「"かっせいかねつ"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

半導体層にドーパント不純物を添加し、０．１秒〜１０秒の活性化熱処理を行う。例文帳に追加

A dopant impurity is added to a semiconductor layer and an activation heat treatment is carried out for 0.1 to 10 seconds. - 特許庁

その後、活性化熱処理により、ｐ型の深部膨張形拡散領域１５ａ，１５ｂを形成する。例文帳に追加

Then p-type deep expansion diffusion areas 15a and 15b are formed by activating heat-treatment. - 特許庁

そして、不純物の活性化熱処理を行い、拡散層領域を形成する。例文帳に追加

Then, the activation heat treatment of impurities is made to form a diffusion layer region. - 特許庁

その状態で、不純物領域２０９等に含まれる不純物の活性化熱処理を行う。例文帳に追加

In this state, impurities including in an impurity area 209 or the like are heated for activation. - 特許庁

活性化熱処理で結晶化しない非晶質高誘電体膜を提供する。例文帳に追加

To provide an amorphous high dielectric film without being crystallized in activation heat treatment. - 特許庁

高温で長時間の活性化熱処理を行うことなく、パターンエッジ部周辺に発生する応力を軽減することにより高濃度不純物領域の活性化熱処理で発生する転位の拡張を抑制する。例文帳に追加

To suppress extension of dislocation generated in activation thermal treatment at a high concentration impurity region by lowering stress generated around pattern edge without performing activation thermal treatment at high temperature for long hours. - 特許庁

不純物活性化熱処理方法は、被処理体に対して不純物導入工程を実施した後の不純物の活性化熱処理において、第１の設定温度Ｔ_１から第２の設定温度Ｔ_２まで、昇温速度で昇温する。例文帳に追加

In an impurity activating thermal processing method, in an impurity activating thermal processing after an impurity introducing process with respect to a processing body is implemented, the temperature rises at a temperature rising speed from a first setting temperature T_1 to a second setting temperature T_2. - 特許庁

３Ｄ−ヘリカル／らせん構造のカーボンマイクロコイルは微量のイオウ不純物を含むアセチレンの触媒活性化熱分解により得られる。例文帳に追加

The carbon micro coil of 3D-helical/spiral structure can be obtained by the catalyst activating heat decomposition of acetylene, which contains very small quantity of sulfur impurities. - 特許庁

ドーパント活性化熱処理の後の低温アニールによっても抵抗の増加率が低く、かつ、高抵抗の抵抗体を提供する。例文帳に追加

To provide a resistor where increase rate of resistance is low even by a low temperature annealing after dopant activation heat treatment and that has high resistance. - 特許庁

これにより、活性化熱処理の際のＢの拡散が抑制され、ｐ型半導体で構成される各領域が広がらずに形成される。例文帳に追加

Accordingly, diffusion of B at activation thermal treatment can be suppressed and areas made of p-type semiconductor are formed without spreading. - 特許庁

ウイルス不活性化熱処理のための血漿タンパク質の寒冷沈降物を安泰化させる方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for stabilizing a cryoprecipitate of plasmatic proteins for a viral inactivation thermal treatment. - 特許庁

ハフニウム酸化膜１０５を堆積した後で、タンタル金属１０６を堆積した後、ドープドシリコン１０８を堆積させ、活性化熱処理を行う。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of depositing a hafnium oxide film 105, depositing a tantalum metal 106, then depositing a doped silicon 108, and activation heat treating the film. - 特許庁

光の照射によってウェーハを加熱する活性化熱処理において、ウェーハ面内の温度の均一化を図ることのできる熱処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a thermal processing device capable of making the temperature of a wafer plane uniform in activation thermal processing, in which a wafer is heated by light irradiation. - 特許庁

次いで、０．１ミリ秒〜１００ミリ秒の活性化熱処理を行い、アモルファス化した半導体層を再結晶化することにより、半導体層にドーパント不純物の拡散領域を形成する。例文帳に追加

Further, an activation heat treatment is carried out for 0.1 to 100 milliseconds to recrystallize the semiconductor layer having been made amorphous, thereby forming a diffusion region of the dopant impurity in the semiconductor layer. - 特許庁

活性化熱処理により半導体検出素子上に不純物半導体層を形成することが可能な裏面照射型撮像素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a backside illumination type imaging device forming an impurity semiconductor layer on a semiconductor detection element by an activation heat treatment. - 特許庁

