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v particlesとは 意味・読み方・使い方
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「v particles」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 70件
The intensity of the electric field to drive the developing particles is controlled to be between 0.3 V/μm and 3.0 V/μm.例文帳に追加
現像粒子駆動電界の強度を０．３Ｖ／μｍ以上３．０Ｖ／μｍ以下とする。 - 特許庁
When voltages of +50 V, 0 V and +50 V are applied to the electrodes 7a, 7b and 7c, respectively, the white particles 5 and the black particles 4 are moved onto the electrodes 7a and 7b, respectively, and black color can be observed.例文帳に追加
電極７ａに＋５０Ｖ、７ｂに０Ｖ、７ｃに＋５０Ｖの電圧を印加とすると、白色粒子５が電極７ａ上に、黒色粒子４が電極７ｂ上に移動し、黒を観察できる。 - 特許庁
When voltages of +50 V, 0 V and -50 V are applied to the electrodes 7a, 7b and 7c, respectively, the black particles 4 and the white particles 5 are moved onto the electrodes 7c and 7a, respectively, and red color can be observed.例文帳に追加
電極７ａに＋５０Ｖ、７ｂに０Ｖ、７ｃに−５０Ｖの電圧を印加すると、黒色粒子４が電極７ｃ上に、白色粒子５が電極７ａ上に移動し赤を観察できる。 - 特許庁
When voltages of -50 V, 0 V and -50 V are applied to the electrodes 7a, 7b and 7c, respectively, the black particles 4 and the white particles 5 are moved onto the electrodes 7c and 7b, respectively, and white color can be observed.例文帳に追加
電極７ａに−５０Ｖ、電極７ｂに０Ｖ、電極７ｃに−５０Ｖの電圧を印加すると、黒色粒子４が電極７ｃ上に、白色粒子５が電極７ｂ上に移動し、白を観察できる。 - 特許庁
Equation 1: K=V×T/L (wherein V is the speed (×100 m/s) of spraying particles; T is the temperature of particles (×100°C); L is the flying distance (×100 mm), or distance from the spraying outlet to the surface of the substrate).例文帳に追加
（式１）Ｋ＝Ｖ×Ｔ／Ｌ、Ｖ：粒子の噴射速度（×１００ｍ／ｓ）、Ｔ：粒子温度（×１００℃）、Ｌ：粒子飛翔距離（噴射口から基材表面までの距離：×１００ｍｍ） - 特許庁
The group III-V nitride semiconductor is grown after inorganic particles 2 are arranged on a substrate 1 for growth, forming a group III-V nitride semiconductor 3 with the inorganic particles 2 arranged on the substrate 1 for growth.例文帳に追加
成長用基板１上に無機粒子２を配置した後に３−５族窒化物半導体を成長し、これにより無機粒子２が配された３−５族窒化物半導体３を成長基板１上に形成する。 - 特許庁
The foam spraying method uses a synthetic resin as the substrate and comprises spraying particles by setting the speed V of spraying the particles, the temperature T of the particles and the flying distance L of the particles so that K, defined by equation 1, becomes no larger than 12 at temperatures T of heating the particles which equals to 4×10^2°C or higher.例文帳に追加
ウォームスプレー法は、前記基材が合成樹脂であり、前記粒子の加熱温度（Ｔ）が４×１０^２℃以上であって下記式１においてＫが１２未満となるように、粒子の噴射速度（Ｖ）と粒子温度（Ｔ）と粒子の飛翔距離（Ｌ）とを設定して噴射することを特徴とする。 - 特許庁
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「v particles」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 70件
After metal molds are packed with magnetoplumbite type ferrite particles manufactured by a wet process, these particles are sintered by energizing the particles with current of 100 to 2,000 A at voltage of 1 to 10 V under pressurization of 5 to 500 MPa.例文帳に追加
湿式法で作製したマグネトプランバイト型フェライト粒子を金型に充填した後、５〜５００ＭＰａの加圧下で、１〜１０Ｖの電圧で１００〜２０００Ａの電流を通電することによって、当該粒子を焼結させる。 - 特許庁
