「nm C」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In the step of forming the silicon oxide film, it is desirable to set the temperature of the silicon substrate to be 100°C or higher, 350°C or lower, to set a total pressure to 10 Pa or higher, 10,000 Pa or lower, and to set the ozone concentration to 50 g/Nm^3 or higher.例文帳に追加

シリコン酸化膜を形成する工程は、シリコン基板の温度を１００℃以上３５０℃以下とし、全圧を１０Ｐａ以上１０，０００Ｐａ以下とし、オゾンの濃度を５０ｇ／Ｎｍ^３以上として行うことが好ましい。 - 特許庁

The glass has 90×10^-7 to 120×10^-7/°C thermal expansion coefficient in the temperature range from -20 to +70°C, and preferably has ≥75 GPa Young's modulus, ≥550 Vickers hardness and ≥90% transmittance at 950 to 1600 nm wavelength.例文帳に追加

−２０〜＋７０℃における熱膨張係数が９０×１０^-7〜１２０×１０^-7／℃であり、好ましくはヤング率が７５ＧＰａ以上，ビッカース硬度が５５０以上，９５０〜１６００ｎｍの波長の光線透過率が９０％以上のガラス。 - 特許庁

From an initial period P1 to a middle period P2 of an alignment process, the wavelength from a long arc light source LAL through a wavelength cut filter F1 is 230 to 270 nm and the heat H to be applied in the initial period is specified to 100°C and in the middle period to 100 to 150°C.例文帳に追加

配向プロセスの初期Ｐ１と中期Ｐ２にかけては、波長カットフィルタＦ１を通したロングアーク光源ＬＡＬからの波長は２３０〜２７０ｎｍで、与える熱Ｈは初期では１００℃、中期では１００〜１５０℃とする。 - 特許庁

Shore hardness (ASTM D 2240) at temperature of 10°C-40°C±3 is within a range of 20-80, a width or a diameter of projected, or recessed structure is 100 nm-5000 μm, aspect ratio of the projection, or the recess is within a range of 0.2-10.0.例文帳に追加

温度１０℃〜４０℃±３におけるショア硬度（ＡＳＴＭ Ｄ ２２４０）が、２０〜８０の範囲であり、凸、又は凹構造の幅または直径が１００ｎｍ〜５０００μｍであり、前記凸、又は凹のアスペクト比が０．２〜１０．０の範囲である。 - 特許庁

In a typical design, EDFA is compensated to the fluctuation within 1 dB, at the temperature range from -40 to 85°C in at least a spectral range of 20 nm.例文帳に追加

代表的な設計では、−４０℃〜８５℃の温度範囲および少なくとも２０ｎｍのスペクトル範囲にわたって１ｄＢ以内の変動にＥＤＦＡを補償する。 - 特許庁

To provide a method for synthesizing a carbon-based one-dimensional material for synthesizing high purity single wall carbon nanotubes with less than 2 nm diameter at a temperature as low as 650°C or lower.例文帳に追加

６５０℃以下の低温で直径が２ｎｍ未満の高純度の単層カーボンナノチューブを合成することができる炭素系一次元材料の合成方法を提供する。 - 特許庁

A topcoat comprising anionic polymer particles (16) with a Tg of 60-100°C and a dimension of <250 nm is applied on the porous ink receiving coating (14).例文帳に追加

前記多孔質インク受容コーティング（１４）上に、Ｔｇが６０〜１００℃であり、且つ寸法が２５０ｎｍ未満の高分子粒子（１６）からなる陰イオン性のトップコートを適用する。 - 特許庁

The polyacetal resin contains a polyoxymethylene unit formed by the repetition of mainly oxymethylene unit and a polyalkylene glycol unit and has a lamellar period structure of 20-40 nm at 25°C.例文帳に追加

主としてオキシメチレン単位の繰り返しで形成されるポリオキシメチレン単位とポリアルキレングリコール単位とを有してなり、25℃において20〜40nmのラメラ周期構造を有するポリアセタール樹脂。 - 特許庁

