「nm C」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The unknown quantity of the expanded series is defined as expanded unknown quantity C nm and a simultaneous (primary) equation is numerically generated for the unknown quantity to be formed by ϕ nm and the expanded unknown quantity C nm.例文帳に追加

級数展開された級数の未知数を級数化未知数Ｃｎｍとして、φｎｍと級数化未知数Ｃｎｍとから形成される未知数に関して数値的に連立（一次）方程式を作成する。 - 特許庁

At t2 when the fastening capacity Tc of E/C becomes sufficient and MG 1 torque Tm1 becomes 0 Nm, the transition to the parallel hybrid mode is completed.例文帳に追加

E/Cの締結容量Tcが十分になり、MG1トルクTm1が0Nmになるt2に、パラレルハイブリッドモードへの遷移が完了する。 - 特許庁

A TiSi seed layer (25 nm), CrMo base layer (25 nm), CoNiCrTa magnetic layer (20 nm) and C protective layer (10 nm) are successively formed by sputtering on the surface of a glass substrate where minute recesses and projections are formed.例文帳に追加

微小凹凸が形成されたガラス基板の表面に、スパッタリングによって順次、ＴiＳiシード層（２５ｎｍ）、ＣrＭo下地層（２５ｎｍ）、ＣoＮiＣrＴa磁性層（２０ｎｍ）、Ｃ保護層（１０ｎｍ）を形成した。 - 特許庁

The curable composition with a negative color contains a polymerization initiator C-1 having absorption at 365 nm wavelength and a polymerization initiator C-2 having an absorption maximum at 250-300 nm wavelength and exhibiting a smaller absorption value at 365 nm wavelength than the polymerization initiator C-1 when the polymerization initiators C-2 is equimolar to the polymerization initiators C-1.例文帳に追加

重合開始剤として、波長３６５ｎｍに吸収を有する重合開始剤Ｃ−１と、波長２５０〜３００ｎｍに吸収極大を有し、前記重合開始剤Ｃ−１と等モルでは波長３６５ｎｍでの吸収値が前記重合開始剤Ｃ−１よりも小さい重合開始剤Ｃ−２とを含んでいる。 - 特許庁

The oscillation wavelength of the semiconductor laser element 220 is 868 nm (≥857 nm and ≤871 nm) at 25°C while it is still a chip before resin molding.例文帳に追加

また、半導体レーザ素子２２０は、樹脂モールドする前のチップ状態で２５℃における発振波長を８６８ｎｍ(８５７ｎｍ以上かつ８７１ｎｍ以下の範囲内)とする。 - 特許庁

The back coat layer contains (a) carbon black having 15-25 nm average particle diameter, (b) carbon black having 60-80 nm average particle diameter and (c) CaCO3 and/or BaSO4 having 30-75 nm average particle diameter as the nonmagnetic powder.例文帳に追加

該バックコート層は、非磁性粉末として、(a) 平均粒径が１５〜２５ｎｍのカーボンブラックと、(b) 平均粒径が６０〜８０ｎｍのカーボンブラックと、(c) 平均粒径が３０〜７５ｎｍのＣａＣＯ_3 及び／又はＢａＳＯ_4 とを含有する。 - 特許庁

The optical glass has ≤650°C glass transition point and refractive index of ≥1.70 at 633 nm wavelength.例文帳に追加

ガラス転移点≦６５０℃、６３３ｎｍでの屈折率≧１．７０である前記光学ガラス。 - 特許庁

The cellulose acetate film in which the retardation value in the thickness direction is -12 nm to 25 nm, the density of the film is adjusted at most 1.280 at 25°C.例文帳に追加

厚み方向のレターデーション値を−１２ｎｍ乃至２５ｎｍとする場合に、２５℃におけるフイルム密度を１．２８０以下に調整する。 - 特許庁

Preferably, the antireflection coating composition further contains (C) a water-soluble resin, and (D) metal oxide particles having a number average particle size of 1 nm to 400 nm.例文帳に追加

