「"中間構造"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

中間構造物の上部には、入院施設となる上部構造物６が設けられている。例文帳に追加

The upper part structure 6 which becomes hospitalization facilities is provided in an upper part of the intermediate structure. - 特許庁

コバルトシリサイド膜の作製方法、コバルトシリサイド膜、及び多層膜中間構造体例文帳に追加

COBALT SILICIDE FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MULTILAYERED FILM INTERMEDIATE STRUCTURE - 特許庁

ケーシングは、フレームを有する成形プラスチックの中間構造体を有する。例文帳に追加

The casing has a molded plastic intermediate structure having a frame. - 特許庁

半導体実装対象中間構造体及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

INTERMEDIATE STRUCTURE TO BE MOUNTED WITH SEMICONDUCTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

中間構造体は、基板テーブルを駆動させる駆動機構に接続されており、あるいは接続可能である。例文帳に追加

The intermediate structure is connected or connectable to a drive mechanism to drive the substrate table. - 特許庁

薄膜トランジスタ基板の製造方法及び薄膜トランジスタ基板形成用中間構造物例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, AND INTERMEDIATE STRUCTURE FOR FORMING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE - 特許庁

液体噴射記録ヘッドの製造方法、及び該製造工程における中間構造体例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR LIQUID JET RECORDING HEAD AND INTERMEDIATE STRUCTURE IN THE MANUFACTURING PROCESS - 特許庁

半導体装置の製造方法とその製造方法で利用される中間構造体例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND INTERMEDIATE STRUCTURE USED THEREIN - 特許庁

半導体ウエハに支持ディスクが貼付けられている中間構造体において、例えばその中間構造体の搬送中に、支持されている半導体ウエハが破壊されるのを抑制すること。例文帳に追加

To restrain a supported semiconductor wafer from being broken in transfer, for example, of an intermediate structure wherein a supporting disc is stuck to the semiconductor wafer. - 特許庁

入力側構造定義データが既存の中間構造定義データで対応できない新規なものであるときは要素の追加等により中間構造定義データを拡張する。例文帳に追加

When the input-side structure definition data are new and cannot be handled with the existent intermediate definition data, the intermediate structure definition data are extended by adding elements and so on. - 特許庁

複数の建物ユニットが離し置きされ、それら建物ユニットの間に中間構造部が設けられた建物において、中間構造部を構築する上での施工作業性を向上させる。例文帳に追加

To enhance construction workability associated with construction of an intermediate structure section in a building in which a plurality of building units are placed separately from one another and in which the intermediate structure sections are installed among the building units, respectively. - 特許庁

基板テーブルと中間構造体の間の距離、および中間構造体と基準構造体の間の距離が小さくなり、これはきわめて高精度の位置測定をもたらす。例文帳に追加

A distance between the substrate table and the intermediate structure and a distance between the intermediate structure and the reference structure are shortened, which leads to a highly accurate position measurement. - 特許庁

測定システムは、中間構造体に対する基板テーブルの位置を測定する第１の測定システム、および基準構造体に対する中間構造体の位置を測定する第２の測定システムを有する。例文帳に追加

The measurement system has a first measurement system to measure the position of the substrate table with respect to an intermediate structure, and a second measurement system to measure the position of the intermediate structure with respect to the reference structure. - 特許庁

マイクロミラー付き光導波路の製造方法、その製造方法に用い得る中間構造物、及びマイクロミラー付き光導波路例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE WITH MICROMIRROR, INTERMEDIATE STRUCTURE USED FOR MANUFACTURING METHOD, AND OPTICAL WAVEGUIDE WITH MICROMIRROR - 特許庁

下部構造体２２と中間構造体２３との間、および中間構造体２３と上部構造体２４との間に、鉛直方向に変形せず水平方向に変形可能な複数の免震支承２５を介装することにより、第一および第二の免震層２６，２７をそれぞれ形成した。例文帳に追加

A plurality of base-isolation supports 25 which can be deformed horizontally without being deformed vertically are interposed between a lower structure 22 and an intermediate structure 23 and between the intermediate structure 23 and an upper structure 24 to form a first and second base-isolation layers 26 and 27. - 特許庁