To provide a color filter that controls 'float' on the side of long wavelength at more than 600 nm in each color filter, B, G and C and uses organic pigment that excels in color separation.例文帳に追加

Ｂ、Ｇ、Ｃの各カラーフィルタの波長６００ｎｍ以上の長波長側の“浮き”を抑え、色分離の良い有機顔料を用いたカラーフィルタを提供すること。 - 特許庁

This dispersion liquid is obtained by suspending a copper compound having the particle diameter of less than 200 nm, in a polyol solvent, and subsequently reducing it at a lower temperature than 150°C and in an atmosphere of pressurized hydrogen.例文帳に追加

２００ｎｍ未満の粒子径を有する銅化合物を、ポリオール溶媒中に懸濁した後、引き続き温度１５０℃未満で、加圧水素下で還元処理して得る。 - 特許庁

The interface oxide layer in the order of about 2-3 nm is dissolved and removed by, for example, high temperature annealing at 1,300-1,330°C only for 1-5 hours.例文帳に追加

約２ｎｍから約３ｎｍのオーダーの界面酸化物層が、例えば、１時間−５時間だけ１３００℃−１３３０℃で高温アニール処理により溶解して除去される。 - 特許庁

Irradiation illuminance, measured directly under the window having a thickness of 20 mm, is set to be 12 nm/cm2 or larger and the temperature of the susceptor is kept at 400°C or lower.例文帳に追加

本発明では、厚さ２０ｍｍの合成石英窓直下にて測定した照射照度を１２ｎｍ／ｃｍ^２ 以上とし、かつサセプタの温度を４００℃以下に保持する。 - 特許庁

This purified psyllium seed gum exhibits ≥83% light transmittance (measuring wave length: 660 nm, liquid thickness: 10 mm, temperature 25°C) of an aqueous solution of 0.5 mass % concentration.例文帳に追加

０.５質量％の濃度の水溶液の光線透過率（測定波長６６０ｎｍ、液厚１０ｍｍ、温度２５℃）が８３％以上である精製サイリウムシードガム。 - 特許庁

In the process to form an electrostatic breakdown voltage part 140, an undoped semiconductor layer 141 formed of undoped GaN is grown first in the thickness of 200 nm at 1,100°C.例文帳に追加

静電耐圧部１４０の形成工程では、まず最初に、１１００℃でアンドープＧａＮからなる無添加半導体層１４１を２００ｎｍの膜厚で成長させる。 - 特許庁

This polymer has a polyoxymethylene skeletal structure manifesting a micro phase separation structure of 10-300 nm of domain spacing in melt state at 190°C.例文帳に追加

１９０℃の溶融状態において、ドメイン面間隔が１０〜３００ｎｍであることを示すミクロ相分離構造を示すポリオキシメチレン骨格構造を有する重合体。 - 特許庁

After implanting argon ions to the entire SOI substrate surface, the substrate is adjusted to be about 300°C, and a titanium film 21 (film thickness is 15 nm) is formed by using a long throw sputtering method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板全面に対してアルゴンイオンを注入した後，基板を約３００℃に調整し，ロングスロー・スパッタリング法を用いてチタン膜２１（膜厚１５ｎｍ）を形成する。 - 特許庁

This rubber composition for mounting an engine comprises a chloroprene-based rubber and carbon black having ≥2 nm average piled height Lc in C-axis of layer plane in a crystallite.例文帳に追加

クロロプレン系ゴム及び結晶子内の層平面のＣ軸方向の平均積み重なり高さＬｃが２ｎｍ以上のカーボンブラックを含有するエンジンマウント用ゴム組成物。 - 特許庁

The perforations of 1-2 nm in diameter are made in the monolayered carbon nanotube by keeping the carbon nanotube in a dry reactive gas at 200-600 degree C for 1 minute and more.例文帳に追加

単層カーボンナノチューブを２００〜６００℃の乾燥反応性ガス中に１分以上保持することで、単層カーボンナノチューブに直径１〜２ｎｍの孔を開孔する。 - 特許庁

The resin composition for a printed wiring board includes, as essential components, (A) an epoxy resin, (B) a polyvinyl acetal resin, and (C) fine particles having an average particle size of 5-120 nm.例文帳に追加

