「n-al」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Al contained in the P-AlInAs layer is oxidized into an Al oxide layer 29 which is formed on each side of a ridge stripe of P-AlInAs layer to serve as a current constriction structure, and the N-AlInAs layer 22 is turned into an Al oxide layer 30 where Al contained in all the layer 22 is all oxidized.例文帳に追加

リッジストライプを構成するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層の両側部は、ＡｌＩｎＡｓ層中のＡｌが酸化されたＡｌ酸化層２９となって電流狭窄構造を構成し、ｎ−ＡｌＩｎＡｓ層２２は、全層にわたりＡｌが酸化されたＡｌ酸化層３０になっている。 - 特許庁

In a semiconductor device including an Al_xGa_yIn_1-x-yN layer and an (Al, Ga, In)N quantum dot located on the Al_xGa_yIn_1-x-yN layer, the ratio of indium in the Al_xGa_yIn_1-x-yN layer is not zero (1-x-y≠0).例文帳に追加

Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層と、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層の上に配置された（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ量子ドットと、を備えた半導体デバイスにおいて、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層におけるインジウム比率がゼロではない（１−ｘ−ｙ≠０）。 - 特許庁

The oxynitride particle boundary phase 4 comprises a crystal phase containing MnSiN2, at least one element 13 of aluminum(Al), yttrium(Y), and silicon(Si), and an amorphous phase 14 containing manganese(Mn), oxygen(O), and nitrogen(N).例文帳に追加

酸窒化物粒界相４にはMnSiN_2を含む結晶相１２と、アルミニウム（Al），イツトリウム（Y ），珪素（Si）の内の少くとも１つの元素１３と、マンガン（Mn），酸素（O ），窒素（N ）を含む非晶質相１４とが含まれる。 - 特許庁

In formula, X^1 and X^2 are aromatic substituent alkyl groups represented by -(AL)-(Ar)n which may be equal to or different from each other, wherein AL denotes an aliphatic hydrocarbon group, Ar denotes an aromatic group and n denotes an integer of 1 to 3.例文帳に追加

（式中、Ｘ^１、Ｘ^２は同一もしくは異なり、−（ＡＬ）−（Ａｒ）ｎで示される芳香族置換アルキル基であり、ここでＡＬは脂肪族炭化水素基、Ａｒは芳香族基、ｎは１〜３の整数である。） - 特許庁

The n-type absorption reducing layer 4 has a larger Al composition ratio than the n-type clad layer 5, and the p-type absorption reducing layer 12 has a larger Al composition ratio than the p-type second clad layer 11.例文帳に追加

ｎ型吸収低減層４はｎ型クラッド層５よりもＡｌ組成比が大きく、ｐ型吸収低減層１２はｐ型第２クラッド層１１よりもＡｌ組成比が大きい。 - 特許庁

The deep UV source comprises: an Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 formed on an AlN layer 4; and an aluminum (Al) metal back layer 6 formed on the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5.例文帳に追加

深紫外光源は、AlN層４上に形成されたAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５、及びAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５上に形成されたアルミニウム（Al）メタルバック層６よりなる。 - 特許庁

The austenitic stainless steel has a composition comprising 0.04 to 0.15% C, 1.5 to 3.0% Si, ≤2.0%例文帳に追加

C:0.04〜0.15%、Si:1.5〜3.0%、Mn:2.0%以下、P:0.04%以下、S:0.03%以下、Cr:15〜30%、Ni:8〜15%、Al:0.05〜0.20%、B:0.001〜0.010%、N:0.15〜0.30%、Ca及び/又はREM:0.01〜0.10%、残部Fe及び不純物からなり、(1)式により規定されるNi(bal)が-1.0〜+2.0であり、Al及びNが(2)式を満足するオーステナイト系ステンレス鋼である。 - 特許庁

Further, the hard protective film for a working tool is a composite film in which a nitride phase made of Cr-Al-N and having a BN content of 8 to 28(vol.%) and a BN phase are three-dimensionally mixed.例文帳に追加

さらに、ＢＮ含有率が８〜２８（vol％）であるCr-Al-Nからなる窒化物相とBN相とが三次元的に混じり合う複合膜である加工工具用硬質保護膜。 - 特許庁

At least a part of a top surface 8a of the semiconductor base layer 10 which is exposed in the trench 42 is an Al-doped nitride represented by In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0.00001≤y≤0.01, and 0<1-x-y≤1).例文帳に追加

