single threadingとは 意味・読み方・使い方

To reduce the threading dislocation of a single substrate made of nitride semiconductor from a nitride semiconductor substrate where a nitride semiconductor is grown on a supporting substrate, and to obtain a nitride semiconductor with a thick film.例文帳に追加

支持基板上に窒化物半導体を成長させた窒化物半導体基板から窒化物半導体の単体基板を貫通転位を低減させ、また厚膜の窒化物半導体として得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single crystal capable of reducing threading dislocations while suppressing transfer of polymorphism and dislocation without performing sequential lamination of p-layers and n-layers.例文帳に追加

ｐ層とｎ層を順次積層させなくても、多形や転位の引継ぎを抑制しつつ、貫通転位を低減できるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, without performing sequential lamination of p-layers and n-layers, the SiC single crystal capable of reducing threading screw dislocations can be produced while suppressing transfer of polymorphism and dislocation.例文帳に追加

したがって、ｐ層とｎ層を順次積層させなくても、多形や転位の引継ぎを抑制しつつ、貫通転位を低減できるＳｉＣ単結晶を製造することができる。 - 特許庁

Therefore, if an electronic device is formed to a SiC single crystal substrate 1 whose direction of the dislocation line of threading dislocation is [0001]c axis, good device characteristic, no deterioration and an enhanced yield can be attained.例文帳に追加

このため、貫通転位３の転位線の方向が［０００１］ｃ軸であるＳｉＣ単結晶基板１に対して電子デバイスを形成すれば、デバイス特性は良好となり、劣化が無く、歩留まりも向上したＳｉＣ半導体装置。 - 特許庁

In kernels up to and including 2.6.9, a separate accounting record is written for each thread created using the NPTL threading library; since Linux 2.6.10, a single accounting record is written for the entire process on termination of the last thread in the process.発音を聞く 例文帳に追加

バージョン 2.6.9 以前のカーネルでは、NPTL スレッドライブラリを使って作成されたスレッドではスレッド毎に別々のアカウンティングレコードが書き込まれていた。 Linux 2.6.10 以降では、プロセス内の最後のスレッドが終了すると、プロセス全体についてのアカウンティングレコードが一つだけ書き込まれる。 - JM

The single SoC independent multiprocessor subsystem core can execute a multi-threading operation process for an SoC device when it is structured as a DSP, a hybrid ASIC or a network processing structure.例文帳に追加

単一のＳｏＣ独立マルチプロセッサ・サブシステム・コアは、ＤＳＰ、コプロセッサ、ハイブリッドＡＳＩＣまたはネットワーク処理構成として構成されるとき、ＳｏＣデバイスのためのマルチスレッド化オペレーション処理を実行することができる。 - 特許庁

Therefore, the device characteristics are improved by forming an electronic device to an SiC single crystal substrate having the direction of dislocation line of the threading dislocation 3 of being the [0001] c-axis, and an SiC semiconductor device with improved yield having no deterioration is formed.例文帳に追加

このため、貫通転位３の転位線の方向が［０００１］ｃ軸であるＳｉＣ単結晶基板に対して電子デバイスを形成すれば、デバイス特性は良好となり、劣化が無く、歩留まりも向上したＳｉＣ半導体装置とすることができる。 - 特許庁

The GaN layer 15 is grown to overlie an InGaN/ZnO compound substrate having the InGaN layer 14 which is grown while lattice matching with the ZnO single crystal substrate 11 having a small dislocation density, thereby the threading dislocation of the GaN layer 15 is reduced sharply.例文帳に追加

転位密度の小さいＺｎＯ単結晶基板１１に格子整合して成長されたＩｎＧａＮ層１４を有するＩｎＧａＮ／ＺｎＯ複合基板を下地としてＧａＮ層１５が成長されているので、ＧａＮ層１５の貫通転位密度が大幅に低減されている。 - 特許庁