A plurality of yield pressures (τ) are measured by changing the moving speed (V), and the displaceability of the test particles (2) is calculated from the coefficient (m), satisfying the formula (I): log(τ)=m×log(V)+log(a); and the dispersibility of the particle sizes of the test particles is calculated from the coefficient (a).例文帳に追加
移動速度(Ｖ)を変えて複数の降伏圧力(τ)を測定し、式（Ｉ） ｌｏｇ(τ) ＝ ｍ × ｌｏｇ(Ｖ) ＋ ｌｏｇ(ａ) （Ｉ）を満足する係数ｍから前記試料粒子(2)の変位性を、係数ａから粒子径の分散性をそれぞれ求める。 - 特許庁
The hydrogen-permeable metal particles are Pd, Pt, Nb, V and Ta, and each preferable content thereof is 20-70 mass%.例文帳に追加
前記水素透過性金属粒子は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａであり、その好ましい含有量は２０〜７０質量％である。 - 特許庁
In the group III-V nitride semiconductor laminated substrate 1 having a group III-V nitride semiconductor crystal 14 formed on a ground substrate 11 by the selective growth using inorganic particles 13, a semiconductor layer 12 having a crystallinity lower than the group III-V nitride semiconductor crystal 14 is formed between the ground substrate 11 and the inorganic particles 13.例文帳に追加
下地基板１１上に無機粒子１３を用いて選択成長により形成された３−５族窒化物半導体結晶１４を備えて成る３−５族窒化物半導体積層基板１において、下地基板１１と無機粒子１３との間に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を設ける。 - 特許庁
A binder generating part generates a binder V for flocculating ultrafine particles G generated from the end portion 302e of the rubber layer with each other and clusterizing the ultrafine particles G, in a space surrounding the end portion 302e of the rubber layer.例文帳に追加
バインダ発生部は、ゴム層の端部３０２ｅを取り巻く空間に、ゴム層の端部３０２ｅから発生した超微粒子Ｇを互いに凝集させてクラスタ化するためのバインダＶを発生する。 - 特許庁
As Zr and V are non-fluorescent material, Zr is not formed in a film shape on the surface of the phosphor particles 21, but Zr is made to adhere in a particle shape.例文帳に追加
ZrやＶは非発光物質なので、蛍光体粒子21の表面にZrを膜状に形成することなく、Zrを粒子状に付着させる。 - 特許庁
When the emulsified fragrance material composition contains gum ghatti and/or gum arabic and the average particle diameter of emulsified particles is 0.4 μm or less, the emulsified fragrance material composition can be stably and transparently dispersed in an alcohol-containing composition with the alcohol concentration of 30-60 v/v%.例文帳に追加
ガティガム及び/又はアラビアガムを含有し、乳化粒子の平均粒子径が０．４μｍ以下である乳化香料組成物とすることにより、アルコール濃度が３０〜６０v/v％のアルコール含有組成物中に、当該乳化香料組成物を安定的かつ透明に分散できる。 - 特許庁
In an electric discharge cell where the discharge start threshold voltage between surface electrodes is 250 V and the discharge start voltage between the opposing electrodes is 350 V when a large number of activated particles exist in the discharging space, the final potential Vps of a predischarge pulse Pps is set to 400 V and the potential Vpc of a predischarge pulse Ppc is set to 0 V.例文帳に追加
面電極間の放電開始閾電圧が２５０Ｖ、放電空間に活性な粒子が多量に存在する場合の対向電極間の放電開始電圧が３５０Ｖとなる放電セルであれば、予備放電パルスＰｐｓの到達電位Ｖｐｓを４００Ｖと設定し、予備放電パルスＰｐｃの電位Ｖｐｃを０Ｖと設定しておく。 - 特許庁
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