されている。 - 特許庁

A Ti/Al source drain electrode is formed on the n-type GaN and a recess, wherein a part of the n-type Al_0.25Ga_0.75N is exposed, is formed between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

n型GaN上にTi/Alソース・ドレイン電極が形成され、ソース電極とドレイン電極の間にｎ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ｎの一部が露出した凹部が形成されている。 - 特許庁

A lattice mismatching coefficient of an n-type Al_xIn_zP current block layer 50 for an n-type GaAs substrate 41 is set to the uniform value of -0.10% within the n-type Al_xIn_zP current block layer 50.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡs基板４１に対するｎ型Ａl_xＩn_zＰ電流ブロック層５０の格子不整合率を、ｎ型Ａl_xＩn_zＰ電流ブロック層５０内で一様に−０.１０％とする。 - 特許庁

Further, in the subsequent nitriding treatment, the compositional ratio of an (Al, Si) N inhibitor is controlled.例文帳に追加

また、その後の窒化処理において（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎインヒビターの組成比の調整を行う。 - 特許庁

Further, in nitriding treatment, the compositional ratio of an (Al, Si) N inhibitor is controlled.例文帳に追加

また、窒化処理において（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎインヒビターの組成比の調整を行う。 - 特許庁

To provide a method of making an (Al, Ga, In)N semiconductor device having a substrate and an active region.例文帳に追加

基板および活性領域を有する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ半導体デバイスの作製方法が提供される。 - 特許庁

To manufacture (Al, Ga, In) N compound semiconductor without performing an anneal process.例文帳に追加

（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系化合物半導体をアニール工程を行うことなく製造する。 - 特許庁

A gate insulating film containing Hf, Al, O, and N is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に、Ｈｆ、Ａｌ、Ｏ及びＮを含有するゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In the layer A, an amolphous microcrystal (Al_aSi_1-a)(N_xB_1-x) is interposed.例文帳に追加

Ａ層内にはアモルファス微細結晶（Ａｌ_ａＳｉ_１−ａ）（Ｎ_ｘＢ_１−ｘ）が介在する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING Al-C-N-O-BASED FLUORESCENT SUBSTANCE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

Ａｌ−Ｃ−Ｎ−Ｏ系蛍光体及び該Ａｌ−Ｃ−Ｎ−Ｏ系蛍光体の製造法 - 特許庁

The p-type Al_xGa_(1-x)N (0≤x≤1) layer 12 is, for example, a p-type Al_0.08Ga_0.92N例文帳に追加

ここで、ｐ型Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ（０≦ｘ≦１）層１２は、例えばｘ＝０．０８のｐ型Ａｌ_0.08Ｇａ_0.92Ｎ層である。 - 特許庁

A luminous element is formed on the smooth (Al, Ga, In)N thin film 624.例文帳に追加

前記平滑な（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜６２４上に、発光素子を形成する。 - 特許庁

Further, the inevitable impurity is at least one selected from Al, Fe, C and N.例文帳に追加

さらに、前記不可避不純物は、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃ、Ｎの少なくとも一つであることを特徴とする。 - 特許庁

An amount of Al, N, Mo, B, Nb, V having an effect fine dispersing the carbide is specified.例文帳に追加

また、炭化物を微細に分散させる効果があるＡｌ、Ｎ、Ｍｏ、Ｂ、Ｎｂ、Ｖの量を規定する。 - 特許庁

With this structure, the Al atoms of the wire Al piece spreads gradually into the electrode film piece and thermal reacting layer under the high temperature condition and such Al atoms are fetched into a high impurity concentration n-type SiC region at the lower part.例文帳に追加

電極素片８または加熱反応層９と配線Ａｌ素片１０との間に、Ａｌ拡散阻止層１１を設け、Ａｌ原子の拡散を防止する構成とする。 - 特許庁

C, Si, Mn, S, P, Al, Nb, Ti, N and B are incorporated into a steel, and the relation among Ti, Nb or B, C and N are set in a prescribed range.例文帳に追加

Ｃ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｓ，Ｐ，Ａｌ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｎ，Ｂを含有し、Ｔｉ，ＮｂまたはＢと、Ｃ，Ｎとの関係を所定の範囲に設定する。 - 特許庁

An N-side electrode 16 of Ti/Al is formed on the exposed of the N- type semiconductor layer 12 by the side of the resonator forming part.例文帳に追加

共振器形成部の側方であって、ｎ型半導体層１２の露出部には、Ｔｉ／Ａｌからなるｎ側電極１６が形成されている。 - 特許庁

The n-type Al_xGa_yIn_1-x-yN layer 11 is exposed by etching, or the like, to form an N electrode 30.例文帳に追加

この後、ｎ型Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ層１１をエッチング等により露出させ、ｎ電極３０を形成する。 - 特許庁