（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ポリビニルアセタール樹脂、（Ｃ）平均粒径５〜１２０ｎｍの微粒子を必須成分とすることを特徴とするプリント配線板用エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

This coated article has a Ti (C, N, O) layer having a particle size of <25 nm as a coating layer, and the method provides the same article.例文帳に追加

粒度が２５ｎｍ又はそれ未満のＴｉ（Ｃ，Ｎ，Ｏ）層を、コーティング層として有するコーティングされた物品、並びにこの物品を提供するための方法とする。 - 特許庁

The material is characterized in that the average transmittance to visible light at wavelength between 350 and 800 nm is 80% or more, the average transmittance to ultraviolet ray at wavelength between 295 and 350 nm is 80% or more, softening point ranges from -20°C to 400°C, part of or the whole glassy material has an irregular network structure, and a coloring material or a fluorescence material is mixed therein.例文帳に追加

波長３５０〜８００ｎｍでの可視光線の平均透過率が８０％以上、波長２９５〜３５０ｎｍでの紫外線の平均透過率が８０％以上、軟化点が−２０〜４００℃、さらにガラス状物質の一部又はすべてに不規則網目構造を有し、着色材料又は蛍光性材料が混入されている特徴を有す。 - 特許庁

In the paper for inkjet recording with the interstice type ink receiving layer comprising a fine particle with a mean particle diameter of 5-100 nm as a main ingredient, the paper for inkjet recording is characterized by comprising a cationic or nonionic polymer dispersion with a glass transition temperature of -30 to 40°C and a mean particle diameter of at least 1 nm and smaller than 50 nm.例文帳に追加

平均粒子径５〜１００ｎｍの微粒子を主成分とする空隙型インク受容層を有するインクジェット記録用紙において、ガラス転移温度が−３０〜４０℃で、かつ平均粒子径が１ｎｍ以上５０ｎｍ未満であるカチオン性または非イオン性の重合体分散物を該受容層に含有することを特徴とするインクジェット記録用紙。 - 特許庁

An ultraviolet ray shielding layer containing a binder (a) and a metal oxide (d) 30-200 nm in an average primary particle size is laminated on a colored layer containing the binder (a), a coloring material (b), and a metal oxide (c) below 30 nm in an average primary particle size.例文帳に追加

（ａ）バインダー、（ｂ）着色材料、（ｃ）平均一次粒子径が３０ｎｍ未満である金属酸化物、を含有する着色層の上に、（ａ）バインダー、（ｄ）平均一次粒子径が３０〜２００ｎｍである金属酸化物、を含有する紫外線遮蔽層を積層する。 - 特許庁

In the photosensitive composition for forming a light shielding film containing (a) carbon black as a light shielding pigment, (b) a photopolymerizable compound, and (c) a photopolymerization initiator, the dispersion particle diameter of the carbon black is set at 100-250 nm, preferably 150-200 nm.例文帳に追加

（ａ）遮光性顔料としてのカーボンブラック、（ｂ）光重合性化合物、および（ｃ）光重合開始剤を含有する遮光膜形成用感光性組成物において、前記カーボンブラックの分散粒子径を１００〜２５０ｎｍ、好ましくは１５０〜２００ｎｍにする。 - 特許庁

This paste composition for an optical waveguide contains (A) a barium sulfate particle having ≥1 nm and <20 nm of number-averaged particle diameter, (B) a compound having a polymerizable group and a carboxylic group, or a phosphate compound having a polymerizable group, and (C) an organic solvent.例文帳に追加

（Ａ）数平均粒子径１ｎｍ以上２０ｎｍ未満の硫酸バリウム粒子、（Ｂ）重合性基およびカルボキシル基を有する化合物、または重合性基を有するリン酸エステル化合物、および（Ｃ）有機溶媒を含む光導波路用ペースト組成物。 - 特許庁

In the β-type sialon phosphor, the lattice constant (a) of β-type sialon crystal is 0.7605-0.7610 nm and the lattice constant (c) is 0.2906-0.2911 nm, the content of Eu is 0.4-2 mass% and the content of the first transition metal is ≤5 ppm.例文帳に追加

