「"an SiC"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To grow an SiC single crystal convexly.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶を凸面成長させられるようにする。 - 特許庁

To provide an SiC single crystal having high resistivity which can be stably manufactured and to provide an SiC substrate composed of this SiC single crystal.例文帳に追加

安定して製造することができる高抵抗率のＳｉＣ単結晶とこのＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板を提供する。 - 特許庁

To improve element characteristics by reducing step bunching of a surface of an SiC epitaxial layer formed on an SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板上に形成されたＳｉＣエピタキシャル層表面のステップバンチングを低減して素子特性を向上させる。 - 特許庁

To miniaturize an SiC semiconductor device and to improve the precision of a structural size by obtaining self machining technique for an SiC power MOSFET.例文帳に追加

ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴにおける自己整合技術を得ることで、ＳｉＣ半導体装置の小型化と構造寸法の高精度化を図る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single crystal stably obtaining an SiC single crystal having a flat growing surface without occurrence of polycrystallization.例文帳に追加

多結晶化を起こすことなく、平坦な成長表面を持つＳｉＣ単結晶が安定して得られるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device which can stabilize breakdown voltage over a wide range of temperature variation, and to provide a manufacturing method for such an SiC semiconductor device.例文帳に追加

広範囲な温度変化に対して耐圧を安定させることが可能なＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Where, it is preferable that an SiC sintered body having a Young's modulus of 200 GPa or more or an SiC-Si composite material is used as the SiC material.例文帳に追加

ここで、前記ＳｉＣ系材料が、ヤング率２００GPa以上のＳｉＣ焼結体、または、ＳｉＣ−Ｓｉ複合材料であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SiC semiconductor element, capable of maintaining a high-quality element formation region even if subjected to an SiC element forming step.例文帳に追加

ＳｉＣ素子形成工程を経ても高品質な素子形成領域を維持できるＳｉＣ半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To flatten the surface of an SiC substrate by hydrogen etching.例文帳に追加

ＳｉＣ基板の水素エッチングにより、基板表面を平坦化させる。 - 特許庁

An SiC layer (106) is formed on a dielectric layer (102).例文帳に追加

誘電体層（１０２）の上に、ＳｉＣ層（１０６）を形成する。 - 特許庁

An SiC epitaxial layer is formed on the inner wall surface of the trench 91.例文帳に追加

トレンチ溝９１の内壁面にはＳｉＣエピ層が形成されている。 - 特許庁

To reduce resistance in an on state of an SiC semiconductor device.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体素子のオン状態での抵抗を低減する。 - 特許庁

After an SiC substrate 10 is set up in a reaction furnace 1, a hydrogen gas is introduced to the furnace 1.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１０を反応炉１に配置し、水素ガスを導入する。 - 特許庁

To improve the reliability of a semiconductor device using an SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板を用いた半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁

A groove is dug in an SiC substrate, and an electrode is embedded in the groove.例文帳に追加

ＳｉＣ基板に溝を掘り、この溝に電極を埋め込むこと。 - 特許庁

A p^+-type gate region 2 is embedded into an SiC substrate 1.例文帳に追加

ｐ^+型ゲート領域２をＳｉＣ基板１の内部に埋め込んだ構造とする。 - 特許庁

An SiC wafer 12 is temporarily fixed to an Si wafer 18 with a wax 20.例文帳に追加

ＳｉＣウェハ１２をワックス２０でＳｉウェハ１８に仮留めする。 - 特許庁

An SiC element is used for the switching element 21 for motor drive.例文帳に追加

モータ駆動用スイッチング素子２１にはＳｉＣ素子が使用されている。 - 特許庁

To provide a cleaning method for an SiC epitaxial growth device.例文帳に追加

ＳｉＣエピタキシャル成長装置におけるクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To realize an SiC semiconductor element in which the on-voltage is low.例文帳に追加

低いオン電圧のＳｉＣ半導体素子を実現すること。 - 特許庁

To provide a method of doping an SiC that suppresses deterioration in crystallinity of an SiC crystal to enable high-concentration doping, and a manufacturing method for an SiC semiconductor device using the method.例文帳に追加

ＳｉＣ結晶の結晶性の低下を抑制して高濃度のドーピングをすることができるＳｉＣへのドーピング方法およびその方法を用いたＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single crystal which can efficiently manufacture an SiC single crystal having high resistivity and to provide an SiC substrate having high resistivity obtained by the method.例文帳に追加

効率的に高抵抗率のＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造方法とその方法により得られた高抵抗率のＳｉＣ基板を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing an SiC single crystal restraining an SiC polycrystal from adhering to the wall surface of a reaction vessel located at the sidewall of the base and the circumferential part of the base, and a method for producing an SiC single crystal using the same.例文帳に追加

台座の側壁や台座の周辺部に位置する反応容器の壁面にＳｉＣ多結晶が付着することを抑制することのできるＳｉＣ単結晶の製造装置およびそれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The SiC single crystal is obtained as follows: an SiC exciting- layer 12 is formed by irradiating an SiC layer with an exciting beam 10, and the layer 12 is converted into an SiC single crystal layer 16 by heating the layer 12.例文帳に追加

