surface doseとは 意味・読み方・使い方

In accordance with the reduction of radioactivity during transportation, dose rate at the outer surface of the first layer shield vessel reduces.例文帳に追加

輸送中における放射能の減衰に伴い、第一層遮蔽容器外側表面における線量率は減少する。 - 特許庁

After confirming the undershooting of the dose rate at the outer surface of the first layer shield vessel with a dose meter 401 inserted inside the double doors 301 and 302, the second layer is separated and removed.例文帳に追加

この第一層遮蔽容器外側表面における線量率が許容値を下回ったことを二重扉３０１，３０２内に挿入した線量計４０１により確認した後に、第二層を分離除去する。 - 特許庁

The method includes administering SNS-595 to a body surface area of a patient in a dose of 10-150 mg/m^2.例文帳に追加

該方法は、ＳＮＳ−５９５の１０ｍｇ／ｍ２〜１５０ｍｇ／ｍ２の投与量を、患者の体表面領域に投与することを含む。 - 特許庁

To prevent drop in absorbed dose in the vicinity of the surface of an irradiating material in radiation exposure for sterilization of foods or the like.例文帳に追加

食品等の殺菌等を行う放射線照射において、被照射物の表面近傍での吸収線量の低下を防止する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method or the like, by which a plurality of implantation regions having different level of dose each other on the surface of a substrate are formed without forming regions of excess level of dose, and a width of a transient region of dose can be narrowed while preventing the decrease in the beam current, and additionally, the control operation is simple.例文帳に追加

一つの基板の面内に互いにドーズ量の異なる複数の注入領域を形成するものであって、過注入領域を発生させずに済み、かつビーム電流の減少を防止しつつドーズ量の遷移領域の幅を小さくすることができ、しかも制御が簡単であるイオン注入方法等を提供する。 - 特許庁

To realize a dose distribution reproducing approximately a monotonous varying curvature curved surface without using a correction device prepared for each patient.例文帳に追加

患者毎に作成される修正具を用いることなく、近似的に単調増減曲率曲面を再現する線量分布を実現する。 - 特許庁

Since one part of resin constituting the case 20 dose not adhere to the entire surface of the top surface of the receiving portion, a conductive material constituting the metal terminals 30 is exposed.例文帳に追加

受け部の上面の全面にはケース２０を構成する樹脂の一部は付着しておらず、金属端子３０を構成する導電性材料が剥き出しの状態となっている。 - 特許庁

When the dose rate becomes small, roughness in a peeling surface becomes small, thus making small the polishing margin of the peeling surface of the coupling silicon single crystal thin film in a planarization process.例文帳に追加

ドーズ量が小さくなれば、剥離面の面粗さも小さくなり、平坦化工程における結合シリコン単結晶薄膜の剥離面の研磨代を小さく設定することができる。 - 特許庁