さらに（Ｃ）水溶性樹脂を含むことが好ましく、（Ｄ）数平均粒子径１ｎｍ〜４００ｎｍの金属酸化物粒子を含む。 - 特許庁

However, Re[450], Re[550] and Re[650] are in-plane phase difference values measured with light of wavelengths of 450 nm, 550 nm and 650 nm at 23°C, and Rth[550] is a phase difference value in a thickness direction measured with light of wavelength of 550 nm at 23°C.例文帳に追加

（ただし、Ｒｅ［４５０］、Ｒｅ［５５０］およびＲｅ［６５０］は、それぞれ、２３℃における波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍおよび６５０ｎｍの光で測定した面内の位相差値であり、Ｒｔｈ［５５０］は、２３℃における波長５５０ｎｍの光で測定した厚み方向の位相差値である。） - 特許庁

An about 20 nm-thick AlN buffer layer 12 is formed on a (0001) face 6H-SiC substrate 11 at 500°C.例文帳に追加

（０００１）面6Ｈ-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を２０nm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁

(C) A diameter of the hollow portion of the nano structural hollow carbon material is in a range of 0.5-90 nm.例文帳に追加

（Ｃ）ナノ構造中空炭素材料の中空部の径が、０．５ｎｍ〜９０ｎｍの範囲である。 - 特許庁

An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on an SiC substrate 11, the temperature is turned to 1050°C, and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm.例文帳に追加

SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成し、温度を1050℃にしてGaN層13を3μm程度成長させる。 - 特許庁

The light source 2 comprises superimposing UV-B which has wavelength components of about 280-340 nm, and UV-C which cuts wavelength components of about 255 nm or below among wavelength components of about 100-280 nm, and irradiating the UV-B and UV-C to a plant P.例文帳に追加

光源２は、略２８０〜３４０ｎｍの波長成分を有するＵＶ−Ｂと、略１００〜２８０ｎｍの波長成分のうちの略２５５ｎｍ以下の波長成分がカットされたＵＶ−Ｃとを重畳して植物Ｐに照射する。 - 特許庁

Preferably, the average particle size of the metal particles is 50 nm or less, the ultraviolet irradiation is done at 380 nm or less, and the temperature for heating is 200°C or lower.例文帳に追加

金属粒子の平均粒径が５０ｎｍ以下、紫外光照射は３８０ｎｍ以下、加熱処理温度は、２００℃以下とすることが好ましい。 - 特許庁

Also, a pump 16 having a wavelength of the lower side of the C-band, e.g. the wavelength of 980 nm or 1480 nm can be also coupled to the fiber 12.例文帳に追加

また、Ｃバンドの下側の波長のポンプ１６、たとえば９８０ｎｍまたは１４８０ｎｍのポンプを結合するようにすることも可能である。 - 特許庁

The boron nitride nanohorns each having a bottom surface diameter of 100-200 nm, a length of 500-1,000 nm, and a wall thickness of about 20 nm can be manufactured by heating the mixture and gaseous ammonia at 1,600-2,000°C for 1-3 h.例文帳に追加

１６００〜２０００℃で１〜３時間加熱することにより、底面の直径１００〜２００ｎｍ、長さ５００〜１０００ｎｍ、壁の厚さ約２０ｎｍの窒化ホウ素ナノホーンを製造することができる。 - 特許庁

Out of the organic layers, the second organic layer other than the first organic layer has a glass transition temperature of at least 105°C, is constituted of a (meth)acrylic compound having a C-C bond density in a monomer of at least 0.19, and has a thickness of ≥50 nm and <300 nm.例文帳に追加

有機層のうち、第１の有機層以外の第２の有機層は、ガラス転移温度が１０５℃以上でモノマー中のＣ−Ｃ結合密度が０．１９以上の（メタ）アクリル化合物により構成され、厚さが５０ｎｍ以上３００ｎｍ未満である。 - 特許庁

In the cellulose acylate film, Rth (retardation in thickness direction) (in 446 wavelength), Rth (in 548 wavelength) and Rth (in 629 wavelength) are each ≥-10 nm and ≤10 nm even in either one environmental humidity of 10% RH at 25°C, 60% RH at 25°C and 80% RH at 25°C.例文帳に追加

