「"an SiC"」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a heteroepitaxial wafer which can effectively raise the quality of a compound semiconductor layer made of a GaN compound semiconductor in the heteroepitaxial wafer in which the compound semiconductor layer is heteroepitaxially grown on the main surface of an SiC substrate and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＳｉＣ基板の主表面上に、ＧａＮ系化合物半導体からなる化合物半導体層をヘテロエピタキシャル成長させたヘテロエピタキシャルウエーハにおいて、該化合物半導体層の品質を効果的に高めることが可能なヘテロエピタキシャルウエーハおよび、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element which can form one electrode on the rear surface of a substrate while forming a vertical light emitting element by using an SiC substrate as the substrate, and can increase external quantum efficiency by effectively utilizing also light advancing toward a substrate side.例文帳に追加

ＳｉＣ基板を用いることにより、基板の裏面に一方の電極を形成し、垂直型の発光素子としながら、基板側に進む光も有効に利用することにより、外部量子効率を向上させることができる構造の窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device such as an SiC-based vertical power MISFET using a silicon carbide semiconductor substrate, a channel region, a source region and a gate structure are formed in a self-alignment manner with each other.例文帳に追加

本願発明は、シリコンカーバイド系半導体基板を用いたＳｉＣベースの縦型パワーＭＩＳＦＥＴ等の半導体装置の製造方法において、チャネル領域、ソース領域、およびゲート構造を相互に自己整合的に形成するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor module which includes an SiC diode element on a switching element and suppresses the rise of temperature by securing a heat discharge path of the SiC diode element, by making appropriate the arrangement of the SiC diode element on the switching element.例文帳に追加

スイッチング素子上にＳｉＣ製ダイオード素子を備える半導体モジュールにおいて、スイッチング素子上におけるＳｉＣ製ダイオード素子の配置を適正にして、ＳｉＣ製ダイオード素子の放熱経路を確保することにより、温度上昇を抑制した半導体モジュールを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element using an SiC substrate wherein a p electrode and an n electrode are opposed to each other, and capable of stabilizing a drive voltage by reducing carrier depletion due to spontaneous polarization and piezoelectric polarization caused on a boundary of a semiconductor layer.例文帳に追加

ＳｉＣ基板を用いてｐ電極とｎ電極を対向させた窒化物半導体発光素子を構成するとともに、半導体層の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device comprising the horizontal high breakdown voltage element, an SiC thin film layer 20 made of a material which has a wide band gap wider than that of a material of a semiconductor layer 2 by introducing impurities into the semiconductor layer 2 is formed.例文帳に追加

横型高耐圧素子を有する半導体装置の製造方法においては、半導体層２に不純物を導入することで半導体層２の材料よりも広いワイドバンドギャップを有する材料よりなるＳｉＣ薄膜層２０が形成される。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon carbide powder, by which it becomes possible to uniformly supply a sublimation gas of SiC and a sublimation gas of a dopant to a seed crystal and the possibility of mixing of impurities is reduced in the case when the dopant is mixed with an SiC raw material powder.例文帳に追加

ＳｉＣ原料粉体にドーパントを混合させた場合に、ＳｉＣの昇華ガスとドーパントの昇華ガスとを均一に種結晶に供給することができると共に、不純物の混入可能性が低い炭化珪素粉体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The residue can be generated by further machining in this case, but an SiC film 2 is formed generally between the film 3 and a Cu wiring 1 positioned at the lower section of the film 3 by the dual damascene method, and the residue is removed when the film 2 is machined.例文帳に追加

このとき、更なる加工によって残渣が生じ得るが、一般に、デュアルダマシン法では、層間絶縁膜３とその下方に位置するＣｕ配線１との間にＳｉＣ膜２が形成されており、このＳｉＣ膜２を加工する際に残渣が除去される。 - 特許庁

The joined article comprises an SiC porous article, a penetrating layer where metal silicon is penetrated in the SiC porous body and a joining layer consisting of a silicon alloy contacting with the penetrating layer, and has an aluminum content in the silicon alloy of 1-20 wt.%.例文帳に追加