トレンチ４２に露出する半導体下地層１０の表面８ａの少なくとも一部が、In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≦x≦1，0.00001≦y≦0.01，0＜1-x-y≦1)で示されるAlドープ窒化物である。 - 特許庁

The carrier concentration of the n-type Al_yGa_(1-y)As second clad layer 14 is lower than the carrier concentration of the n-type Al_yGa_(1-y)As first clad layer 13.例文帳に追加

ｎ型Ａｌ_ｙＧａ_（１−ｙ）Ａｓ第２クラッド層１４のキャリア濃度は、ｎ型Ａｌ_ｙＧａ_（１−ｙ）Ａｓ第１クラッド層１３のキャリア濃度に比べて低くなっている。 - 特許庁

Since Al and N are strongly joined with each other after annealing, electric conductivity is lowered, and a band gap is increased because of the crystal mixing effect of guide layers 3 and 5 and the quantum well layer 4 so as to form a current block layer.例文帳に追加

アニール後にAlとNが強く結合するために電気伝導率が低下し、さらにガイド層3,5と量子井戸層4との混晶効果によりバンドギャップが増大し、電流ブロック層となる。 - 特許庁

Each compound layer contains one or more kinds of elements selected from the groups consisting of the group 4a, 5a and 6a elements in the Periodic Table, Al, Si and B and one or more kinds of elements selected from B, C, N and O as the main components.例文帳に追加

各化合物層は、周期律表4a、5a、6a族元素、Al、Si、Bからなる群の中から選択される１種以上の元素とB、C、NおよびOから選択される１種以上の元素とを主成分とする。 - 特許庁

A manufacturing method of the diode begins by depositing an Al_xGa_1-xN nucleation layer on a SiC substrate, then an n+GaN buffer layer, an n-GaN layer, an Al_xGa_1-xN barrier layer, and an SiO_2 dielectric layer are deposited.例文帳に追加

ダイオードを製造する方法は、ＳｉＣ基板上にＡｌ_xＧａ_1-xＮ核生成層を付着させることによって開始され、次いでｎ＋ＧａＮ緩衝層、ｎ−ＧａＮ層、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ障壁層およびＳｉＯ_2誘電体層を付着させる。 - 特許庁

The base high resistance layer 22 is made of any of a Ta-Si-O, a Ta-Si-O-N, a Ta-Si-Al-O and a Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 23 is made of the same composition.例文帳に追加

下地高抵抗層２２はＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ又はＴａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかで形成され、発熱抵抗層２３も同様の組成で形成される。 - 特許庁

Preferably, the steel sheet contains 30 to 50% Ni, ≤0.50% Mn and 0.01 to 0.03% Al, and the balance Fe with impurities, and, in the above impurities, the content of C is controlled to ≤50 ppm, Si to ≤0.03%, 0 to ≤20 ppm, S to ≤10 ppm and N to ≤20 ppm.例文帳に追加

好ましくは、質量比で、Ni:30〜50%、Mn:0.50%以下、Al:0.01〜0.03%を含み、残部Feおよび不純物からなり、前記不純物のうち、C:50ppm以下、Si:0.03%以下、O:20ppm以下、S:10ppm以下、N:20ppm以下の薄板とする。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes, on a substrate 10 composed of n-type GaAs; an n-type clad layer 12 composed of Al_xGa_1-xP; an active layer 13 composed of GaInP; and the p-type clad layer 15 composed of Al_xGa_1-xP.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓからなる基板１０上に、Ａｌ_ｘＧａ_1-xＰからなるｎ型クラッド層１２、ＧａＩｎＰからなる活性層１３、およびＡｌ_ｘＧａ_1-xＰからなるｐ型クラッド層１５を有する。 - 特許庁

Alternatively, the first nitride semiconductor of the channel layer may be made Al_xGa_1-xN (0.16≤x<1) and a high concentration n type impurity region 6 with impurity concentration of 1×10^18cm^-3 or more may be made just under each source/drain electrode 7.例文帳に追加

或いは、チャネル層の第１窒化物半導体をAl_xGa_1-xN(0.16≦x<1)とし、且つ、各ソース/ドレイン電極７の直下に不純物濃度が1×10^18cm^-3以上の高濃度n型不純物領域６を形成することとしても良い。 - 特許庁

The ZnMgSSe clad layer is doped with Al, Ga, or In as an n-type dopant together with nitrogen as a p-type dopant, wherein the ratio of Al, Ga, or In to N is set at 0.01 to 0.8:1.例文帳に追加

ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層に、ｐ型ドーパントである窒素とともに、ｎ型ドーパントのＡｌ、Ｇａ又はＩｎを０．０１〜０．８の割合で共ドープする。 - 特許庁

The BeMgZnSe clad layer is doped with Al, Ga, or In as an n-type dopant together with nitrogen as a p-type dopant, wherein the ratio of Al, Ga, or In to N is set at 0.01 to 0.8:1.例文帳に追加

ＢｅＭｇＺｎＳｅクラッド層に、ｐ型ドーパントである窒素とともに、ｎ型ドーパントのＡｌ、Ｇａ又はＩｎを０．０１〜０．８の割合で共ドープする。 - 特許庁

A barrier layer 13 formed of Al_xGa_(1-x)N (0<x≤1) is laminated on an operating layer 12 composed of GaN formed on a substrate 11, and a hetero-junction interface is formed of the operating layer 12 and the barrier layer 13.例文帳に追加

基板11上に形成されたGaNからなる動作層12の上に、Al_xGa_(1-x)N(0＜x≦1)からなる障壁層13が積層されており、動作層12と障壁層13とからヘテロ接合界面が形成されている。 - 特許庁

During cooling of the structure 15 and 17 produced in this way, the Li(Al, Ga)O_x substrate 7 completely or largely flakes off the III-N layers 15, or residues 7' can be removed if necessary, by using etching liquid, such as aqua regia.例文帳に追加

このようにして製造された層１５、１７の冷却中、Li(Al, Ga)O_X基板７は全てあるいは大部分がIII-N層１５から脱落し、必要ならば、王水などのエッチング液により残留物７’を除去する。 - 特許庁

The preferable hard coated film is composed at least of one layer of a compound film containing, as its main components, at least one metal element selected from elements of group IVa and Al and at least one element selected from C, N and O.例文帳に追加

硬質被膜はIVa族元素とAlから選択される1種以上の金属元素とC、NおよびOから選択される1種以上の元素とを主成分とする1層以上の化合物膜からなることが望ましい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing device-quality free-standing (Al, Ga, In)N articles by growing a (Al, Ga, In)N material on a sacrificial template and separating the material from the sacrificial template.例文帳に追加

犠牲型板上に成長させた（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料を犠牲型板から分離し、デバイス品質の独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The lower layer 31 is formed by any of Ta-Si-O, Ta-Si-O-N, Ta-Si-Al-O, or Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 33 is also formed by the same composition.例文帳に追加

下部層３１はＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ又はＴａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかで形成され、発熱抵抗層３３も同様の組成で形成される。 - 特許庁

To provide a method of forming an (Al, Ga, In)N thin film on a Ga-face c-plane (Al, Ga, In)N substrate using a c-plane surface with a miscut toward the m-direction at least 0.35°.例文帳に追加

ｍ方向に向かうミスカットが少なくとも０．３５度であるｃ面表面を用いて、Ｇａ面ｃ面（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ基板上に（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

The weight detection sensor substrate consists of high Al-containing ferritic stainless steel comprising 2.5 to 8% Al, ≤0.025% C, ≤0.025% N and ≤0.030% C+N.例文帳に追加

Ａｌ：２．５〜８％を含有し、Ｃ：０．０２５％以下、Ｎ：０．０２５％以下、Ｃ＋Ｎ：０．０３０％以下である高Ａｌ含有フェライト系ステンレス鋼を用いて重量検知センサー基板を構成する。 - 特許庁

A GaN buffer layer 12, an n-Al_xGa_1-xN layer 13, an n-Al_yGa_1-y layer 14, an In_z-Ga_1-zN layer 15, a p-Al_yGa_1-yN layer 16, and a p-GaN layer 17 are layered on a sapphire substrate 11 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ−Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層１３、ｎ−Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層１４、Ｉｎ_ｚＧａ_１−ｚＮ層１５、ｐ−Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層１６およびｐ−ＧａＮ層１７をこの順に積層する。 - 特許庁

In the case of using (m) for the maximum quantity of solid solution of Mg and Al and (n) for the quantity of solid solution at 100°C, as the Al-Mg base casting material, the one which is m-n≥3.6 atom.% and has the dendrite consisting essentially of Al, is selected.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ系鋳造材料として，Ａｌに対するＭｇの最大固溶量をｍとし，また１００℃での固溶量をｎとしたとき，それらの差ｍ−ｎがｍ−ｎ≧３．６原子％であり，且つ前記Ａｌを主成分とするデンドライトを有するものを選定する。 - 特許庁