点欠陥を修復してから活性化熱処理を行えば、過度増速拡散により厚み方向の拡散が進むことはないので、所望どおりの浅さの接合を形成できる。例文帳に追加

Activating heat treatment is carried out after the spot defect is repaired, and since the diffusion along the thickness is not advanced by the excessively rate-increased diffusion, the junction which has exact desired thickness can be formed. - 特許庁

注入パラメータの代わりに活性化熱処理パラメータを算出してもよく、変質層の厚さをドライエッチング条件から推定（Ｓ１０７）してもよい。例文帳に追加

An activation thermal processing parameter may be calculated instead of the injection parameter, and the thickness of the alteration layer may be estimated from dry-etching conditions (S107). - 特許庁

マスク部材の変形及び歪みを生ずることなく、所望の強度分布の光を被処理体に照射し、均一な熱処理を行うことを可能とする活性化熱処理装置及び熱処理方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an activating heat treatment apparatus and a heat treatment method which can perform uniform heat treatment by irradiating a treatment target with light of a required intensity distribution without generating deformation or distortion in a mask member. - 特許庁

本発明は、アセチレンの触媒活性化熱分解によりマイクロコイル状炭素を合成する際、反応条件を厳密に制御し、ファイバーの成長につれて基板を下げてゆくことを特徴とする、コイルが極めて密に規則正しく巻いた中空状カーボンマイクロコイルに関する。例文帳に追加

The hollow carbon microcoil of which the coil is wound very densely and regularly, is obtained by strictly controlling the reaction conditions when a microcoil carbon is synthesized by catalyst-activated pyrolisis of acetylene, and lowering a substrate accompanying the growing of a fiber. - 特許庁

また、活性化熱処理の際には、多結晶シリコン層２０７の上面は露出していないので抵抗のばらつきは抑制され、かつ、シリコン窒化膜２１１の膜厚は薄いので、応力の発生が抑制され、ＭＩＳＦＥＴの特性も劣化しない。例文帳に追加

In addition, the upper surface thereof is not exposed during heat treatment for activation, so that the variance of resistance can be suppressed, and since the thickness of the silicon nitride film 211 is small, the generation of stress can be prevented and the characteristic of the MISFET is not degraded. - 特許庁

炭化珪素単結晶基板又は炭化珪素単結晶エピタキシャル膜が成膜された基板にイオン注入する工程と、該基板上に窒素を含有した炭素膜を形成する工程と、注入イオンの活性化熱処理を行う工程とを含む炭化珪素半導体デバイスの作製方法である。例文帳に追加

A manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device includes: a process in which ions are implanted on a silicon carbide single crystal substrate or a substrate on which a silicon carbide single crystal epitaxial film is formed; a process in which a carbon film containing nitrogen is formed on the substrate; and a process in which activation heat treatment of implanted ions is performed. - 特許庁

ゲート電極７Ｐの下層にＧｅを含む膜７２を有し、Ｇｅを含む膜７２の上に粒径の小さい（平均粒径１００ｎｍ以下の）ポリシリコン膜７３を有しているので、ゲート電極７Ｐ中にドープされるボロンが、ソース／ドレイン電極の活性化熱処理によりゲート電極中に厚さ方向にほぼ均一に分布する。例文帳に追加

Since the semiconductor device has a Ge-containing layer 72 under the gate electrode 7P and a polysilicon film 73 having small particle diameters (a mean particle diameter of ≤100 nm) on the Ge-containing layer 72, the B doped into the gate electrode 7P is roughly uniformly distributed in the gate electrode 7P in the thickness direction when source and drain electrodes are subjected to an activating heat treatment. - 特許庁

活性化熱処理を行い、ヒ素イオンを拡散してなるソース拡散層１５及びドレイン拡散層１６を形成すると共に、リンイオンを拡散してなる第１の層１７ａとヒ素イオンを拡散してなる第２の層１７ｂとの２層構造からなるオフセットドレイン拡散層１７を、ゲート電極１３とドレイン拡散層１６との間に形成する。例文帳に追加

With an activated heat-treatment, a source diffused layer 15 and a drain diffused layer 16 comprising diffused arsenic ion are formed, and an offset drain layer 17, comprising a two-layer structure of a first layer 17a comprising a diffused phosphorus ion and a second layer 17b which consists of diffused arsenic ions, is formed between the gate electrode 13 and the drain-diffused layer 16. - 特許庁