「single threading」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This module provides the basic infrastructure for writing asynchronous socket service clients and servers.There are only two ways to have a program on a single processor do ``more than one thing at a time.'' Multi-threaded programming is the simplest and most popular way to do it, but there is another very different technique, that lets you have nearly all the advantages of multi-threading, without actually using multiple threads. 例文帳に追加

このモジュールは、非同期ソケットサービスのクライアント・サーバを開発するための基盤として使われます。 - Python

Therefore, without performing sequential lamination of p-layers and n-layers, the SiC single crystal capable of reducing threading screw dislocations can be produced while suppressing transfer of polymorphism and dislocation.例文帳に追加

したがって、ｐ層とｎ層を順次積層させなくても、多形や転位の引継ぎを抑制しつつ、貫通転位を低減できるＳｉＣ単結晶を製造することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single crystal capable of reducing threading dislocations while suppressing transfer of polymorphism and dislocation without performing sequential lamination of p-layers and n-layers.例文帳に追加

ｐ層とｎ層を順次積層させなくても、多形や転位の引継ぎを抑制しつつ、貫通転位を低減できるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a yarn processing machine enabling either of two-step heater false-twisting and preheating false-twisting to be conducted with a single equipment and yarn threading operation to be done by a single operator standing on an operator path.例文帳に追加

１つの設備で２段ヒータ仮撚加工およびプレヒーティング仮撚加工の何れをも行うことができ、加工機への糸掛け作業が作業者通路に立っている１人の作業者によって行えるようにした糸加工機を提供する。 - 特許庁

The single SoC independent multiprocessor subsystem core can execute a multi-threading operation process for an SoC device when it is structured as a DSP, a hybrid ASIC or a network processing structure.例文帳に追加

単一のＳｏＣ独立マルチプロセッサ・サブシステム・コアは、ＤＳＰ、コプロセッサ、ハイブリッドＡＳＩＣまたはネットワーク処理構成として構成されるとき、ＳｏＣデバイスのためのマルチスレッド化オペレーション処理を実行することができる。 - 特許庁

To reduce the threading dislocation of a single substrate made of nitride semiconductor from a nitride semiconductor substrate where a nitride semiconductor is grown on a supporting substrate, and to obtain a nitride semiconductor with a thick film.例文帳に追加

支持基板上に窒化物半導体を成長させた窒化物半導体基板から窒化物半導体の単体基板を貫通転位を低減させ、また厚膜の窒化物半導体として得ることを目的とする。 - 特許庁

Therefore, if an electronic device is formed to a SiC single crystal substrate 1 whose direction of the dislocation line of threading dislocation is [0001]c axis, good device characteristic, no deterioration and an enhanced yield can be attained.例文帳に追加

このため、貫通転位３の転位線の方向が［０００１］ｃ軸であるＳｉＣ単結晶基板１に対して電子デバイスを形成すれば、デバイス特性は良好となり、劣化が無く、歩留まりも向上したＳｉＣ半導体装置。 - 特許庁

Therefore, the device characteristics are improved by forming an electronic device to an SiC single crystal substrate having the direction of dislocation line of the threading dislocation 3 of being the [0001] c-axis, and an SiC semiconductor device with improved yield having no deterioration is formed.例文帳に追加

このため、貫通転位３の転位線の方向が［０００１］ｃ軸であるＳｉＣ単結晶基板に対して電子デバイスを形成すれば、デバイス特性は良好となり、劣化が無く、歩留まりも向上したＳｉＣ半導体装置とすることができる。 - 特許庁

In kernels up to and including 2.6.9, a separate accounting record is written for each thread created using the NPTL threading library; since Linux 2.6.10, a single accounting record is written for the entire process on termination of the last thread in the process. 例文帳に追加

バージョン 2.6.9 以前のカーネルでは、NPTL スレッドライブラリを使って作成されたスレッドではスレッド毎に別々のアカウンティングレコードが書き込まれていた。 Linux 2.6.10 以降では、プロセス内の最後のスレッドが終了すると、プロセス全体についてのアカウンティングレコードが一つだけ書き込まれる。 - JM

The constitution of connecting either one of the plurality of thread feed ports to the threading port of the looper by the connecting member having the single thread passage can attain a small constitution capable of storing a whole thread feed mechanism selectively feeding a plurality of sewing thread with different colors and properties to the single looper, or the looper in a looper base.例文帳に追加

１つの糸通路を有する連結部材による、複数の糸供給口のいずれか１つをルーパの糸通し口に連結する構成は、単一のルーパに対して色や性状の異なる複数の縫糸を選択的に供給する糸供給機構全体及びルーパをルーパ土台内に納めることのできる小嵩の構成とすることができる。 - 特許庁

Between a silicon carbide epitaxial layer for device fabrication (i.e., a drift layer) and a base substrate formed of a silicon carbide single-crystal wafer, a highly efficient dislocation conversion layer through which any basal plane dislocations in the silicon carbide single-crystal wafer are converted into threading edge dislocations very efficiently when the dislocations propagate into the layer epitaxially grown is provided by epitaxial growth.例文帳に追加

デバイスが作り込まれる炭化珪素エピタキシャル層（ドリフト層）と炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板との間に、 炭化珪素単結晶ウエハ中の基底面転位がエピタキシャル成長層中に伝播する際に貫通刃状転位に変換される変換効率の高い層（転位変換層）を、エピタキシャル成長によって設ける。 - 特許庁

The GaN layer 15 is grown to overlie an InGaN/ZnO compound substrate having the InGaN layer 14 which is grown while lattice matching with the ZnO single crystal substrate 11 having a small dislocation density, thereby the threading dislocation of the GaN layer 15 is reduced sharply.例文帳に追加

転位密度の小さいＺｎＯ単結晶基板１１に格子整合して成長されたＩｎＧａＮ層１４を有するＩｎＧａＮ／ＺｎＯ複合基板を下地としてＧａＮ層１５が成長されているので、ＧａＮ層１５の貫通転位密度が大幅に低減されている。 - 特許庁

To connect a pipe to another fluid flow pipe or fluid passage of equipment in a single operation with high airtightness and connecting strength sufficiently bearing the practical fluid pressure and without any machining of the edge of the pipe to be connected nor parts requiring a threading work such as a box nut.例文帳に追加

接続しようとする管の先端部に予め何も加工を施すことなく、また袋ナットのようなねじ締め作業を要する部品を用いることなく、いわゆるワンタッチ作業で、実用の流体圧力に十分耐える高い気密性と接続強度をもって、管を他の流体流通管あるいは機器の流体通路に接続する。 - 特許庁