The movement of each actuator is executed by a temporally varying velocity profile ordered as a function of the position (S _n^actual) decided concerning the set position (S _setpoint) of the component, and thereafter the position (S _n^actual) is redecided.例文帳に追加

アクチュエータの移動は部品の設定位置（Ｓ_setpoint）に関する決定された位置（Ｓ_n ^actual）の関数として指令された時間的に変化する速度プロファイルにより実行され、その後にその位置（Ｓ_n ^actu^al）が再決定される。 - 特許庁

The n-type layer 11 of a light-emitting element 1 has a structure in which a first n-type layer 111, a second n-type layer 112, and a third n-type layer 113 are sequentially laminated on a sapphire substrate 10, and the n-electrode 16 composed of V/Al is formed on the second n-type layer 112.例文帳に追加

発光素子１のｎ型層１１は、サファイア基板１０上に第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２、第３ｎ型層１１３の順に積層された構造であり、Ｖ／Ａｌからなるｎ電極１６は第２ｎ型層１１２上に形成されている。 - 特許庁

An n-type AlGaAs clad layer of a first semiconductor laser 39 to be formed previously on an n-type GaAs buffer layer 22 is formed in the double-layer structure of the secondn-type Al_xGa_1-xAs (x = 0.500) clad layer 23 and the first n-type Al_xGa_1-xAs (x = 0.425) clad layer 24.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡsバッファ層２２上に先に形成する第１半導体レーザ３９のｎ型ＡlＧaＡsクラッド層を、第２ｎ型Ａl_xＧa_1-xＡs(ｘ＝０.５００)クラッド層２３と第１ｎ型Ａl_xＧa_1-xＡs(ｘ＝０.４２５)クラッド層２４との２層構造に成す。 - 特許庁

The method and the system according to an embodiment of the invention may be used to form direct bandgap semiconducting binary compound epitaxial thin films, such as, for example, GaN, InN and AlN, and mixed alloys of these compounds, e.g., (In, Ga)N, (Al, Ga)N, (In, Ga, Al)N.例文帳に追加

本発明の実施形態の方法とシステムは、例えば、ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮ、ならびにこれらの化合物の混合合金、例えば、（Ｉｎ， Ｇａ）Ｎ、（Ａｌ， Ｇａ）Ｎ、（Ｉｎ， Ｇａ， Ａｌ）Ｎのような直接の禁止帯半導体二元素化合物エピタキシャル薄膜形成のために用いられる。 - 特許庁

As the main components of a sealing material 56 are Si and Al which are the main constituent elements of silicon carbide and sintering auxiliary agents, the sealing material 56 intervening between a porous cylinder 12 consisting of silicon carbide and an end cap 18 is unified with a body to be joined by the mutual diffusion of Si, Al and N.例文帳に追加

封着材５６の主成分であるSi,Alは窒化珪素の主構成元素や焼結助剤であることから、この封着材５６を用いて窒化珪素から成る多孔質円筒１２やエンドキャップ１８を相互に接合するに際して、その相互間に介在させられた封着材５６は、Si,Al,Nの相互拡散によって被接合体と一体化する。 - 特許庁

The Al alloy sheet for forming is composed of an alloy material of an Al-Mg-Si series or an Al-Mg-Si-Cu series as a raw material, Defining a cube orientation density as C and ND rotation as N, C<15, N<15, 1/20<N/C<1 are satisfied.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系又はＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ−Ｃｕ系のＡｌ合金を素材とし、キューブ方位密度をＣ、ＮＤ回転キューブ方位の密度をＮとし、Ｃ＜１５、Ｎ＜１５、１／２０＜Ｎ／Ｃ＜１を満たし、さらに耳率が７％以下、結晶粒度がＡＳＴＭナンバーで５以上である成形加工用Ａｌ合金板。 - 特許庁

An n-clad layer 104, comprising AlxGa1-xN, is not formed directly at a high carrier-density n+-type GaN layer 103 forming a negative electrode but through a low carrier-density n-type GaN layer 103L.例文帳に追加

負電極を形成する高キャリア密度のｎ^+型GaN層１０３に直接Al_xGa_1-xNから成るｎクラッド層１０４を形成するのではなく、低キャリア密度のｎ型GaN層１０３Ｌを介在させる。 - 特許庁