２５℃１０％ＲＨ、２５℃６０％ＲＨおよび２５℃８０％ＲＨのいずれの環境湿度においてもＲｔｈ（４４６）、Ｒｔｈ（５４８）、Ｒｔｈ（６２９）が−１０ｎｍ以上１０ｎｍ以下であるセルロースアシレートフィルム。 - 特許庁

When the growth temperature T_W is 710°C to 750°C, the upper limit of growth speed V_G is not larger than 13.9 nm/min.例文帳に追加

成長温度Ｔ_Ｗが摂氏７１０度以上７５０度以下の温度であるとき、成長速度Ｖ_Ｇの上限は、１３．９ｎｍ／分以下である。 - 特許庁

The alloy fine powder is formed of an alloy having a melting point of ≤250°C, and the particle diameter thereof is controlled to ≤300 nm.例文帳に追加

合金微粉末は、融点が２５０℃以下の合金にて形成し、粒径を３００ｎｍ以下とした。 - 特許庁

The uneven shape having a period of 6 to 500 nm is formed on the surface of the active layer by forming the active layer that is comprised of Al_xGa_1-xN not containing indium and has a film thickness between 3 nm and 500 nm at a low temperature below 950°C lower than conventional crystal growth temperature (1,040°C to 1,100°C).例文帳に追加

インジウムを含まないＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮよりなる活性層を従来の結晶成長温度（１０４０℃から１１００℃）より低温の、９５０℃以下で、且つ３ｎｍ以上５００ｎｍ以下の膜厚で形成することにより、活性層表面に周期が６〜５００ｎｍの凹凸形状を形成する。 - 特許庁

This flame-retardant polymer composition comprises (A) a polymer, (B) a flame retardant and (C) an inorganic compound; wherein the mean particle size of the component C is ≥1 nm but <1,000 nm.例文帳に追加

（Ａ）重合体、（Ｂ）難燃剤、（Ｃ）無機系化合物からなる難燃性重合体組成物において、（Ｃ）の平均粒子径が１ｎｍ以上で１０００ｎｍ未満であることを特徴とする難燃性重合体組成物。 - 特許庁

Crystal island 1, 1' is a crystal (hexagonal system, a=0.776 nm and c=0.562 nm) of α-Si3N4 and c-axis of the crystal island 1 extends along Si[011] direction and a-axis thereof extends along Si[100] direction.例文帳に追加

結晶島１、１’はα−Ｓｉ_3 Ｎ_4 （六方晶系、ａ＝０．７７６ｎｍ、ｃ＝０．５６２ｎｍ）結晶であり、結晶島１のｃ軸はＳｉ〔０１１〕方位に沿っており、ａ軸はＳｉ〔１００〕方位に沿っている。 - 特許庁

As an intermediate layer, the SiC single crystal is grown at a growth temperature of 780 to 950°C until the thickness becomes 50 to 750 nm or the GaN single crystal is grown at a growth temperature of 400 to 600°C until the thickness becomes 50 to 500 nm.例文帳に追加

中間層としてＳｉＣ単結晶を成長温度７８０〜９５０℃で厚みが５０〜７５０ｎｍ、又はＧａＮ単結晶を成長温度４００〜６００℃で厚みが５０〜５００ｎｍになるまで成長させる。 - 特許庁

M has an absorption of an exciting energy near 350 to 500 nm, for example, adding element selected from the group consisting of rare earth element of Ce, Yb, Tm, etc.例文帳に追加

但し、上記式中のa、b、cは0≦a＜1.0、O<b≦0.1、0≦c≦0.1であり、Ｍは350〜500nm付近に励起エネルギの吸収を持つ、例えばCe、Yb、Tm等の希土類元素から選ばれる添加元素である。 - 特許庁

When the growth temperature T_W is not lower than 640°C and lower than 690°C, a lower limit of growth speed V_G is not smaller than 5.5 nm/min.例文帳に追加

成長温度Ｔ_Ｗが摂氏６４０度以上６９０度未満の温度であるとき、成長速度Ｖ_Ｇの下限は、５．５ｎｍ／分以上である。 - 特許庁

The microgel has a primary particle in the form of an almost sphere having an average particle diameter of 5-500 nm and has a transition temperature of -100°C to +120°C.例文帳に追加