本発明に係る単結晶ＳｉＣは、ＳｉＣ層に励起ビーム１０を照射してＳｉＣ励起層１２を形成し、このＳｉＣ励起層１２を加熱してＳｉＣ励起層１２をＳｉＣ単結晶層１６に転換させて得られることを特徴としている。 - 特許庁

The method of manufacturing the heat dissipation structure is characterized in supplying a current to an SiC substrate or a substrate having an SiC layer on at least one surface, heating SiC with Joule heat generated when the current is supplied, and forming an SiC whisker layer on the SiC surface of the substrate.例文帳に追加

本発明に係る放熱構造の製造方法は、ＳiＣ基板、又は少なくとも一の表面がＳiＣ層である基板に電流を流し、該電流を流したときに発生するジュール熱によってＳiＣを加熱し、基板のＳiＣ表面にＳiＣウィスカー層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an SiC single crystal having few anisotropic crystals or heterogeneous polymorphic crystals, allowing cutting out of a large-diameter {0001} plane substrate, and to provide a method for producing the SiC single crystal, and an SiC wafer cut out from such an SiC single crystal.例文帳に追加

異方位結晶や異種多形結晶が少なく、かつ、大口径の｛０００１｝面基板を切り出すことが可能なＳｉＣ単結晶及びその製造方法、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から切り出されるＳｉＣウェハを提供すること。 - 特許庁

In addition, an SiC semiconductor element can be manufactured inexpensively by using the SiC thin film.例文帳に追加

このＳｉＣ薄膜を用いることにより、低コストでＳｉＣ半導体素子を製造することができる。 - 特許庁

The method further comprises the step of growing an SiC spacer layer 105 at this temperature by using an SiH4 (silane) and C3H8 (propane).例文帳に追加

この温度でSiH_4（シラン）およびC_3H_8（プロパン）を用い、SiCスペーサ層１０５を成長する。 - 特許庁

To prevent the spread of oxidation up to an SiC substrate for thermal oxidation of Si deposited on the SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板上に堆積したＳｉを熱酸化する際に、ＳｉＣ基板にまで酸化が及ぶのを防ぐ。 - 特許庁

To provide a polytype of an optimum combination for an SiC substrate and overgrown III-V group nitride.例文帳に追加

ＳｉＣ基板および過成長III-V族窒化物の双方に最適な組み合わせのポリタイプを提供する。 - 特許庁

An n-type AlGaN buffer layer (12) is formed on an SiC substrate (11) as a buffer layer of the element.例文帳に追加

素子のバッファ層として、ＳｉＣ基板（１１）上にｎ型ＡｌＧａＮバッファ層（１２）を形成する。 - 特許庁

An SiC film 3 whose specific dielectric constant is larger than 2.5 is disposed on the surface of the film 2.例文帳に追加

膜２の表面上に比誘電率が２．５よりも大きいＳｉＣ膜３を設ける。 - 特許庁

A main switching element (13) is constituted of a chip consisting of an SiC semiconductor.例文帳に追加

主スイッチング素子（13）をＳｉＣ半導体からなるチップによって構成する。 - 特許庁

To provide an SiC substrate whose plane orientation is made distinct, and a method of manufacturing the SiC substrate.例文帳に追加

面方位を明確にしたＳｉＣ基板およびＳｉＣ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable to control degradation of heat insulation materials provided in a production apparatus of an SiC single crystal.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶の製造装置に備えられる断熱材の劣化を抑制することができるようにする。 - 特許庁

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non-polar surface of an SiC substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面上に、結晶成長させる。 - 特許庁

A porous MSQ(2) is formed on a silicon substrate 1 and an SiC mask 3 is then formed thereon.例文帳に追加

シリコン基板１上にポーラスＭＳＱ（２）を形成し、その上にＳｉＣマスク３を形成する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device which can improve resistance to forward-direction surge.例文帳に追加

順方向サージに対する耐性を向上することができるＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent gate leak failure in an SiC semiconductor device of an MOS structure.例文帳に追加

ＭＯＳ構造のＳｉＣ半導体装置において、ゲートリーク不良を防止する。 - 特許庁

The cleaning chamber 5 doubles with a reclaiming chamber for forming an SiC film on a surface of the susceptor S.例文帳に追加

クリーニング室５は、サセプタＳの表面にＳｉＣ膜を形成する再生室を兼ねる。 - 特許庁

The primer layer 9 is formed by sputtering using an SiC target.例文帳に追加

この下地層９は、ＳｉＣターゲットによるスパッタリング等で形成される。 - 特許庁

To provide a post ion-implantation heat treatment method and an apparatus for improving characteristics of an SiC element.例文帳に追加

ＳｉＣ素子の特性を向上させるイオン注入後熱処理方法及び装置を実現する。 - 特許庁

To provide an SiC/Cu composite material having excellent thermal conductivity and a method of producing the same.例文帳に追加

優れた熱伝導度を有するＳｉＣ／Ｃｕ複合材料およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An SiC layer 2 is formed with a CVD process on an Si(111) substrate layer 1 doped to an n-type.例文帳に追加

ｎ型にドーピングしたＳｉ(111)基板層１上に、ＣＶＤ法によりＳｉＣ層２を形成する。 - 特許庁

To shorten the cooling time after activation annealing process in fabrication of an SiC semiconductor device.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体装置の製造における活性化アニール工程後の冷却時間を短縮する。 - 特許庁