The n-side electrode 6 is an n-side electrode 6 of a nitride semiconductor laser element 1, and includes an Al layer 6b which is in ohmic-contact with a substrate 2 formed of n-type GaN, and has a thickness of 30 nm or more.例文帳に追加

このｎ側電極６は、窒化物半導体レーザ素子１のｎ側電極６であって、ｎ型ＧａＮからなる基板２にオーミック接触するとともに、３０ｎｍ以上の厚みを有するＡｌ層６ｂを備える。 - 特許庁

The circuit 18 is formed, in such a way that n pieces of resistor elements R_1-R_n are connected in series between an input line 22 and an output line 24 by a metal wiring 20, such as an Al wiring.例文帳に追加

抵抗回路は、Ｒ_1 〜Ｒ_n のｎ個の抵抗素子をＡｌ配線等の金属配線２０で入力線２２及び出力線２４に並列に接続してなる抵抗回路である。 - 特許庁

In addition, the Al_xGa_1-xN layers 3, 4, and 5 may be formed in the structure including therein an n-type Al_xGa_1-xN layer 4 or in the structure including therein an AlN layer between the GaN layer 2 and the Al_xGa_1-xN layers 3, 4, and 5.例文帳に追加

また、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層３，４，５として、内部にｎ型のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層４を有する構造としても良いし、あるいは、ＧａＮ層２とＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層３，４，５との間に、ＡｌＮ層を有する構造としても良い。 - 特許庁

The base material of the cutting tool is made of cemented carbide, cermet, or high speed tool steel and is coated with at least one or more layers of hard coating films.例文帳に追加

超硬合金、サーメットまたは高速度工具鋼を基材とする切削工具の基材上に、(Al _a ,Cr _b ,M_c )(C _1-d N _d ) からなる硬質皮膜であって、M は1 種または2 種以上の金属および半金属元素であり、Al、Cr、M それぞれの原子比a 、b 、c が、0.７5 ≦a ≦0 . - 特許庁

The n-type electrode 20 may be two layers composed of a Ti layer and an Au layer, three layers composed of a Ti layer, an Al layer and an Au layer, or four layers composed of a Ti layer, an Al layer, an Ni layer and an Au layer.例文帳に追加

ｎ型電極２０は、Ｔｉ層およびＡｕ層からなる２層、Ｔｉ層、Ａｌ層およびＡｕ層からなる３層、あるいはＴｉ層、Ａｌ層、Ｎｉ層およびＡｕ層からなる４層であってもよい。 - 特許庁

At least one layer of a hard heat-resistant film consisting of at least one element selected from among C, N, and O, and Ti and Al as the main component is provided on a part related to at least cutting.例文帳に追加

Ｃ、ＮおよびＯの中から選択される少なくとも１種の元素と、Tiと、Alとを主成分とした少なくとも１層の硬質耐熱被膜を少なくとも切削に関与する箇所に有する。 - 特許庁

This semiconductor leaser is provided with an n-type Al_xGa_xAs clad layer 2 below an active layer 4, and a p-type (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP clad layer 6 for controlling barrier height above the active layer 4.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、活性層４の下方にＡｌ_x1Ｇａ_1-x1Ａｓからなるｎ型クラッド層２を、活性層４の上方に（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｐからなる障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６をそれぞれ備えている。 - 特許庁

In this organic EL display device, when an address driver 2 selects an address line AL and the address line AL impresses a positive voltage to top gates of corresponding double-gate transistors 10, n-channels are formed in their semiconductor layers.例文帳に追加

アドレスドライバ２がアドレスラインＡＬを選択し、対応するダブルゲートトランジスタ１０のトップゲートに正電圧を印加すると、その半導体層内にｎチャネルが形成される。 - 特許庁

At least one hard heat-resistant film mainly consisting of at least one kind of element selected among C, N and O, Ti and Al is deposited on a part related to at least cutting.例文帳に追加

Ｃ、ＮおよびＯの中から選択される少なくとも１種の元素と、Tiと、Alとを主成分とした少なくとも１層の硬質耐熱被膜を少なくとも切削に関与する箇所に有する。 - 特許庁

In an n-type lower clad layer 4, thin buffer layers 5 of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) are formed, and in a p-type upper clad layer 7, thin buffer layers 8 of Al_xGa_1-xN(0≤x≤1) are formed.例文帳に追加

ｎ型下部クラッド層４中に薄層のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）緩衝層５が形成され、ｐ型上部クラッド層７中に薄層のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）緩衝層８が形成されている。 - 特許庁