ミクロゲルは、１次粒子が５から５００ｎｍの平均粒径を有するほぼ球面形状であり、−１００℃から＋１２０℃のガラス転移温度を有する。 - 特許庁

Out of the organic layers, the first organic layer which is directly formed on the substrate has a glass transition temperature of at least 200°C, is constituted of a (meth)acrylic compound having a C-C bond density in a monomer of at least 0.19, and has a thickness of ≥300 nm and <1,000 nm.例文帳に追加

有機層のうち基板上に直接形成される第１の有機層はガラス転移温度が２００℃以上でモノマー中のＣ−Ｃ結合密度が０．１９以上の（メタ）アクリル化合物により構成され、厚さが３００ｎｍ以上１０００ｎｍ未満である。 - 特許庁

This is heat ray transmissive visible light reflecting body 31 which comprises a plastic foam, in which the entire reflection ratio A of the visible light of wavelength 550 nm is 30% or higher, in which the difference (B-C) of the transmissivity B of the heat wave of the wavelength 1,200 nm and the transmissivity C of the visible light of the wavelength 550 nm is 15% or higher.例文帳に追加

プラスチック発泡体からなり、波長５５０ｎｍの可視光の全反射率Ａが３０％以上、波長１２００ｎｍの熱線の透過率Ｂと波長５５０ｎｍの可視光の透過率Ｃとの差Ｂ−Ｃが１５％以上である熱線透過可視光反射体３１とする。 - 特許庁

The obtained epitaxial zinc oxide thin film exhibits an exciton luminescence at the ultraviolet region (381 nm) when excited at 25°C by He-Cd laser (325 nm) of 15 mW.例文帳に追加

得られた酸化亜鉛エピタキシャル薄膜は、２５℃において１５ｍＷのＨｅ−Ｃｄレーザー（３２５ｎｍ）で励起したとき、紫外部（３８１ｎｍ）に励起子発光を示すものである。 - 特許庁

To provide a polyacetal resin having a new crystal structure characterized by a lamellar period structure of 20-40 nm at 25°C.例文帳に追加

25℃において20〜40nmのラメラ周期構造を有する、新規な結晶構造を有するポリアセタール樹脂を提供する。 - 特許庁

The average particle size of silver powder of the silver paste is approximately 10 nm and the softening point of the glass frit is approximately 420°C.例文帳に追加

銀ペーストの銀粉体の平均粒径は略１０ｎｍとし、ガラスフリットの軟化点が略４２０℃とする。 - 特許庁

Condition (C): the average pore radius is 10 nm or larger and 100 nm or lower, and the pore distribution curve has a main peak having a peak top at the pore radius 0.5 μm or larger and 50 μm or smaller and a sub peak having a peak top at the pore radius 80 nm or more and 300 nm or less.例文帳に追加

・条件（Ｃ）： 平均細孔半径が１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であり、且つ、 細孔分布曲線が、細孔半径０．５μｍ以上、５０μｍ以下にピークトップが存在するメインピークと、細孔半径８０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下にピークトップが存在するサブピークとを有する。 - 特許庁

To provide a positive C plate comprising cellulose acylate carbamoyl of which the through-thickness retardation of a film of 100 μm is -30 to -160 nm; and to provide cellulose acylate carbamoyl which provides such a positive C plate.例文帳に追加

１００μｍのフィルムの厚み方向のレタデーションが‐３０〜−１６０ｎｍであるセルロースアシレートカルバモイルからなるポジィテイブCプレート及びそのようなポジィテイブＣプレートを与えるセルロースアシレートカルバモイルを提供。 - 特許庁

For the structure, an equation λLD+0.4 (nm/°C)×ΔT≤λDET≤lLD+0.6 (nm/°C)×ΔT is established, where active layer band gap wavelength is λLD, light-receiving layer band gap wavelength is λDET, and the ambient temperature change width is ΔT.例文帳に追加

