| 意味 | 例文 |
nm Cの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 796件
The hyperfine SiC particle has 10-100 nm particle size, contains a C-H bond and a Si-H bond and has excellent formability.例文帳に追加
粒径が10〜100nmでC−H結合およびSi−H結合を含む成形性に優れた超微細SiC粒子である。 - 特許庁
In addition, more preferably, the average particle diameter of the fine particles is set to be 150 nm or less and their glass transition temperature is set to be 50°C or higher.例文帳に追加
さらに、該微粒子の平均粒子径が150nm以下、ガラス転移温度が50℃以上であるとより好ましい。 - 特許庁
In this case, the temperature for heat treatment is set to 550°C-700°C, in such a way that the peak of relative frequency of measured value of crystal particle diameter in the polysilicon film 17 exceeds 50 nm.例文帳に追加
この際、熱処理温度を550℃〜700℃に設定し、ポリシリコン膜17における結晶粒径の測定値の出現度数ピークが50nmを超えるようにする。 - 特許庁
In particular, by controlling the temperature of the substrate between 200 and 700°C by using a spinel-based ferrite sintered body target, the grain size can be controlled between several nm and tens of nm.例文帳に追加
特に、スピネル系フェライト焼結体ターゲットを用い、基板温度を200℃〜700℃の間で制御することにより、数nm〜数十nmの間での粒径制御が可能となる。 - 特許庁
In a surface emitting laser element of 1,300 nm band, a detuning amount is set at a value within a range of 14-20 nm, or a matching temperature is set at a value within a range of 60-75°C.例文帳に追加
1300nm帯の面発光レーザ素子において、ディチューニング量を14〜20nmの範囲内に設定するか、またはマッチング温度を60〜75℃の範囲内に設定する。 - 特許庁
Also, in the surface emitting laser element of 1,550 nm band, a detuning amount is set at a value within the range of 16-25 nm, or a matching temperature is set at a value within the range of 60-85°C.例文帳に追加
また、1550nm帯の面発光レーザ素子において、ディチューニング量を16〜25nmの範囲内に設定するか、またはマッチング温度を60〜85℃の範囲内に設定する。 - 特許庁
The average distance between copper rich phases is between more than 120 nm and less than 500 nm, in the cross section including a crystal c axis of the Th_2Zn_17 type crystal phase of the permanent magnet.例文帳に追加
永久磁石のTh_2Zn_17型結晶相の結晶c軸を含む断面において、銅リッチ相間の平均距離は120nmを超えて500nm未満の範囲とされている。 - 特許庁
The selected oxidized layer has a thickness of 28 nm, the thickest portion is ≤110 nm in the oxidized layer 108a, and the temperature at which a threshold current becomes the minimum is about 17°C.例文帳に追加
そして、被選択酸化層の厚さは28nmであり、酸化層108aにおける最も厚い部分の厚さは110nm以下であり、閾値電流が最小となる温度は約17℃である。 - 特許庁
The transparent ink tank having the roughness of an inner wall surface Ra=520 nm and the maximum height difference P-V=5050 nm is obtained by extrusion molding under a condition that block type propylene resin is heated to 230°C and, thereafter, the extrusion molding is effected under a condition that a melt index is 1 and water cooling temperature is 25°C.例文帳に追加
ブロック状のポリプロピレン樹脂を230℃に加熱した後、メルトインデックス1、水冷温度25℃の条件で押し出し成型により、内壁面粗さRa=520nm、最大高低差P−V=5050nmの透明性のインキタンクを得る。 - 特許庁
Heat treatment temperature of the carbon precursor may be around 1,600 to 2,200°C, and the reserve graphite may be of a crystallite size La in an a-axis direction of around 1 to 10 nm and that Lc in the c-axis direction of around 5 to 30 nm.例文帳に追加
前記炭素前駆体の熱処理温度は、1600〜2200℃程度であってもよく、前記予備黒鉛は、a軸方向の結晶子サイズLaが1〜10nm程度、c軸方向の結晶子サイズLcが5〜30nm程度であってもよい。 - 特許庁
Moreover, an exchange bias magnetic field Hua is made to be more enhanced by forming a capping film C which is made from titanium(Ti) on the antiferromagnetic film 17a5 of the fixed layer P and by making the thickness of the film C to be 1.8 nm to 3.5 nm.例文帳に追加