ＳｉＣ多孔体と、該ＳｉＣ多孔体に金属シリコンが浸透した浸透層と、該浸透層に接したシリコン合金からなる接合層とを含む接合体であって、前記シリコン合金のアルミニウム含有量は１〜２０ｗｔ％であることを特徴とする接合体。 - 特許庁

In a step for growing a drift layer 23 as an SiC crystal growth layer, a second period is provided which supplies only propane from among silane as silicon material gas and propane as carbon material gas to a crystal growth surface.例文帳に追加

ＳｉＣ結晶成長層としてのドリフト層２３を成長させる工程内に、シリコン原料ガスであるシランと炭素原料ガスであるプロパンのうちのプロパンのみを結晶成長表面に供給する第２の期間を設けている。 - 特許庁

To provide a substrate defect checkup method permitting detection of 6H type lamination defects contained in nitrogen-doped 4H type SiC bulk monocrystalline substrates, a substrate defect checkup system using this method, and an SiC bulk monocrystalline substrate with defect information.例文帳に追加

窒素ドープされた４Ｈ型SiCバルク単結晶基板に含まれる６Ｈ型積層欠陥を検出できる基板の欠陥検査方法、及びこれを用いた基板の欠陥検査システム、並びに欠陥情報付きのSiCバルク単結晶基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor module including an SiC diode element on a switching element, of which the temperature rise is suppressed by properly arranging the SiC diode element on the switching element to secure a heat dissipation path of the SiC diode element.例文帳に追加

スイッチング素子上にＳｉＣ製ダイオード素子を備える半導体モジュールにおいて、スイッチング素子上におけるＳｉＣ製ダイオード素子の配置を適正にして、ＳｉＣ製ダイオード素子の放熱経路を確保することにより、温度上昇を抑制した半導体モジュールを提供することを目的とする。 - 特許庁

The silicon carbide substrate 10 having a principal face comprises an SiC single crystal substrate 1 formed at least partially on the principal face, and a base member 20 arranged to surround the periphery of the SiC single crystal substrate 1.例文帳に追加

炭化珪素基板１０は、主表面を有する炭化珪素基板１０であって、主表面の少なくとも一部に形成されたＳｉＣ単結晶基板１と、ＳｉＣ単結晶基板１の周囲を囲むように配置されたベース部材２０とを備える。 - 特許庁

To provide a seal ring for a mechanical seal made of an SiC sliding member excellent in durability and reliability, by lessening or solving inconvenience of increasing a friction coefficient even in severe environment such as a condition of insufficient lubrication of a sliding part with lubricating liquid or a dry condition.例文帳に追加

摺動部に十分な潤滑液が回り込まない状況やドライ状況といった厳しい環境下においても、摩擦係数が高くなる不都合を抑制又は解消して、耐久性や信頼性に優れるＳｉＣ摺動材製のメカニカルシール用密封環を実現させる。 - 特許庁

To provide a mechanical seal having excellent durability and reliability by suppressing increase of a friction coefficient even in severe environment, such as a condition without a sufficient lubricating liquid over a sliding part of a static sealing ring made of an SiC sliding material, or a dry condition.例文帳に追加

ＳｉＣ摺動材製静止密封環の摺動部に十分潤滑液が回り込まない状況やドライ状況等の厳しい環境下でも、摩擦係数が高くなることを抑制して耐久性や信頼性に優れるメカニカルシールを提供する。 - 特許庁

Since JFETs operating in D and E modes are provided on the same substrate by the n-type channel layer 3 having a different thickness, an SiC semiconductor where the D-mode and E-mode JFETs are combined is achieved even by SiC.例文帳に追加

そして、このような厚みが異なるｎ型チャネル層３によってＤモードとＥモードで作動するＪＦＥＴを同一基板上に備えることができるため、ＳｉＣでもＤモードとＥモードのＪＦＥＴを組み合わせたＳｉＣ半導体装置を実現することが可能となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a highly reliable semiconductor element which is excellent in continuous operation property and electrical characteristics at a high temperature by preventing lowering of bonding strength between an SiC substrate and a metallic silicide layer and between a metallic silicide layer and a bonding metal layer due to interdiffusion in high temperature operation.例文帳に追加