β型サイアロン結晶の格子定数ａが０．７６０５〜０．７６１０ｎｍ、格子定数ｃが０．２９０６〜０．２９１１ｎｍであり、Ｅｕ含有量が０．４〜２質量％、第一遷移金属含有量が５ｐｐｍ以下であるβ型サイアロン蛍光体である。 - 特許庁

The electrode for the lithium ion battery includes fine fibrous carbon (a) having a diameter of 100 nm or less, fibrous carbon (b) having a diameter of 100 nm or more, and/or non-fibrous conductive carbon (c) as a conductive material.例文帳に追加

（ａ）１００ｎｍ未満の直径を有する微細な繊維状炭素、および（ｂ）１００ｎｍ以上の直径を有する繊維状炭素および／または（ｃ）非繊維状導電性炭素を、導電材として含有することを特徴とするリチウムイオン電池用電極。 - 特許庁

The organic polymer in a solid sate having an average particle size of from 10 nm to 200 μm is reacted with a catalyst containing a group 8-11 metal having an average particle size of from 10 nm to 200 μm in the presence of heavy water at 160-350°C under 3-20 MPa.例文帳に追加

平均粒子径が１０ｎｍ〜２００μｍの有機重合体の固形状物と、平均粒子径が１０ｎｍ〜２００μｍの８〜１１族金属を含む触媒とを、重水の存在下、１６０〜３５０℃、３〜２０ＭＰａの条件下で反応させる。 - 特許庁

This biaxially orientated polyphenylene sulfide film contains 0.5 to 50 wt% of a transition metallic compound with an average particle diameter of 1 to 100 nm in the film and a coeffficient of thermal expansion of 40 ppm/°C or less at 30 to 200°C.例文帳に追加

フィルム中に平均粒径が１〜１００ｎｍの遷移金属化合物粒子を０．５〜５０重量％含有し、かつ、３０℃〜２００℃における熱膨張係数が４０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする二軸配向ポリフェニレンスルフィドフィルム。 - 特許庁

A substrate for epitaxial growth is used, the substrate not degrading by roughening over a surface roughness of 10 nm during a temperature-rise process up to a growth temperature when a nitride-based compound semiconductor layer is directly epitaxially grown at a growth temperature of 900°C to 1,050°C.例文帳に追加

９００℃〜１０５０℃の成長温度で窒化物系化合物半導体層を直接エピタキシャル成長させる際に、成長温度までの昇温プロセスにおいて表面粗さが１０ｎｍを超えて劣化しないエピタキシャル成長用基板を用いる。 - 特許庁

An uppermost magnetic layer of the magnetic tape contains nearly granular magnetic powder having ≤30 nm particle size and the magnetic tape has 220 to 400 kA/m coercive force in the longitudinal direction and ≤10% change ratio of the coercive force between -100°C and 50°C.例文帳に追加

磁気テープの最上層磁性層が、粒子サイズ３０ｎｍ以下の略粒状の磁性粉末を含有し、磁気テープの長手方向の保磁力が２２０〜４００ｋＡ／ｍで、かつ−１００℃と５０℃間の保磁力の変化率を１０％以下にする。 - 特許庁

The organic fine particle A is an organic fine particle insoluble in water and soluble in or swollen by a water soluble organic solvent of 18.414-30.69 (MPa)^1/2 in SP value and ≥120°C in boiling point, and ≥70°C in Tg and ≤100 nm in average particle size.例文帳に追加

有機微粒子Ａ：ＳＰ値１８．４１４〜３０．６９（ＭＰａ）^1/2、沸点１２０℃以上の水溶性有機溶媒に溶解又は膨潤する水不溶の有機微粒子で、Ｔｇが７０℃以上で、平均粒子径が１００ｎｍ以下の有機微粒子。 - 特許庁

Alternatively, the tunnel magnetoresistance element comprises a magnetite electrode and a barrier layer in which a magnesium oxide layer and an aluminum oxide amorphous layer of ≤2 nm in film thickness are formed at 60°C-130°C film forming temperature on the magnetite electrode and then annealed at a temperature higher by 0-60°C than the film forming temperature.例文帳に追加