光学構造体５及び中間構造体８の内の少なくとも一方、たとえば中間構造体８が他方、たとえば光学構造体５を嵌合するための嵌合部１１と、この嵌合部１１による嵌合状態を維持するために両者を係止するための係止部９，１０を備える。例文帳に追加

At least one of the optical body structure 5 and the intermediate body structure 8, for example, the intermediate body structure 8 comprises a fitting part 11 for fitting the other, for example, the optical body structure 5 and locking parts 9, 10 for locking both of them in order to maintain the state of fitting due to the fitting part 11. - 特許庁

シリコン基板１１上に、貫通転位１４を有する歪緩和シリコンゲルマニウム層１２をエピタキシャル成長させ、次いで金属層１３を形成して多層膜中間構造体１０を作製する。例文帳に追加

A strain relaxation silicon germanium layer 12 with through-dislocation 14 is epitaxially grown on a silicon substrate 11, and then a metallic layer 13 is formed to manufacture a multilayer film intermediate structure 10. - 特許庁

本発明は、中間構造、コンテンツコンポーネントを、クライアントまたはドライバコールと共通の共有シムの間で使用して、シムにコンテキスト情報を提供することによって、前述を実施する。例文帳に追加

This invention implements the above by using intermediate structure and a content component between a client or a shared SHIM common to the driver call and providing the context information to the SHIM. - 特許庁

ある記述対象（オブジェクト）の構造定義データ（例えば、ＸＭＬ文書のＤＴＤ）を、そのオブジェクトに対応する中間構造定義データに変換する。例文帳に追加

Structure definition data (e.g. DTD of an XML document) of one description object (object) are converted to intermediate structure definition data corresponding to the object. - 特許庁

次いで、多層膜中間構造体１０に対して熱処理を施し、シリコン基材１１のシリコン元素と、被化合物元素含有層１３の被化合物元素とを含むシリサイド膜２３を形成する。例文帳に追加

Then, the multilayer film intermediate structure 10 is subjected to heat treatment, and the silicide film 23 is formed to contain the silicon element of the silicon base material 11 and the compound element of the compound element containing layer 13. - 特許庁

所定のシリコン基材１１を準備し、シリコン基材１１上に、チタン介在層１２及び被化合物元素含有層１３を順次に形成して、多層膜中間構造体１０を作製する。例文帳に追加

A prescribed silicon base material 11 is prepared, a titanate interposed layer 12 and a compound element containing layer 13 are formed one by one on the silicon base material 11, and a multilayer film intermediate structure 10 is manufactured. - 特許庁

こうして得られる中間構造定義データは、同一のオブジェクトに対応する各種構造定義データを包含する汎用的なものであり、これを用いれば、異なる構造定義データ間の変換の手間と費用を減らすことができる。例文帳に追加

The intermediate structure definition data which are thus obtained are general data including various structure definition data corresponding to the same object and used to reduce the trouble and the cost for the conversion between different structure definition data. - 特許庁

そして、複数の建物ユニット２０が離し置きされ、該離し置きされた中間部分に、建物ユニット２０とは異なる構成の中間構造部Ｘ３が設けられている。例文帳に追加

The plurality of building units 20 are placed separately from one another; and the intermediate structure sections X3 different in constitution from the building unit 20 are provided in intermediate sections placed separately from one another, respectively. - 特許庁

成形の過程中、２つの導電性部材が、中間構造体内に部分的に埋め込まれ、かつ、プリント回路基板に接続され、制御ユニットの出力端子を形成する。例文帳に追加

Two conductive members are partially embedded in the intermediate structure during the course of molding and are connected to the printed circuit board to form output terminals of the control unit. - 特許庁

この中間構造部では、離し置きされた各建物ユニットの内通りの天井大梁２２に架け渡して天井束受梁７２が設けられ、その天井束受梁７２上に、屋根材を支持するための束７３が立設されている。例文帳に追加

In the intermediate structure section, a ceiling post supporting beam 72 is provided by being laid across a ceiling girder 22 through the inside of each of the building units placed separately from one another; and a pole 73 for supporting a roofing material is erected on the ceiling post supporting beam 72. - 特許庁

建物において、建物ユニットが離し置きされ、該離し置きにより形成された中間部分に、建物ユニットとは異なる構成の中間構造部が設けられている。例文帳に追加

In the building, the building units are placed separately from one another; and an intermediate structure section different in constitution from the building unit is provided in an intermediate section formed by the separate placement of the building units. - 特許庁