この構造において、活性層バンドギャップ波長をλ_LD、受光層バンドギャップ波長をλ_DET 、周囲温度変化幅をΔＴとすると「λ_LD＋０．４（ｎｍ／℃）×ΔＴ≦λ_DET ≦λ_LD＋０．６（ｎｍ／℃）×ΔＴ」なる関係が成立する。 - 特許庁

In such a case, the thickness A of the lower part Ti layer is ≥10 and ≤30 nm, the thickness B of the intermediate metal layer 4 is ≥35 and ≤65 nm, and the thickness C of the upper part Ti layer 5 is ≥10 and ≤30 nm.例文帳に追加

ここで、下部Ｔｉ層３の厚さＡは、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であり、中間金属層４の厚さＢは、３５ｎｍ以上、６５ｎｍ以下であり、上部Ｔｉ層５の厚さＣは、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下である。 - 特許庁

The iron arsenate powder is a powder of an iron arsenate dihydrate salt, has an orthorhombic crystal structure and has a lattice constant at a room temperature and a normal pressure of a=0.8950-0.8956 nm, b=1.0321-1.0326 nm and c=1.0042-1.0050 nm.例文帳に追加

砒酸鉄粉末は、砒酸鉄二水塩の粉末であり、斜方晶系の結晶構造を有し、室温、常圧における格子定数がａ＝０．８９５０〜０．８９５６ｎｍ、ｂ＝１．０３２１〜１．０３２６ｎｍ、ｃ＝１．００４２〜１．００５０ｎｍである。 - 特許庁

The AlN semiconductor includes a c-AlN single crystal film 4 having a thickness of about 1-5 μm, and is formed sequentially via a c-TiC single crystal layer 2 having a thickness of about 5-50 nm and a c-TiN single crystal layer 3 having a thickness of about 1-20 nm, on a single crystal Si substrate 1.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に厚さ５〜５０ｎｍ程度のｃ−ＴｉＣ単結晶層２及び厚さ１〜２０ｎｍ程度のｃ−ＴｉＮ単結晶層３を順に介在して厚さ１〜５μｍ程度のｃ−ＡｌＮ単結晶膜４が形成されている。 - 特許庁

The transparent base substrate with the transparent conductive film is produced by controlling a film forming velocity for the transparent conductive film from 3,000 to 7,000 nm/min under a deposition temperature 600°C or more and less than 640°C, or from 3,000 to 8,000 nm/min under a deposition temperature 640°C or more.例文帳に追加

透明な導電膜を、成膜温度６００℃以上、６４０℃未満では、成膜速度３０００〜７０００ｎｍ／ｍｉｎ、成膜温度６４０℃以上では、成膜速度３０００〜８０００ｎｍ／ｍｉｎの条件で制御することによって、前記透明導電膜付き透明基体を製造する。 - 特許庁

Then, an SiO_2 film 3 with a film thickness of about 10 nm is formed on the a-Ge film 2 (refer to step (c)).例文帳に追加

そして、約１０ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ_２膜３がａ−Ｇｅ膜２上に形成される（工程（ｃ）参照）。 - 特許庁

Then, the thickness of the layer to be selectively oxidized is 28 nm and the temperature, when an oscillation threshold current becomes a minimum value is substantially 17°C.例文帳に追加

そして、被選択酸化層の厚さは２８ｎｍであり、閾値電流が最小となる温度は約１７℃である。 - 特許庁

The temperature of the heat-treating step is preferably ≤250°C and the coating is preferably irradiated with a beam of light with a wavelength of ≤185 nm.例文帳に追加

前記加熱処理温度が２５０℃以下で、かつ波長が１８５ｎｍ以下の光線を照射することが好ましい。 - 特許庁

(C) electronic conductive agent in which an average particle diameter of a primary particle is 27 nm or less and conductive quotient is 70 or more.例文帳に追加

（Ｃ）一次粒子の平均粒子径が２７ｎｍ以下で、かつ導電性指数が７０以上である電子導電剤。 - 特許庁

As an excitation source of a solid laser medium 24, a laser diode 13 of oscillation wavelength 809 to 810 nm at 25°C is used.例文帳に追加

固体レーザー媒体２４の励起源として、２５℃での発振波長が809〜810 ｎｍであるレーザーダイオード１３を用いる。 - 特許庁