rPoとは 意味・読み方・使い方

The running average tilt value is stored, and used to modify the logical seek distance used in a Rotational Position Optimization (RPO) algorithm to better order I/O requests in a queue.例文帳に追加

傾きの移動平均値が記憶され、回転位置最適化（ＲＰＯ）アルゴリズム内で待ち行列内のＩ／Ｏリクエストのより良い整理のために使用される論理的シーク距離を変更するために使用される。 - 特許庁

A landmark map forming part 420 forms a landmark map integrating a geometrical positional relation of the landmark by integrating all of the landmark position information rPo (x, y, z) sent by the landmark recognizing part 410.例文帳に追加

ランドマーク地図作成部４２０は、ランドマーク認識部４１０が送ってきた全てのランドマーク位置情報ｒＰｏ（ｘ、ｙ、ｚ）を統合し、ランドマークの幾何学的な位置関係を統合したランドマーク地図を作成する。 - 特許庁

The HDC/MPU 23 tries read or write from/to the target sector where an error occurs while being followed by servo control using the RPO correction value.例文帳に追加

ＨＤＣ／ＭＰＵ２３は、このＲＲＯ補正値を使用したサーボ制御によるフォローイングを行いながら、エラーを起こしたターゲット・セクタのリードあるいはライトを試みる。 - 特許庁

In the second process B, after raising the temperature of the substrate up to the film-forming temperature, the starting gas is supplied to the substrate to perform film-forming treatment (205) by a thermal CVD method, and the RPO treatment is performed for forming (206) the second film layer of a given thickness on the first film layer.例文帳に追加

第２薄膜層形成工程Ｂは、基板温度を成膜温度まで昇温後、熱ＣＶＤ法により基板上に原料ガスを供給して成膜処理した後（２０５）、ＲＰＯ処理して第１薄膜層上に第２の薄膜層を所定膜厚だけ形成する（２０６）。 - 特許庁

In the pretreatment process, RPH (Remote Plasma Hydrogenation) treatment for supplying hydrogen radical onto a substrate is performed (202), RPN (Remote Plasma Nitriding) treatment for supplying nitrogen radical onto the substrate is performed (203), and then RPO (Remote Plasma Oxidation) treatment for supplying oxygen radical onto the substrate is performed (204) in the middle of substrate temperature increment for increasing a substrate temperature to a depositing one.例文帳に追加

前処理工程は、基板温度を成膜温度まで昇温させる基板昇温の途中で、水素ラジカルを基板上に供給するＲＰＨ（リモートプラズマ水素化）処理を行い（２０２）、その後、窒素ラジカルを基板上に供給するＲＰＮ（リモートプラズマ窒化）処理を行い（２０３）、その後、酸素ラジカルを基板上に供給するＲＰＯ（リモートプラズマ酸化）処理を行う（２０４）。 - 特許庁

In the process A, a film-forming material is supplied (202) to allow inorganic starting gas to attach to the substrate being unreacted during the heating of the substrate up to a film-forming temperature, and an oxygen radical is supplied to the substrate for performing (203) RPO (remote plasma oxidation) treatment to form the first film layer thereon.例文帳に追加

第１薄膜層形成工程Ａは、基板温度を成膜温度まで昇温させる基板昇温加熱の途中で、有機原料ガスを基板上に未反応のまま付着させる成膜原料供給を行なった後（２０２）、酸素ラジカルを基板上に供給して第１の薄膜層を形成するＲＰＯ（リモートプラズマ酸化）処理を行なう（２０３）。 - 特許庁