高温動作の際の相互拡散によるＳｉＣ基板と金属シリサイド層との間及び金属シリサイド層とボンディングメタル層との間の接着強度の低下を防止し、高温下での連続動作性及び電気的特性に優れた信頼性の高い半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mechanical seal excellent in durability or reliability, by lessening or solving inconvenience of increasing a friction coefficient even in severe environment such as a condition of insufficient lubrication of a sliding part with lubricating liquid or a dry condition, although the mechanical seal has a static seal ring made of an SiC sliding member.例文帳に追加

ＳｉＣ摺動材製の静止密封環を持ちながら、摺動部に十分な潤滑液が回り込まない状況やドライ状況といった厳しい環境下においても、摩擦係数が高くなる不都合を抑制又は解消して、耐久性や信頼性に優れるメカニカルシールを提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing an SiC single crystal where the occurrence of a different polymorphic crystal and a different orientation crystal is suppressed by forming a temperature distribution to a surface on the way of growing a seed crystal and the SiC single crystal without arranging the seed crystal shifting from the center axis of a crucible.例文帳に追加

種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびＳｉＣ単結晶の成長途中表面に対して温度分布を形成することにより、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

An annular end part 23 of a second coating part 16 that coats a surface 15A of a first coating part 15 which coats a surface of an SiC GTO thyristor element 1 placed on an upper surface 3A of a copper support body 3, engages with an annular engagement groove 21 of the support body 3.例文帳に追加

この半導体装置では、銅製の支持体３の上面３Ａに載置されたＳｉＣ ＧＴＯサイリスタ素子１の表面を被覆する第１の被覆部１５の表面１５Ａを被覆する第２の被覆部１６の環状の端部２３が支持体３の環状の嵌合溝２１に嵌合する。 - 特許庁

A method for producing an SiC-bonded substrate comprises a step S10 to prepare a plurality of single crystal bodies consisting of silicon carbide (SiC), a step S20 to form an assembly, a step S30 to bond the single crystal bodies with each other and a step S60 to slice the assembly.例文帳に追加

ＳｉＣ張り合せ基板の製造方法は、複数の炭化珪素（ＳｉＣ）からなる単結晶体を準備する工程Ｓ１０と、集合体を形成する工程Ｓ２０と、単結晶体同士を接続する工程Ｓ３０と、集合体をスライスする工程Ｓ６０とを備える。 - 特許庁

A diameter-reduced part 8d is installed on the end part at a reaction vessel 9 side in a heating vessel 8 in an SiC single crystal production apparatus 1, and the diameter-reduced part 8d causes the flux of a raw material gas 3 to have in-plane distribution on the growth face of the SiC single crystal.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶製造装置１のうち加熱容器８における反応容器９側の端部に縮径部８ｄを設け、この縮径部８ｄにより原料ガス３の流束がＳｉＣ単結晶の成長面上において面内分布を持つようにする。 - 特許庁

The SiC single crystal is produced by a liquid phase growth method for epitaxially growing SiC on a substrate by bringing a seed crystal substrate into contact with an SiC solution in which a melt of an Si alloy held in a crucible is used as a solvent, wherein a sapphire crystal substrate is used as the seed crystal substrate.例文帳に追加

坩堝に収容されたＳｉ合金の融液を溶媒とするＳｉＣ溶液に種結晶基板を接触させて基板上にＳｉＣをエピタキシャル成長させる液相成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、種結晶基板としてサファイア結晶基板を使用する。 - 特許庁

Since the rise in the temperature of an SiC diode element (8) is suppressed by facilitating the discharge of heat by heat generation of the SiC diode element (8), by arranging the SiC diode element (8) on the periphery on a switching element (5), rise in the temperature of a semiconductor module is suppressed.例文帳に追加

ＳｉＣ製ダイオード素子（８）をスイッチング素子（５）上の周辺部に配設して、ＳｉＣ製ダイオード素子（８）の発熱による熱を放熱し易くすることにより、ＳｉＣ製ダイオード素子（８）の温度上昇が抑制されるため、半導体モジュールの温度上昇が抑制される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with use of a carbon silicate substrate having a (000-1) face which is high-quality as compared to (0001) and (11-20) faces, and particularly to provide an SiC semiconductor device having a high-breakdown voltage and a high channel mobility provided by optimizing a heat-treatment process after gate-oxidation.例文帳に追加