または、マグネタイト電極と、該マグネタイト電極上に成膜温度６０℃〜１３０℃で酸化マグネシウム層と２ｎｍ以下の厚さの酸化アルミニウム非晶質層を成膜し、前記成膜温度より０〜６０℃高い温度でアニールされた障壁層と、からなることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子である。 - 特許庁

The copper foil includes a surface treatment layer which has at least a part of a copper foil surface with azole-based compound and C=O and N and C detection amount obtained by detecting N and C through depth-direction analysis by XPS, and which has an average value D_0 of 2.0-5.0 nm in a depth range larger than a background level.例文帳に追加

銅箔表面の少なくとも一部にアゾール系化合物及びＣ＝Ｏを有する表面処理層が形成され、ＸＰＳによる深さ方向分析で、Ｎ及びＣを検出し、且つ、Ｎ及びＣ検出量がバックグラウンドレベルよりも大きい深さ範囲の平均値Ｄ_0が２．０〜５．０ｎｍである銅箔。 - 特許庁

The polymer composition consists of (A) an inorganic compound the surface of which is coated with a silicon-containing compound, (B) a functionality endower, and (C) a polymer, and the inorganic compound (A) is characterized by having an average particle size of ≥1 nm and <1,000 nm.例文帳に追加

（Ａ）珪素含有化合物で表面被覆された無機系化合物、（Ｂ）機能付与剤、及び（Ｃ）重合体とからなる重合体組成物において、（Ａ）の無機系化合物の平均粒子径が１ｎｍ以上で１０００ｎｍ未満であることを特徴とする重合体組成物。 - 特許庁

The retardation film comprises the aromatic polycarbonate and has reverse wavelength dispersion property; the product of the photoelastic coefficient (Pa^-1) and thickness (nm) of the film is ≤3.0×10^-6 (nm/Pa), and the film has a glass transition temperature of ≥120°C.例文帳に追加

芳香族系ポリカーボネートから構成され逆波長分散特性を有する位相差フィルムであって、該フィルムの光弾性係数（Ｐａ^−１）と厚み（ｎｍ）との積が３．０×１０^−６（ｎｍ／Ｐａ）以下であり、かつガラス転移点温度が１２０℃以上であることを特徴とする位相差フィルム。 - 特許庁

The tungsten oxide fiber is a tungsten oxide fiber comprising a tungsten oxide and has an edge length of 1 nm to 500 μm, a long axis direction length of 5 nm to 10,000 μm, and an aspect ratio in the range of 5 to 300 and is characterized in that the constituent atoms are arranged regularly in the c axis direction.例文帳に追加

タングステン酸化物からなり、一辺の長さが1nm〜500μｍであり、長軸方向の長さが5nm〜10000μｍであり、アスペクト比が5〜300の範囲にあるタングステン酸化物ファイバーであって、原子がｃ軸方向に規則正しく配列していることを特徴とする、タングステン酸化物ファイバー。 - 特許庁

The GaN semiconductor includes a c-GaN single crystal film 5 having a thickness of about 1-10 μm, and is formed sequentially via a 3C-SiC single crystal layer 3 having a thickness of about 100 nm to 1 μm and a BGaN mixed crystal layer 4 having a thickness of about 1-20 nm, on a single crystal Si substrate 1.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に厚さ１００ｎｍ〜１μｍ程度の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３及び厚さ１〜２０ｎｍ程度のＢＧａＮ混晶層４を順に介在して厚さ１〜１０μｍ程度のｃ−ＧａＮ単結晶膜５が形成されている。 - 特許庁

In two or more pigments in the color pixels, birefringence of a pigment dispersion and the content of the pigment in a photosensitive color composition satisfy the following conditions (a), (b) and (c), and the absolute value of the retardation Rth in the thickness direction of the color pixels ranges from 0 nm to 3 nm.例文帳に追加