また、前記固着層Pの反強磁性膜17a5の上に、チタン(Ti)からなるキャッピング膜Cを形成するとともに同キャッピング膜Cの厚さを1.8nmから3.5nmとすることにより、交換バイアス磁界Huaを一層向上した。 - 特許庁
In a wavelength band of about 750 nm to 830 nm, a spectral characteristic change amount in a wavelength band for transmitting light in at least 90% or more of a wavelength to be used for the CD(R) is 0.5%/nm or less (C).例文帳に追加
(C)おおよそ750nm〜830nmの波長帯域においてCDに用いられる波長の少なくとも90%以上の光を透過させるための波長帯域の分光特性変化量が0.5%/nm以下である成膜を有する。 - 特許庁
The film is characterized by having ≥250°C glass transition temperature (Tg), -20 to 40 ppm/°C coefficient of linear thermal expansion measured in the range of 25-250°C and ≥70% light transmittance at 420 nm.例文帳に追加
ガラス転移温度(Tg)が250℃以上で、25℃から250℃までの測定範囲での線熱膨張係数が−20〜40ppm/℃で、かつ420nmの光線透過率が70%以上であることを特徴とするフィルム。 - 特許庁
In the quarter-wave length plates 16, 36, the ratio of retardation values at 450 and 590 nm wavelengths is 0.8 or more and 1.0 or less, the retardation value at 590 nm wavelengths is 135 nm or more and 145 nm or less, and intrinsic refractive indexes of the C plates 17, 37 are 1.45 or more and 1.65 or less.例文帳に追加
1/4波長板16,36は、波長450nm及び波長590nmにおける位相差値の比が0.8以上1.0以下であり、かつ波長590nmにおける位相差値が135nm以上145nm以下であり、Cプレート17,37の固有屈折率が1.45以上1.65以下である。 - 特許庁
|n_2-n_1|≤0.02 (a) (in the said formula, the refraction factors n_1, n_2 are measured at 25°C using a 589-nm wavelength of sodium D-ray.例文帳に追加
│n_2−n_1│≦0.02 (a) (上記式中、屈折率n_1及びn_2は25℃、ナトリウムD線の波長589nmで測定する) - 特許庁
Therein, (A) is conductive fine particle of which the average particle size is 1 to 150 nm, (B) is ionizing radiation curable monomer and (C) is organic polymer thickener.例文帳に追加
(A)平均粒径が1〜150nmの導電性微粒子(B)電離放射線硬化性モノマー(C)有機高分子増粘剤 - 特許庁
The fluorescent material 18 emits near-ultraviolet light with the wavelength of 320 to 400 nm, thus ultraviolet lights of both UV-A band and UV-C band are obtained with one lamp.例文帳に追加
これにより、UV−A領域の光とUV−C領域の光の両方の紫外線を一本のランプで得る。 - 特許庁
Further, the variation of the film thickness at the time of annealing treatment at a temperature of 400°C is only 20 nm or less, with less variation.例文帳に追加
また、400℃においてアニール処理した際の膜厚の変化量は20nm以下であり殆ど変化することはない。 - 特許庁
This high refractive index-having material composition having a ≥1.70 refractive index and a ≥150°C glass transition temperature comprises a polyimide expressed by general formula (I) and inorganic fine particles having 1-100 nm average particle size.例文帳に追加
特定構造を有するポリイミド類に平均粒子直径1〜100nmの無機微粒子を分散させる。 - 特許庁
The polyimide includes a transmittance of 80% or more at a wavelength of 400 nm after heat treatment at 300°C for 15 minutes in the atmosphere.例文帳に追加
大気下、300℃15分加熱処理後において、波長400nmにおける透過率が80%以上であるポリイミド。 - 特許庁
When the retardation value in the thickness direction of the cellulose film is set to 50-500 nm, the density of the film at 25°C is set to 1.290 or above.例文帳に追加
厚み方向のレターデーション値が50乃至500nmとする場合、25℃におけるフイルム密度を1.290以上にする。 - 特許庁
The resin has a glass transition temperature (Tg) of -5°C or lower and is fine particles having a mean particle size of 200 nm or less.例文帳に追加
また、前記合成樹脂は、ガラス転移温度(Tg)が−5℃以下であって平均粒子径が200nm以下の微粒子である。 - 特許庁