（０００１）面や（１１−２０）面よりも優れた（０００−１）面の炭化珪素基板を用いた半導体装置において、ゲート酸化後の熱処理方法を最適化することにより、高耐圧で高チャネル移動度を有するＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

Its production method comprises the steps for coating the surface of a basic material with SiC film by CVD, for removing the basic material to produce an SiC shaped body, and for heat treating the SiC shaped body at a temperature of 1600-1800°C in an inert atmosphere while applying a load of 15 g/cm^2 or above.例文帳に追加

また、その製造方法は、ＣＶＤ法により基材面にＳｉＣ膜を被着し、次いで基材を除去して得られたＳｉＣ成形体を、不活性雰囲気中で１５g/cm^2 以上の加重を負荷しながら、１６００〜１８００℃の温度で熱処理する。 - 特許庁

In a first process, the pressure in the inside of a quartz reaction tube 6 is reduced to 6.65×10^3 to 1.33×10^4 Pa by using an exhaust system, and a single crystal is grown on the surface of an SiC seed crystal 2 at a growth rate of ≤0.5 mm/h.例文帳に追加

まず、第１工程として、排気機構を用いて石英反応管６内を減圧し、６．６５×１０^3〜１．３３×１０^4Ｐａにして、ＳｉＣ種結晶２の表面に単結晶を０．５ｍｍ／ｈ以下の成長速度で成長させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound semiconductor which can accelerate the etch rate of even an SiC wafer which requires a high processing temperature, can process a via hole into a rectangular cross-sectional shape with a vertical side wall without extremely thinning the SiC wafer, and allows easy handling of wafers.例文帳に追加

必要とする加工温度が高いＳｉＣウエハでもエッチング速度を早くすることができ、しかもＳｉＣウエハを極度に薄板化せずにバイアホールの断面を側壁が垂直な矩形状に加工でき、ウエハのハンドリングが容易な化合物半導体の製造方法を得る。 - 特許庁

The semiconductor optical function element comprises an SiC substrate 1, an Al_z1Ga_1-z1N/GaN lower DBR mirror 5, a GaN core layer 6, an Al_Z1Ga_1-z1N/GaN upper DBR mirror 7 and a heater 12 made of Cr.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１と、該基板１上に基板１より延長して形成された、Ａｌ_ｚ１Ｇａ_１−ｚ１Ｎ／ＧａＮ下部ＤＢＲミラー５、ＧａＮコア層６およびＡｌ_ｚ１Ｇａ_１−ｚ１Ｎ／ＧａＮ上部ＤＢＲミラー７とからなるミラー部８と、Ｃｒからなるヒーター１２とにより構成する。 - 特許庁

A feed material 2 made of SiC powder and aluminum carbide that is powder that becomes an impurity dopant is loaded into an induction heating furnace 1 in a crucible structure, and an SiC substrate is mounted to the upper section of the feed material 2 with the side of the feed material 2 being an impurity formed region surface.例文帳に追加

るつぼ構造の誘導加熱炉１にＳｉＣ粉末と不純物ドーパントとなる粉末である炭化アルミニウムとからなる原料２を入れ、その原料２の上方に原料２側を不純物領域形成面としてＳｉＣ基板３を取り付ける。 - 特許庁

To provide a seed crystal which is capable of manufacturing, with good reproducibility, a good qualitative, large caliber ingot which has few void defects, has few minute polycrystalline particles, and has few crystal defects occurring due to these reasons, and to provide a manufacturing method thereof and a manufacturing method of an SiC single crystal ingot.例文帳に追加

本発明は、ボイド欠陥あるいは微小多結晶粒、及び、これらに起因して発生する結晶欠陥の少ない良質の大口径インゴットを再現性良く製造し得る種結晶とその製造方法及びＳｉＣ単結晶インゴットの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the corrosion resistant member, an SiC film having a crystal structure of 3C, 6H or 4H is provided on the front surface of a carbon base material wherein the ratio of 6H or 4H on the top surface of the SiC film is larger than that on the carbon base material side surface.例文帳に追加