並びに、吐出口となる開口部を形成するために前記ノズル形成材料の層に形成された貫通口が2層の固体層のうち上層のみを貫通し下層に達している、前記方法の中間構造体。例文帳に追加

In the intermediate structure, to form an opening to be the discharge opening, a through hole formed in the nozzle forming material layer penetrates only the upper solid layer and reaches the lower layer. - 特許庁

レンズ６の焦点位置を調整できる光学構造体５と、レンズ６に対応させて固体撮像素子を実装した素子基板１との間に、中間構造体８が配置されている。例文帳に追加

An intermediate body structure 5 is disposed between an optical body structure 5 capable of controlling a focal position of a lens 6 and a device substrate 1 on which a solid-state imaging device is mounted in accordance with the lens 6. - 特許庁

次いで、多層膜中間構造体１０に対して熱処理を施し、金属層１３中の金属元素を貫通転位１４を介して拡散させ、シリコン基板１１とシリコンゲルマニウム層１２との界面１５に微細構造１６を形成する。例文帳に追加

Further, heat treatment is applied to the multilayer film intermediate structure 10 to diffuse metal elements in the metallic layer 13 via the through-dislocation 14 to form a microstructure 16 at a boundary face 15 between the silicon substrate 11 and the silicon germanium layer 12. - 特許庁

配線基板１００と、配線基板１００に搭載された複数の半導体チップと、複数の半導体チップを一括的に封止し、かつ厚さの異なる部位を有する封止体４０１を有する半導体装置の中間構造体４００。例文帳に追加

An intermediate structure 400 of a semiconductor device is provided with a wiring board 100, a plurality of semiconductor chips loaded on the wiring board 100, and a sealing body 401 having sites of different thicknesses and sealing the plurality of semiconductor chips in a batch. - 特許庁

建築物の外壁の中間構造体として使用でき、従来の施工法に比べて資材点数及び工程数を少なくすることができる外壁施工用防水断熱材及びそれを用いた外壁の施工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a waterproof and heat insulating material for an outer wall construction usable as the intermediate structural bodies of the outer wall of a building and enabling a reduction in the number of materials and steps as compared with a conventional construction method and a construction method for the outer wall using the waterproof and heat insulating material. - 特許庁

下部構造物の上部にある熱源・電源設備が配置された中間構造物は、下部構造物の天端面に下弦材、上部構造物の下部に上弦材を配置し、これらを連結するように斜材を骨組みしたメガトラス構造が形成されている。例文帳に追加

An intermediate structure in which a heat source and power supply facilities in an upper part of a lower part structure are arranged forms a mega-truss structure constituted by arranging a lower chord on a crest face of the lower part structure and an upper chord in a lower part of an upper part structure and framing a diagonal member so as to connect them. - 特許庁

回路基板３と、回路基板３上に配置されたＩＣパッケージ（ＣＳＰ２）と、ＩＣパッケージ（ＣＳＰ２）の周囲に配置され、かつ一部に切欠部１００を有する枠形状の熱可塑性樹脂の成型体１を有する中間構造体と、からなり、回路基板３を加熱することにより成型体１を液状化させて、回路基板３とＩＣパッケージ（ＣＳＰ２）の間に樹脂封止体を形成する。例文帳に追加

An intermediate structure comprises a circuit board 3, the IC package (CSP 2) disposed on the circuit board 3, and a molding 1 of a thermoplastic resin in a frame shape disposed at a periphery of the IC package (CSP 2) and partially having a cut portion 100, wherein a resin seal body is formed between the circuit board 3 and IC package (CSP 2) by liquefying the molding 1 by heating the circuit board 3. - 特許庁

非晶質シリコン膜をレーザー照射により多結晶シリコン膜に変化させる際に、非晶質シリコン膜上に形成された自然酸化膜が多結晶化に及ぼす悪影響を防ぐことができる薄膜トランジスタ基板の製造方法及び薄膜トランジスタ基板形成用中間構造物を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a thin film transistor substrate, along with an intermediate structure for forming a thin film transistor substrate, capable of preventing bad effect on polycrystallization by a natural oxide film formed on an amorphous silicon film when changing the amorphous silicon film into polycrystal silicon film by laser radiation. - 特許庁