An e×4WD C/U6 for controlling a motor 10 and the reducer clutch 17 for applying torque of the motor 10 to a motor driving wheel 12, stores a deferential gear oil temperature °C and characteristics of a deferential gear friction value Nm of the reducer clutch 17, and estimates a deferential gear friction value Nm from the characteristics and the estimated deferential gear oil temperature °C.例文帳に追加
モータ10と、モータ10のトルクをモータ駆動輪12に印加する減速機クラッチ17とを制御するe・4WD C/U6は、減速機クラッチ17のデフ油温[℃]とデフフリクション[Nm]の特性を予め格納し、当該特性と推定されたデフ油温[℃]とからデフフリクション値[Nm]を推定する。 - 特許庁
The thickness Lc (004) of the crystallite of this carbon material is 10-80 nm in the direction of c-axis, and the thickness La (110) of the crystallite may be 10-190 nm in the direction of a-axis.例文帳に追加
前記炭素材料のc軸方向の結晶子の厚みLc(004)は10〜80nm程度であり、a軸方向の結晶子の厚みLa(110)は10〜190nm程度であってもよい。 - 特許庁
(a) The moisture amount contained in a transparent film is 100 ppm or less, (b) transmittance at 400 nm to 700 nm is 80% or more at 100 μm of film thickness, (c) linear expansion coefficient is 10 ppm or less.例文帳に追加
(a)透明フィルムに含まれる水分量が100ppm以下(b)400nm〜700nmでの透過率が膜厚100μmで80%以上(c)線膨張係数が10ppm以下 - 特許庁
The amorphous carbon preferably has an average space of (002) planes (d_002) as determined by an X-ray diffraction of 0.350-0.390 nm, and a crystallite size (L_c) in the direction of a c-axis of 70 nm or less.例文帳に追加
前記非晶質炭素は、X線回折法による(002)面の平均面間隔d_002が0.350〜0.390nmであるのが好ましく、c軸方向の結晶子の大きさL_c(002)が70nm以下であるのが好ましい。 - 特許庁
The organic-inorganic composite coating film is formed by applying, to the base material, a coating composition containing each of (A) component: a metal oxide whose particle size is 1-400 nm, (B) component: polymer emulsion particles whose particle size is 10-800 nm, and (C) component: a light-sensitive acid generator, and carrying out drying processing and ultraviolet irradiation.例文帳に追加
(A)成分:粒子径が1nm〜400nmの金属酸化物(B)成分:粒子径が10nm〜800nmの重合体エマルジョン粒子(C)成分:光感応性酸発生剤 - 特許庁
The composition includes (A) the carbon nanotubes, (B) silica particles having an average primary particle diameter of 5 nm or more and 100 nm or less and a degree of association of 1-3 and (C) the dispersion medium.例文帳に追加
本発明に係る組成物は、(A)カーボンナノチューブと、(B)平均一次粒子径が5nm以上100nm以下であり、かつ、会合度が1〜3であるシリカ粒子と、(C)分散媒体と、を含有する。 - 特許庁
The silver fine powder is composed of silver particles having 3 to 20 nm average particle diameter D_TEM or 1 to 20 nm X-ray grain diameter D_X and coated with an organic protective material composed of 6 to 12 C primary amine B.例文帳に追加
炭素数6〜12の1級アミンBで構成される有機保護材に被覆された平均粒子径D_TEM:3〜20nmまたはX線結晶粒径D_X:1〜20nmの銀粒子からなる銀微粉。 - 特許庁
The resin composition comprises (A) a binder polymer, (B) light/heat conversion agent having absorption at 700 to 1,300 nm and (C) polyaniline and can be engraved by laser beams of 700 to 1,300 nm wavelength.例文帳に追加
(A)バインダーポリマー、(B)700〜1300nmに吸収を有する光熱変換剤、及び、(C)ポリアニリンを含有し、波長が700nm〜1300nmのレーザーにより彫刻可能な樹脂組成物。 - 特許庁
Nanotubes having about 5-80 nm diameter and 50-150 nm length are obtained by alkali-treating the crystalline titania under the conditions of 13-65 wt.% concentration of sodium hydroxide and at 18-160°C.例文帳に追加
結晶チタニアを水酸化ナトリウム濃度13〜65wt%で、温度18〜160℃の条件下でアルカリ処理することにより、直径が約5〜80nm、長さが50〜150nmのナノチューブが得られる。 - 特許庁
The copolymer has a form of an aqueous dispersion of particles having 90-110 nm weight-average diameter, about 80 nm number-average diameter and a glass transition temperature within the range of -60 to +100°C.例文帳に追加