耐食性部材において、カーボン基材の表面に、３Ｃと、６Ｈまたは４Ｈの結晶構造を含むＳｉＣ膜を備え、ＳｉＣ膜において、ＳｉＣ膜の最表面における６Ｈまたは４Ｈの割合が、カーボン基材側の面における６Ｈまたは４Ｈの割合より大きい。 - 特許庁

To provide an SiC heater, capable of quick rise and fall of the temperature as required, being joined in a precise position, having no risk of severance of the heater wire, having sufficient surface accuracy, free of poor connecting workmanship in the bonding part, and superior in the cost performance.例文帳に追加

要求される急速な昇降温が可能であり、正確な位置で接合でき、ヒータ断線の虞がなく、十分な表面精度を有し、ボンディング部分の接続不良がなく、コストパフォーマンスにも優れたＳｉＣヒータを提供することを課題とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the SiC substrate 4 includes a step of forming an SiC ingot 3, a step of forming a wafer 4a by cutting the ingot 3, and a step of making the radius of curvature of a wafer 4a to ≥35 m by heating the wafer 4a.例文帳に追加

ＳｉＣからなるインゴッド３を形成する工程と、インゴッド３を切断することによりウエハ４ａを形成する工程と、ウエハ４ａを加熱することによりウエハ４ａの曲率半径を３５ｍ以上とする工程とを含むＳｉＣ基板４の製造方法である。 - 特許庁

Material gas 30 is supplied from a supply port 7 to a region between a susceptor 5 and a graphite plate 9 in a reaction furnace 2, such that it goes around in a laminate flow in a direction along an inner wall of the reaction furnace 2 in a planar direction of an SiC wafer 20 placed on the susceptor 5.例文帳に追加

材料ガス３０を、反応炉２内のサセプタ５とグラファイト板９の間の領域に、サセプタ５上に載置されたＳｉＣウェハ２０の平面方向で反応炉２の内壁に沿う方向に層流で周回するように供給口７から供給する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor light-emitting element capable of preventing light absorption on an SiC substrate, easily removing ohmic contact at a side opposite to a side where a nitride semiconductor crystal is laminated on the SiC substrate, and preventing a semiconductor layer containing In from being broken down.例文帳に追加

ＳｉＣ基板の光吸収が起こらないようにし、ＳｉＣ基板の窒化物半導体結晶を積層する側とは反対側のオーミックコンタクトを取りやすくするとともに、Ｉｎを含む半導体層の破壊を防止することができる窒化物半導体発光素子の製造を提供する。 - 特許庁

A vapor growth controller section 23 is provided formed of SiO_2 which provides a restrained reaction with a reaction gas as compared to an SiC film, while having an inner circumferential surface 23A modeled after the inner circumferential surface 22A of the circumferential section 22 and a top surface 23B modeled after the top surface 22B of the circumferential section 22.例文帳に追加

気相成長制御部２３を、内周面２３Ａが周縁部２２の内周面２２Ａに倣い、かつ、上面２３Ｂが周縁部２２の上面２２Ｂに倣う状態で、ＳｉＣ被膜と比べて反応ガスとの反応が抑制されるＳｉＯ_２により形成して設けている。 - 特許庁

The mirror is an Si-SiC composite material which has an Si- layer on its surface and comprises of Si and an SiC powder whose filling degree is ≥50 vol.% and the smoothness and the center line average roughness of the surface of the Si-layer are ≤1 μm and ≤3 nm, respectively.例文帳に追加

表面にＳｉ層を有するＳｉＣ粉末の充填率が５０ｖｏｌ％以上のＳｉとＳｉＣ粉末からなるＳｉ−ＳｉＣ複合材料であって、そのＳｉ層表面の平坦度が１μｍ以下で、かつ中心線平均粗さが３ｎｍ以下であることとしたミラー。 - 特許庁

The carrier hand includes honeycomb construction consisting of an SiC-Si composite material in which the content rate of SiC is 40-80 vol%, and plates consisting of the SiC-Si composite material are joined to the upper and lower surfaces of the honeycomb construction.例文帳に追加