着色画素の２種以上の顔料は、顔料分散体の複屈折率と感光性着色組成物中の顔料の含有量が、下記（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）の条件を満足するとともに、着色画素の厚み方向位相差Ｒｔｈの絶対値が０ｎｍから３ｎｍの範囲にある。 - 特許庁

The photoresponsive stretchable fiber is a synthetic fiber mixed, coated or bonded with a photochromic compound and shrinks when irradiated with ultraviolet light having 300-380 nm wavelength and returns to a state before contraction when irradiated with visible light having 450-780 nm wavelength or heated at 30-80°C.例文帳に追加

光応答伸縮性繊維は、フォトクロミック化合物が混入、被覆、または付着した合成繊維であって、波長３００〜３８０ｎｍの紫外光を照射すると収縮し、波長４５０〜７８０ｎｍの可視光を照射または３０〜８０℃で加熱すると収縮前の状態に戻る。 - 特許庁

To provide a dispersion shift optical fiber which can have a zero-dispersion wavelength below 1400 nm and very small dispersion in the whole wavelength band of 1460 to 1625 nm covering the S-band, C-band, and L-band and is suitable to WDM transmission and an optical communication system using the same.例文帳に追加

ゼロ分散波長を１４００ｎｍ以下にすることができ、Ｓ−バンド，Ｃ−バンドおよびＬ−バンドに亘る１４６０〜１６２５ｎｍの全波長帯域において分散が格段に小さく、ＷＤＭ伝送に適した分散シフト光ファイバおよびこれを用いた光通信システムを提供すること。 - 特許庁

A plant disease damage preventive lighting device 1 includes a first light source 2 that irradiates light including UV-C and UV-B (ultraviolet) of which a wavelength component of 250 nm or less is assumed as 0, and a second light source 3 that irradiates visible light having the peak wavelength in a wavelength region of 380-500 nm.例文帳に追加

植物病害防除用照明装置１は、２５０ｎｍ以下の波長成分をゼロとしたＵＶ−ＣとＵＶ−Ｂ（紫外線）とを含む光を照射する第１の光源２と、波長域３８０〜５００ｎｍにピーク波長を有する可視光を照射する第２の光源３と、を備える。 - 特許庁

The optical polyamideimide film, having a glass transition temperature of 150°C or higher, an average light transmittance, in terms of a thickness of 100 μm in a wavelength range of 400-500 nm, of 80% or higher, and a retardation of 160 nm or lower, is obtained by using e.g. an alcohol solution of polyamideimide.例文帳に追加

例えば、ポリアミドイミドのアルコール系溶液を用いることで、ガラス転移温度が１５０℃以上であり、波長領域４００から５００ｎｍにおける１００μｍ厚み換算平均光線透過率が８０％以上、かつレタデーションが１６０ｎｍ以下である光学用ポリアミドイミドフイルムを得る。 - 特許庁

The glass substrate is needed to have acid resistance represented by an etching rate of at most 45 nm/min upon contact with a 0.1 wt.% hydrofluoric acid aqueous solution at 50°C for the purpose of maintaining the smoothness (an average surface roughness) Ra of the substrate smaller than 0.3 nm in alkali cleaning after acid treatment.例文帳に追加

酸処理後のアルカリ洗浄において基板の平滑性（表面平均粗さ）をＲa＜０．３ｎｍに保つためには、耐酸性の指標として、基板用ガラスの温度50℃における0.1重量％フッ酸水溶液によるエッチングレートが45nm／min以下であることが必要である。 - 特許庁

Acetylene black, and at least either one of low graphitized graphite, in which a spacing d_002 of the 002 inter-planar distance of carbon lattice is 0.337 nm or larger, and its length in the direction of the C axis is 12 nm or smaller, or amorphous carbon crushed to a prescribed particle size and classified are used for the conductive material.例文帳に追加

導電材には、アセチレンブラックと、炭素結晶格子の００２面間距離ｄ_００２が０．３３７ｎｍ以上、Ｃ軸方向の長さＬｃが１２ｎｍ以下の黒鉛化の低い黒鉛及び所定の粒径に粉砕、分級した非晶質炭素のすくなくともいずれか一方とを用いた。 - 特許庁