reduced surface fieldとは 意味・読み方・使い方

To provide a magnetron sputtering apparatus in which a magnetic field shape and a magnetic field strength on a target surface side can be easily changed and which allows the manufacturing cost thereof to be reduced as a result.例文帳に追加

容易にターゲット表面側の磁場形状や磁場強度を変更でき、装置の製造コストを低減できるマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

Thereby, the transverse electric field Eh can be reduced by the longitudinal electric field Ev even when the transverse electric field Eh is generated between the pixel electrodes 9a1 and 9a2 along a substrate surface of a TFT array substrate 10.例文帳に追加

したがって、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に沿って９ａ１及び画素電極９ａ２間に横電界Ｅｈが生じた場合でも、縦電界Ｅｖによって横電界Ｅｈを低減できる。 - 特許庁

Thus, the peripheral direction leakage magnetic field of a magnetic field center by the magnet 2 is efficiently suppressed and the size limitations of the inspection window and the gateway on the wall surface are reduced.例文帳に追加

これにより、磁石２による磁場中心の周方向漏洩磁場を効率良く抑制して、璧面の検査窓や出入り口の大きさ制限を緩和することができる。 - 特許庁

To obtain a motor being used in an electric reel in which a loss due to a gap between a field magnet and the outer circumferential surface is reduced as much as possible.例文帳に追加

電動リールに使用されるモータにおいて、界磁の磁石の外周面との隙間による損失を可及的に抑える。 - 特許庁

In the semiconductor switching element 1, an N-type reduced surface field region 302 is formed in a semiconductor substrate 301, and a P-type collector region 303a, an N-type drain region 306b and an N-type buffer region 314 are formed in the reduced surface field region 302.例文帳に追加

半導体スイッチング素子１において、半導体基板３０１内にはＮ型リサーフ領域３０２が設けられており、リサーフ領域３０２内にはＰ型コレクタ領域３０３ａとＮ型ドレイン領域３０６ｂとＮ型バッファ領域３１４とが設けられている。 - 特許庁

Therefore, electric field strength near the wall surface of the container 1 can be reduced, and the occurrence of ignitable electrostatic discharge can be suppressed.例文帳に追加

それゆえ、容器１内の壁面付近における電界強度を低減し、着火性静電気放電の発生を抑制することができる。 - 特許庁

A difference of reliefs between the surface of the wiring layer 5 and the surface of a silicon substrate 1 in the element area 3 is reduced by thinning the field oxide film 2.例文帳に追加

フィールド酸化膜２を薄くすることで、配線層５の表面と素子領域３におけるシリコン基板１の表面との高低差を少なくすることができる。 - 特許庁

To prevent decrease in breakdown strength due to breakdown strength drift caused by the decrease in the surface concentration in an RESURF(reduced surface field) layer.例文帳に追加

ＲＥＳＵＲＦ層表面濃度の低下による耐圧ドリフトによる耐圧低下を防ぎ、高信頼性の高耐圧型半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