当該コポリマーは、90〜110nmの重量平均径、屋80nmの数平均径、及び−60℃〜+100℃の範囲のガラス転移温度を有する粒子で水性分散液の形態を有する。 - 特許庁
The crucible 12 is heated in a range from 1,700°C to 2,750°C under a nitrogen atmosphere to obtain a planarized surface at an atomic level (planarity of about 0.3 nm) at a higher speed (etching rate of 200-300 μm/hour) than that in a prior method.例文帳に追加
窒素雰囲気中で黒鉛製坩堝12内を1700℃〜2750℃に熱することにより、原子オーダーのレベルで平坦(平坦度〜0.3nm)な面が従来よりも高速(エッチング速度200〜300μm/hour)に得られる。 - 特許庁
In this manufacturing method, styrene-acrylamide copolymer latex particles of 200 to 500 nm in mean particle size and -20 to -45 mV in ζ potential are made to adsorb cardiolipin at 27°C to 57°C.例文帳に追加
前記製造方法では、平均粒径が200〜500nmで且つζ電位が−20〜−45mVであるスチレン−アクリルアミドコポリマーラテックス粒子に、27℃〜57℃でカルジオリピンを吸着させる。 - 特許庁
To provide an optical amplifier to produce a high power even in a wavelength range from 1,490 to 1,525 nm actuated in S band and C band.例文帳に追加
1490〜1525nm波長帯においても高出力が得られ、SバンドとCバンドとで動作可能な光増幅器を提供する。 - 特許庁
Subsequently, the semiconductor layer 142 formed of Si-doped GaN is grown in the thickness of 50 nm under the temperature lowered to 850°C.例文帳に追加
続いて、850℃まで降温して、SiをドープしたGaNからなる添加半導体層142を50nmの膜厚で成長させる。 - 特許庁
The zinc nanosheet is subsequently heated at 330-390°C in air for 3-5 hr to manufacture the white, hexagonal zinc oxide nanosheet which is 100-500 μm wide and 30-70 nm thick.例文帳に追加
この酸化亜鉛ナノシートは幅が100〜500マイクロメートルで、厚さが30〜70ナノメートルの範囲の白色の六方晶系のナノシートである。 - 特許庁
Light propagated in an optical fiber grating has -0.01 to +0.01 nm/°C variation in the center wavelength with temperature.例文帳に追加
光ファイバグレーティング内を伝搬する光の中心波長の温度変化による変動が−0.01〜+0.01nm/℃である光ファイバグレーティング。 - 特許庁
There are arranged a pair of electrodes A and C which take on high surface area structure and an organic compound B wherein light excitation is made possible in some or all parts of the wavelength range (300 nm-1,500 nm) between these electrodes so that these electrodes A and C should not be brought into contact directly.例文帳に追加
高表面積構造を呈する一対の電極A及びCと、これらの電極A及びCが直接接触しないように、これら電極間に300nm〜1500nmの波長領域間の一部またはすべてにおいて光励起可能な有機化合物Bを存在させる。 - 特許庁
In the diamond semiconductor, a single-crystal diamond film 5 having a thickness of about 1-10 μm is formed on a single-crystal Si substrate 1 through a single-crystal c-BP layer 3 having a thickness of about 100 nm to 3 μm and a single-crystal c-BN layer 4 having a thickness of about 5-80 nm in this order.例文帳に追加
Si単結晶基板1上に厚さ100nm〜3μm程度のc−BP単結晶層3及び厚さ5〜80nm程度のc−BN単結晶層4を順に介在して厚さ1〜10μm程度のダイヤモンド単結晶膜5が形成されている。 - 特許庁
When the wavelength of the exciting light for the green fluorescent substance and the red fluorescent substance is 400 nm or 455 nm, the ratios of the change in the emitting light peak intensity of the green fluorescent substance and the emitting light peak intensity of the red fluorescent substance at 100°C to respective those at 25°C are 40% or smaller.例文帳に追加
緑色蛍光体および赤色蛍光体は、励起光の波長が400nmまたは455nmの場合における、緑色蛍光体および赤色蛍光体の温度が25℃のときの発光ピーク強度に対する100℃のときの発光ピーク強度の変化率が40%以下である。 - 特許庁
In the GaN semiconductor, a single-crystal c-GaN film 5 having a thickness of about 1-10 μm is formed on a single-crystal Si substrate 1 through a single-crystal c-BP layer 3 having a thickness of about 50 nm to 1 μm and a single-crystal GaP layer 4 having a thickness of about 1-10 nm in this order.例文帳に追加
