「"an SiC"」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor apparatus includes a semiconductor substrate 1, a PMOS transistor P1, and an SiC layer 10.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、半導体基板１、ＰＭＯＳトランジスタＰ１、およびＳｉＣ層１０を備えている。 - 特許庁

To carry out the epitaxial growth of a GaN (gallium nitride) film with a good crystallinity on an SiC (silicon carbide) substrate without a buffer layer.例文帳に追加

ＳｉＣ（炭化シリコン）基板上にバッファ層なしで結晶性良好なＧａＮ（窒化ガリウム）膜をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To lower interface level density in an interface with an oxide film in a semiconductor device having an MOS structure using an SiC semiconductor.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体を用いたＭＯＳ構造を有する半導体装置において、酸化膜との界面における界面準位密度を低くする。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for manufacturing an SiC single crystal capable of making fine temperature control within a graphite crucible.例文帳に追加

黒鉛坩堝内の細かな温度制御が可能なＳｉＣ単結晶製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC single crystal ingot that can give a high quality substrate with few dislocation defects, and to provide a substrate and an epitaxial wafer obtained from the ingot.例文帳に追加

転位欠陥の少ない良質の基板を得ることのできるSiC単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

A semiconductor module comprises a segment 1 (semiconductor element) capable of operating severally on an SiC substrate.例文帳に追加

半導体モジュールは、ＳｉＣ基板上に、個別に動作することが可能なセグメント１（半導体素子）を備えている。 - 特許庁

A carbon nanotube 2 is generated on the peak of an SiC whisker 3 and in the direction of whisker elongation.例文帳に追加

また、本カーボンナノチューブ２は、ＳｉＣウィスカー３の先端に、ウィスカーの延長線方向に形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SiC semiconductor element which can remove graphite layers and can form wiring electrodes which has high adhesive properties.例文帳に追加

グラファイト層を除去し、密着性の高い配線用電極が形成できるＳｉＣ半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a transverse JFET 10, a buffer layer 11 is disposed on a main surface of an SiC substrate 1 and includes p-type impurities.例文帳に追加

この発明に従った横型ＪＦＥＴ１０では、バッファ層１１は、ＳｉＣ基板１の主表面上に位置し、ｐ型不純物を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which forms an ohmic electrode contacting an SiC semiconductor layer and having low contact resistance.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体層に接する、コンタクト抵抗の低いオーミック電極を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To stably and with satisfactory reproducibility, form an SiC semiconductor substrate which has floating doping layers for making a device have high dielectric strength.例文帳に追加

高耐圧素子を作るためのフローティングドーピング層を有するＳｉＣ半導体基板を、安定に再現性良く形成する。 - 特許庁

This method for producing the α-SiC crystal comprises growing the α-SiC crystal on a substrate by a sublimation recrystallization method of an SiC powder.例文帳に追加

ＳｉＣ粉末の昇華再結晶法により、基板上にα−ＳｉＣ結晶を成長させる方法である。 - 特許庁

An embedded collector region is partially formed onto a base layer formed on an emitter layer of an SiC semiconductor.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体のエミッタ層の上に形成したベース層に、部分的に埋込コレクタ領域を形成する。 - 特許庁

Afterwards, the substrate is heated in a CVD, and an SiC epitaxial growth layer 14 is formed on the SiC balk substrate 11.例文帳に追加

その後、ＣＶＤ炉内で基板を加熱して、ＳｉＣバルク基板１１上にＳｉＣのエピタキシャル成長層１４を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which ON resistance can be reduced effectively while employing an SiC semiconductor, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体を用いながらオン抵抗を効果的に低減することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that can block a micropipe existing in an SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板に存在するマイクロパイプを、閉塞させることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element including a formation of a gettering layer for capturing and fixing an impurity element of an SiC semiconductor substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体基板の不純物元素を捕捉・固定するためのゲッタリング層の形成を含む半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a switching element containing a high speed diode which has no need of outside-attaching an anti-parallel diode in an SiC cascode element.例文帳に追加

ＳｉＣカスコード素子において、逆並列ダイオードを外付けする必要がない、高速のダイオードを内蔵するスイッチング素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of preventing progress of crystal degradation of an SiC semiconductor device without increasing the number of components.例文帳に追加

部品点数を増やすことなく、ＳｉＣ半導体装置の結晶劣化の進行を抑制することが可能な半導体素子を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for a semiconductor substrate is intended for manufacturing a semiconductor substrate 1 having an SiC layer 30 on an insulating layer 20.例文帳に追加

本発明の半導体基板の製造方法は、絶縁層２０上にＳｉＣ層３０を備えた半導体基板１の製造方法である。 - 特許庁

An active region 1 functioning as a field effect transistor is formed on an SiC semiconductor substrate 5.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体基板５上には、電界効果トランジスタとして機能する活性領域１が形成されている。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and plasma etching apparatus which can etch an SiC layer with high selectivity with respect to an SiOC layer.例文帳に追加

ＳｉＯＣ層に対して選択性高くＳｉＣ層をエッチングすることのできるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC/Si composite material having high rigidity and excellent wear resistance as well as electrical conductivity and a high thermal conductivity.例文帳に追加

導電性と高い熱伝導率を有すると共に、高剛性で耐摩耗性に優れたＳｉＣ／Ｓｉ複合材料を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic device in which the contact resistance across an SiC semiconductor and an electrode is reduced.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体と電極との間の接触抵抗が低減された電子装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non- or semi-polar surface of an SiC substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面又は半極性面上に、結晶成長させる。 - 特許庁

