overetchedとは 意味・読み方・使い方

According to the method, the silicon nitride film can be overetched while leaving the silicon oxide film even if a pad oxide film underlying a nitride film mask for forming an LOCOS film is as thin as 5 nm.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ膜形成のための窒化膜マスク下方のパッド酸化膜が５ｎｍ程度に薄い場合にも、シリコン酸化膜を残した状態でシリコン窒化膜のオーバーエッチングを行なうことが可能となる。 - 特許庁

To prevent the surface of a semiconductor substrate projecting in a logic element formation region from being overetched in a manufacturing method for a semiconductor storage where a MONOS type memory element and a MOS type logic element are mixedly mounted.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型のメモリ素子とＭＯＳ型のロジック素子とを混載する半導体記憶装置の製造方法において、ロジック素子形成領域に出する半導体基板の表面がオーバエッチングされないようにする。 - 特許庁

An ITO layer with a silicon oxide film thereon is separated by single dry etching, and further the ITO layer is overetched to a passivation film 7 so that the pixel electrode 6 under the passivation film 7 can be reliably separated from the adjacent pixel electrode 6.例文帳に追加

この原因は、ＩＴＯ層からなる画素電極が導電性の異物により短絡されるために発生するためで、２個対点欠陥が生じた場合、パネルは不良品となるので、歩留まりを著しく悪化させていた。 - 特許庁

Thereafter, a sixth oxide film 119 for sidewall formation is formed to about 2000 Å thick which is larger than a standard thickness all over a surface of the substrate 100, the sixth oxide film 119 is overetched and a sidewall 119SW is formed.例文帳に追加

その後、基板１００の表面全体に、サイドウォール形成用の第６の酸化膜１１９を、標準厚さよりも厚い約２０００Åで形成して、第６の酸化膜１１９をオーバーエッチングし、サイドウォール１１９ＳＷを形成する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device that is equipped with wiring film layers, contact holes that connect wiring film layers together, and other contact holes connected to a semiconductor substrate and capable of restraining the semiconductor substrate located at the base of the contact holes from being overetched when the contact holes are formed at the same time.例文帳に追加

複数層に配線膜を備え、各配線膜を接続するコンタクトホールと、半導体基板と接続するコンタクトホールとを備え、各コンタクトホールを同時に形成する場合、コンタクトホールの底部に位置する半導体基板のオーバーエッチを低減することができる半導体装置を得ることを目的とする。 - 特許庁

To prevent, in a semiconductor device composed of a low dielectric interlayer insulating film and a multilayer wiring, the surface of the low dielectric interlayer insulating film from being exposed to the atmosphere to absorb moisture, and further to prevent a metal wiring interfacial surface and the low dielectric interlayer insulating film from being exposed into a contact hole and hereby overetched.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜と多層配線とを備える半導体装置において、低誘電率層間絶縁膜の表面が雰囲気に露出して吸湿するのを防止し、また、金属配線の界面及び低誘電率層間絶縁膜がコンタクトホール内に露出してオーバーエッチングされるのを防止することを目的とする。 - 特許庁

To provide an etchant that can etch a fine pattern without generating bubbles during etching at room temperature, can be easily removed by washing with water when it becomes no more necessary after etching, and can achieve an extremely precise pattern of a transparent conductive film without residual etching portions and overetched portions while having excellent electric properties, and also to provide a method of etching.例文帳に追加

常温にて、エッチングの際に、泡立ちがなくて微細パターンのエッチング入り、およびエッチング後、不要になったエッチング液の水洗浄除性が優れており、エッチング残り、およびオーバーエッチングのない高微細精度の電気特性が優れた透明導電膜のパターンが得られるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

A channel protective film 25 is just-etched with a resist mask 26 as a mask before being overetched, so that the film thickness of a semiconductor layer 24 under the channel protective film 25 is about 500 Å, while the semiconductor layer 24 in other region is half-etched to allow its film thickness to be about 300 Å or less.例文帳に追加

レジストマスク２６をマスクとしてチャネル保護膜２５をジャストエッチングした後に、オーバーエッチングを行うことにより、チャネル保護膜２５下の半導体層２４の膜厚が５００Å程度であるのに対し、それ以外の領域における半導体層２４をハーフエッチングしてその膜厚が３００Å程度以下となるようにする。 - 特許庁