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nm Cとは 意味・読み方・使い方
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「nm C」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 797件
The luminous layer structure has a luminous layer having at least one thin film layer composed of an oxide semiconductor ultrafine particles having 1 nm to 10 nm average particle diameter and the luminous layer enables light emission by light excitation having 250 nm to 800 nm region without annealing the layer at ≥100°C.例文帳に追加
平均粒径が1nm〜10 nmの酸化物半導体超微粒子からなる少なくとも1層の薄膜層を有する発光層を有し、前記発光層が100℃以上の温度でアニールすることなく250 nm〜800 nm領域の光励起による発光可能な発光層構造物。 - 特許庁
An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on a 6H-SiC substrate 11, then the temperature is turned to 1050°C and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm.例文帳に追加
6H-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁
The rubber composition is prepared by compounding sulfur (B), a cobalt salt of an organic aid (C), and particulate zinc white (D) having a particle diameter of from 10 nm to 250 nm into a rubber component (A).例文帳に追加
ゴム成分(A)に対して、硫黄(B)と、有機酸コバルト塩(C)と、粒子径が10 nm〜250 nmの微粒亜鉛華(D)とを配合してなることを特徴とするゴム組成物である。 - 特許庁
A TiSi seed layer (25 nm), CrMo base layer (25 nm), CoNiCrTa magnetic layer (20 nm) and C protective layer (10 nm) are successively formed by sputtering on the surface of a glass substrate where minute recesses and projections are formed.例文帳に追加
微小凹凸が形成されたガラス基板の表面に、スパッタリングによって順次、TiSiシード層(25nm)、CrMo下地層(25nm)、CoNiCrTa磁性層(20nm)、C保護層(10nm)を形成した。 - 特許庁
The unknown quantity of the expanded series is defined as expanded unknown quantity C nm and a simultaneous (primary) equation is numerically generated for the unknown quantity to be formed by ϕ nm and the expanded unknown quantity C nm.例文帳に追加
級数展開された級数の未知数を級数化未知数Cnmとして、φnmと級数化未知数Cnmとから形成される未知数に関して数値的に連立(一次)方程式を作成する。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「nm C」の意味 |
NMC
名詞
NMC (uncountable)
- (electrochemistry) Initialism of nickel-manganese-cobalt. (a type of lithium cell 化学)
「nm C」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 797件
The light source 2 comprises superimposing UV-B which has wavelength components of about 280-340 nm, and UV-C which cuts wavelength components of about 255 nm or below among wavelength components of about 100-280 nm, and irradiating the UV-B and UV-C to a plant P.例文帳に追加
光源2は、略280〜340nmの波長成分を有するUV−Bと、略100〜280nmの波長成分のうちの略255nm以下の波長成分がカットされたUV−Cとを重畳して植物Pに照射する。 - 特許庁
The back coat layer contains (a) carbon black having 15-25 nm average particle diameter, (b) carbon black having 60-80 nm average particle diameter and (c) CaCO3 and/or BaSO4 having 30-75 nm average particle diameter as the nonmagnetic powder.例文帳に追加
該バックコート層は、非磁性粉末として、(a) 平均粒径が15〜25nmのカーボンブラックと、(b) 平均粒径が60〜80nmのカーボンブラックと、(c) 平均粒径が30〜75nmのCaCO_3 及び/又はBaSO_4 とを含有する。 - 特許庁
Also, a pump 16 having a wavelength of the lower side of the C-band, e.g. the wavelength of 980 nm or 1480 nm can be also coupled to the fiber 12.例文帳に追加
また、Cバンドの下側の波長のポンプ16、たとえば980nmまたは1480nmのポンプを結合するようにすることも可能である。 - 特許庁
Preferably, the antireflection coating composition further contains (C) a water-soluble resin, and (D) metal oxide particles having a number average particle size of 1 nm to 400 nm.例文帳に追加
さらに(C)水溶性樹脂を含むことが好ましく、(D)数平均粒子径1nm〜400nmの金属酸化物粒子を含む。 - 特許庁
Preferably, the average particle size of the metal particles is 50 nm or less, the ultraviolet irradiation is done at 380 nm or less, and the temperature for heating is 200°C or lower.例文帳に追加
金属粒子の平均粒径が50nm以下、紫外光照射は380nm以下、加熱処理温度は、200℃以下とすることが好ましい。 - 特許庁
The cellulose acetate film in which the retardation value in the thickness direction is -12 nm to 25 nm, the density of the film is adjusted at most 1.280 at 25°C.例文帳に追加
厚み方向のレターデーション値を−12nm乃至25nmとする場合に、25℃におけるフイルム密度を1.280以下に調整する。 - 特許庁
However, Re[450], Re[550] and Re[650] are in-plane phase difference values measured with light of wavelengths of 450 nm, 550 nm and 650 nm at 23°C, and Rth[550] is a phase difference value in a thickness direction measured with light of wavelength of 550 nm at 23°C.例文帳に追加
(ただし、Re[450]、Re[550]およびRe[650]は、それぞれ、23℃における波長450nm、550nmおよび650nmの光で測定した面内の位相差値であり、Rth[550]は、23℃における波長550nmの光で測定した厚み方向の位相差値である。) - 特許庁
With those values, expression of nt^2/244 (nm)<L_c (nm) is set up.例文帳に追加
λを可視光波長の下限400(nm)とし、遮光層端部とチャネル領域端部との距離をL_c(nm)として式変形するとnt^2/244(nm)<L_c(nm)となる。 - 特許庁
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