Si単結晶基板1上に厚さ50nm〜1μm程度のc−BP単結晶層3及び厚さ1〜10nm程度のGaP単結晶層4を順に介在して厚さ1〜10μm程度のc−GaN単結晶膜5が形成されている。 - 特許庁
Disclosed are the dispersion shift optical fiber 1 which has a dispersion value D (2≤D≤8 (ps/nm/km)) and a ≤4 (ps/nm/km) maximum differnece in dispersion value in the whole wavelength band of 1460 to 1625 nm covering the S-band, C-band, and L-band and the optical communication system which uses the same.例文帳に追加
S−バンド,C−バンドおよびL−バンドに亘る1460〜1625nmの全波長帯域において、分散値Dが2≦D≦8(ps/nm/km)であり、かつ、分散値の最大差が4(ps/nm/km)以下である分散シフト光ファイバ1およびこれを用いた光通信システム。 - 特許庁
If the desirably used wavelength is 1.55 μm used in optical fiber communication, that is 0.8 eV, a tube diameter is about 1 nm for a peak A to come the energy position, the tube diameter is about 2.1 nm in the peak B and the tube having about 3.1 nm diameter is corresponding to the peak C.例文帳に追加
使用したい波長が光ファイバ通信で用いられる1.55μmすなわち、0.8eVであれば、ピークAがこのエネルギー位置に来るためには、チューブの直径はおよそ1nmであり、ピークBでは2.1nm、ピークCでは3.1nm程度の直径のチューブが対応する。 - 特許庁
In the light source used for the radiation, an energy quantity A in the wavelength range of 410-505 nm is higher than an energy quantity B in a wavelength range excepting the range of 410-505 nm, and an energy quantity C included in a wavelength range of 510-610 nm is lower than an energy quantity D included in a wavelength area excepting the range of 510-610 nm.例文帳に追加
その光源は、410〜505nmまでの範囲の波長域におけるエネルギー量をA、それ以外の波長域におけるエネルギー量をB、さらに、510〜610nmまでの範囲の波長域において含まれるエネルギー量をC、それ以外の波長域において含まれるエネルギー量をDとしたときに、A>B、かつC<Dとなるものを用いる。 - 特許庁
The light source 2 irradiates plants P with UV-B having wavelength components of approximately 280 to 340 nm, UV-C comprising wavelength components of approximately 100 to 280 nm from which wavelength components of ≤255 nm are cut, and visible light having a peak in wavelength components having a wavelength distribution of approximately 460 to 550 nm in at least a superimposed state.例文帳に追加
光源2は、略280〜340nmの波長成分を有するUV−Bと、略100〜280nmの波長成分のうちの略255nm以下の波長成分がカットされたUV−Cと、略波長分布460〜550nmの波長成分の中にピークを有する可視光とを少なくとも重畳して植物Pに照射する。 - 特許庁
To provide a phthalocyanine compound satisfying all of (a) high visible light transmissivity, (b) well balanced and high visible light transmissivity at wave lengths of blue color (near 460 nm), green color (near 545 nm) and red color (near 610 nm), (c) high shading efficiency of infrared light of 850-950 nm wave length region and (d) excellent light resistance.例文帳に追加
(ア)高い可視光線透過率、(イ)青色(460nm付近)、緑色(545nm付近)及び赤色(610nm付近)の波長での透過率のバランスがよくかつ高い可視光透過率、(ウ)高い850〜950nmの波長域の近赤外線光のカット効率、及び(エ)優れた耐光性すべてを満たすフタロシアニン化合物を提供する。 - 特許庁
The negative electrode active material used is a carbon whose inter layer distance d(002) by an X-ray diffraction method is not less than 0.377 nm, and the size of the crystalit in the c-axial direction is not larger than 1.29 nm.例文帳に追加
負極活物質として、X線回折法による層間距離d(002)が0.377nm以上であり、c軸方向の結晶子の大きさLcが1.29nm以下である炭素材料を用いる。 - 特許庁
The total light transmittance of the light guiding polyurethane resin at a wavelength of 500 nm is set to be 90% or more, and the light transmittance of the resin at a wavelength of 320 nm after being heated at 120°C for 72 hours is set to be 50% or more.例文帳に追加
導光性ポリウレタン樹脂の波長500nmにおける全光線透過率を、90%以上とし、120℃で72時間加熱後の、波長320nmの光透過率を、50%以上とする。 - 特許庁
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