複合材料中のＳｉＣの含有率が40〜80体積％であるＳｉＣ−Ｓｉ複合材料からなるハニカム構造体を含み、かつ、該ハニカム構造体の上下にＳｉＣ−Ｓｉ複合材料からなる平板が接合されていることを特徴とする搬送装置用ハンド。 - 特許庁

This device is provided with an Si_0.9Ge_0.1C switching layer 14 in which impurities are not substantially doped and an SiC electron supply layer 10 formed in an in-groove wall substantially orthogonal to the switching layer surface of a groove provided on one part of the switching layer 14, which are adjacently provided in a channel region.例文帳に追加

チャネル領域において、不純物が実質的にドープされていないＳｉ_0.9Ｇｅ_0.1Ｃスイッチング層１４と、Ｓｉ_0.9Ｇｅ_0.1Ｃスイッチング層１４の一部に設けられた溝の、スイッチング層表面と略直交する溝内壁に形成されたＳｉＣ電子供給層１０とが隣接して設けられている。 - 特許庁

An N^- drift layer 2, a first gate layer (P^+ layer) 3, and an N^+ source layer 4 are successively laminated on an SiC board 1, an N^- channel layer 6 is formed on the inner wall of a trench 5, and a second gate layer 3 (P^+ layer) 7 is formed inside.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１の上にＮ^-ドリフト層２と第１のゲート層（Ｐ^+層）３とＮ^+ソース層４とが順に積層され、トレンチ５の内壁部にＮ^-チャネル層６が形成されるとともにその内方に第２のゲート層（Ｐ^+層）７が形成されている。 - 特許庁

The SiC mold comprises a substrate which consists of an SiC (silicon carbide) sintered body and a polycrystalline SiC film which is formed by vapor phase growing or liquid phase growing on the substrate, of which the surface is polished into a mirror surface, and uneven patterns are formed on the surface of the polycrystalline SiC film.例文帳に追加

ＳｉＣ（炭化珪素）焼結体からなる基板と、該基板上に気相成長或いは液相成長によって形成され、表面が鏡面状に研磨された多結晶ＳｉＣ膜とからなり、該多結晶ＳｉＣ膜の表面に凹凸のパターンが形成されている。 - 特許庁

The sliding member comprises: a base material 3 composing a structural material; an SiC-introduced layer 2 with a thickness of ≥100 μm formed by introducing SiC into the surface layer of the base material; and a DLC film 1 formed on the surface of the SiC-introduced layer.例文帳に追加

構造材を構成する基材３と、前記基材表層にＳｉＣを導入させて形成された厚みが１００μｍ以上のＳｉＣ導入層２と、前記ＳｉＣ導入層の表面に形成されたＤＬＣ膜１と、を有することを特徴とする摺動部材。 - 特許庁

The substrate of an inverter body (20) is divided into a high temperature substrate (62) with an IGBT (41) composed of an SiC element and a feedback diode (42) mounted thereon, and a low temperature substrate (63) insulated thermally from the high temperature substrate (62) and having a rectifier diode (32) composed of an Si element mounted thereon.例文帳に追加

インバータ本体（20）の基板を、ＳｉＣ素子で構成されるＩＧＢＴ（41）及び帰還ダイオード（42）が実装された高温基板（62）と、該高温基板（62）と熱的に絶縁され、Ｓｉ素子で構成される整流ダイオード（32）が実装された低温基板（63）とに分割する。 - 特許庁

Thus, since impurities adhered to the surface Si, C of the surface of the substrate can be simultaneously removed for several atom layers by exposing the surface of an SiC substrate with a high temperature and low oxygen partial pressure, a defect is made very small at the oxide film formation time, and the clean surface can be exposed.例文帳に追加

ＳｉＣ基板表面を高温かつ低酸素分圧下に晒すことにより、表面に付着した不純物と基板表面のＳｉ、Ｃを数原子層分除去することが同時にできるので、酸化膜形成時には欠陥が少なく極めて清浄な表面を露出させることができる。 - 特許庁