The SiC substrate fitting pedestal 23 is made rotatable and rotates the SiC substrate 25 together with an SiC single crystal growing thereon.例文帳に追加

ＳｉＣ基板取り付け台座２３は回転可能となっており、ＳｉＣ基板２５及びその上に成長したＳｉＣ単結晶を回転させる。 - 特許庁

To provide a furnace for manufacturing an SiC single crystal in which the polycrystallization of the SiC single crystal can be prevented by suppressing excess degree of supersaturation and optimizing the degree of supersaturation.例文帳に追加

過剰な過飽和度を抑制して適正化することにより多結晶化を防止したＳｉＣ単結晶製造炉を提供する。 - 特許庁

A heat sink (14), a substrate (11), and a pattern (12) are successively stacked; and a semiconductor chip (13) comprising an SiC semiconductor is mounted on the surface.例文帳に追加

放熱器（14）、基板（11）、パターン（12）の順に積層して、その表面にＳｉＣ半導体からなる半導体チップ（13）を実装する。 - 特許庁

At least either of a Schottky electrode and an ohmic electrode is of three-layered structure composed of a Ti layer, an Ni layer, and an Au layer which are successivey laminated from an SiC side.例文帳に追加

ショットキー電極とオーミック電極のうちの少なくとも一方を、ＳｉＣ側からＴｉ／Ｎｉ／Ａｕなる三層構造とする。 - 特許庁

This heat radiating plate consists of the carbon fiber reinforced carbon composite material formed with an SiC layer of a thickness 10 to 500 μm on its surface.例文帳に追加

表面に１０〜５００μｍの厚さのＳｉＣ層が形成されている炭素繊維強化炭素複合材料からなることとした放熱板。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor which can realize a β-SiC single crystalline thin film of high quality which is excellent in crystallinity.例文帳に追加

β−ＳｉＣ単結晶薄膜を結晶性に優れた高品質なものとし得るＳｉＣ半導体の提供。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor which can reduce the occurrence of carriers and can save resources of materials and can shorten manufacturing time.例文帳に追加

キャリアの発生を低減しつつ、原料の省資源化が可能であると共に、製造時間を短縮し得るＳｉＣ半導体の提供。 - 特許庁

In the semiconductor device, an SiC substrate is employed and an insulating film is formed by plasma treatment.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、基板としてＳｉＣを採用するとともに、プラズマ処理によって絶縁膜を形成している。 - 特許庁

To produce an SiC single crystal reduced in micropipes exposed on the surface and lamination defect and provide a method for growing the single crystal.例文帳に追加

表面に露出するマイクロパイプおよび積層欠陥が低減されたＳｉＣ単結晶およびその成長方法を提供すること。 - 特許庁

A 4H-SiC epitaxial layer 104 is formed to a thickness of 10 or more μm on an SiC wafer 102 by epitaxially growing SiC.例文帳に追加

ＳｉＣウェハ１０２上に、ＳｉＣをエピタキシャル成長させて、４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層１０４を層厚十数μｍ形成する。 - 特許庁

To improve precision of the thickness of an SiC wafer by making small a difference between the maximum thickness and the minimum thickness of the SiC wafer.例文帳に追加

ＳｉＣウェハの最大厚みと最小厚みとの差を小さくして、ＳｉＣウェハの厚さの精度を向上させる。 - 特許庁

An SiC single crystal thin film of a single phase which comprises no anti-phase boundary (APB) and has less crystal defect can be formed on account of this anisotropy.例文帳に追加

この異方性によって、アンチフェーズバウンダリー(APB)を含まない結晶欠陥の少ない単相のSiC単結晶薄膜を形成可能とした。 - 特許庁

To provide a method for depositing an SiC:H film having a low dielectric constant and desirable characteristics.例文帳に追加

低い比誘電率を有し、かつ望ましい特性を有するＳｉＣ：Ｈ膜を成膜する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC semiconductor device with improved characteristics, and an apparatus of manufacturing the SiC semiconductor device.例文帳に追加

特性を向上できるＳｉＣ半導体装置の製造方法およびＳｉＣ半導体装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor apparatus which alleviates electric field concentration on a gate oxide film formed in a trench.例文帳に追加

トレンチ内に形成するゲート酸化膜での電界集中をより緩和できるＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

A shielding part 6 which has a shielding plate 6a which is oppositely arranged to an SiC single crystal substrate 3 becoming a seed crystal is provided.例文帳に追加

種結晶となるＳｉＣ単結晶基板３に対向配置される遮蔽板６ａを有する遮蔽部６を備える。 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal by which a unitary single crystal having a flat growth surface can be stably obtained at a high growth rate.例文帳に追加

平坦な成長表面を持つ単一の単結晶が安定して高い成長速度で得られるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for protecting the surface of an SiC substrate having no defects in a conventional technology.例文帳に追加

本発明の目的は、従来技術の欠点を有さない、ＳｉＣ基板の表面の保護を提供することである。 - 特許庁

To provide an SiC single crystal with decreased crystal defects and an enlarged bore diameter; and a growth method therefor.例文帳に追加

結晶欠陥の低減及び大口径化が図られたＳｉＣ単結晶及びその成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SiC single crystal by a sublimation process capable of growing the SiC single crystal into long length while keeping the high quality thereof.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶を高品質のまま長尺に成長させることが可能な、昇華法によるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